المؤلفون: Han, X.D., Li, Y.J., Wang, P., Han, X.L., Zhao, M.Q., Wang, J.F., Li, C.Y., Tian, N., Han, X.J., Hou, T.T., Wang, Y.X., Song, Lin, Du, Yifeng, Qiu, C.X.

المصدر: The Journal of nutrition, health and aging ; volume 27, issue 3, page 219-227 ; ISSN 1279-7707

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1007/s12603-023-1894-2
https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s12603-023-1894-2.pdf
https://link.springer.com/article/10.1007/s12603-023-1894-2/fulltext.html
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S127977072300310X?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S127977072300310X?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Meng, S.H., Han, X.L., Ding, P., Mei, B., Su, Y.B., Zhang, J.L., Yun, H.Q., Jin, Z., Zhong, Y.H.

المصدر: Microelectronics Journal ; volume 148, page 106181 ; ISSN 0026-2692

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2024.106181
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0026269224000934?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0026269224000934?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Song, Y.Z., Yang, M.J., Yuan, J., Han, X.L.

المصدر: International Journal of Electrochemical Science ; volume 11, issue 11, page 9030-9040 ; ISSN 1452-3981

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.20964/2016.11.20
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S1452398123177923?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S1452398123177923?httpAccept=text/plain
http://www.electrochemsci.org/papers/vol11/111109030.pdf

المؤلفون: Clement, N., Han, X.L., Larrieu, Guilhem

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)

المصدر: ISSN: 0003-6951.

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

Relation: hal-00922923; https://hal.science/hal-00922923; https://hal.science/hal-00922923/document; https://hal.science/hal-00922923/file/Clement_2013_1.4858955.pdf

الاتاحة: https://hal.science/hal-00922923
https://hal.science/hal-00922923/document
https://hal.science/hal-00922923/file/Clement_2013_1.4858955.pdf
https://doi.org/10.1063/1.4858955

المؤلفون: Han, X.L., Larrieu, G., Fazzini, Pier-Francesco, Dubois, Emmanuel

المساهمون: Microélectronique Silicium - IEMN (MICROELEC SI - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

المصدر: ISSN: 0167-9317.

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

Relation: hal-00795901; https://hal.science/hal-00795901; https://hal.science/hal-00795901v1/document; https://hal.science/hal-00795901v1/file/2011-Han-MNE-Vertical-Nanowires-hal.pdf

الاتاحة: https://hal.science/hal-00795901
https://hal.science/hal-00795901v1/document
https://hal.science/hal-00795901v1/file/2011-Han-MNE-Vertical-Nanowires-hal.pdf
https://doi.org/10.1016/j.mee.2010.12.102

المؤلفون: Sun, D.L., Wang, Q., Han, X.L., Xiao, J.X., Jiang, D.P.

المصدر: Procedia Engineering ; volume 10, page 42-47 ; ISSN 1877-7058

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.proeng.2011.04.010
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S1877705811001986?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S1877705811001986?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Wang, Q., Sun, D.L., Na, Y., Zhou, Y., Han, X.L., Wang, J.

المصدر: Procedia Engineering ; volume 10, page 37-41 ; ISSN 1877-7058

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.proeng.2011.04.009
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S1877705811001974?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S1877705811001974?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Han, X.L., Larrieu, G., Dubois, Emmanuel

المساهمون: Microélectronique Silicium - IEMN (MICROELEC SI - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

المصدر: ISSN: 1533-4880 ; Journal of Nanoscience and Nanotechnology ; https://hal.science/hal-00549625 ; Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2010, 10, pp.7423-7427. ⟨10.1166/jnn.2010.2841⟩.

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

Relation: hal-00549625; https://hal.science/hal-00549625; https://hal.science/hal-00549625v1/document; https://hal.science/hal-00549625v1/file/2010-Han-JNanosciNanotech-Realization-Vertical-Silicon-Nanowires-hal.pdf

الاتاحة: https://hal.science/hal-00549625
https://hal.science/hal-00549625v1/document
https://hal.science/hal-00549625v1/file/2010-Han-JNanosciNanotech-Realization-Vertical-Silicon-Nanowires-hal.pdf
https://doi.org/10.1166/jnn.2010.2841

المؤلفون: Zhong, Y.H.¹ (AUTHOR), Han, X.L.¹ (AUTHOR), Yun, H.Q.¹ (AUTHOR), Mei, B.² (AUTHOR), Su, Y.B.³ (AUTHOR), Jin, Z.³ (AUTHOR), Zhang, C.¹ (AUTHOR) czemail@zzu.edu.cn

المصدر: Microelectronics Journal. Nov2024, Vol. 153, pN.PAG-N.PAG. 1p.

مصطلحات موضوعية: *FEEDFORWARD neural networks, *ARTIFICIAL neural networks, *RECURRENT neural networks, *MODULATION-doped field-effect transistors, *RADIATION

المؤلفون: Zhang, B., Xin, W.S., Hu, P.Y., Shi, L.D., Wu, X.Z., Li, X.J., Li, X.L., Han, X.L., Wang, K.J., Yang, F., Wang, Y.N., Qiao, R.M.

المصدر: Animal; Sep2024, Vol. 18 Issue 9, pN.PAG-N.PAG, 1p

المؤلفون: Debels, H., Palmer, J., Han, X.L., Poon, C., Abberton, K., Morrison, W.

المصدر: Debels , H , Palmer , J , Han , X L , Poon , C , Abberton , K & Morrison , W 2020 , ' In vivo tissue engineering of an adipose tissue flap using fat grafts and Adipogel ' , Journal of Tissue Engineering and Regenerative Medicine , vol. 14 , no. 4 , pp. 633-644 . https://doi.org/10.1002/term.3027

مصطلحات موضوعية: adipogenesis, adipose tissue engineering, adipose tissue flap, angiogenesis, arteriovenous loop, arteriovenous loop chamber model, chamber, fat grafting, generation, growth, hydrogel, inflammation, regeneration, stromal cells, volume

الاتاحة: https://cris.maastrichtuniversity.nl/en/publications/0cf6cdbf-8cfa-4132-a935-d5f9025bd171
https://doi.org/10.1002/term.3027

المؤلفون: Wang, X., Muinonen, Karri, Han, X.L., Kwok, C.-T.

المساهمون: Chesley, S., Morbidelli, A., Jedicke, R., National Land Survey of Finland, Maanmittauslaitos

Relation: Symposium S318, Asteroids: New Observations, New Models; Proceedings of the International Astronomical Union, Symposium S318, Asteroids: New Observations, New Models; Proceedings of the International Astronomical Union; MML: 84MML16; http://hdl.handle.net/10138/224965

الاتاحة: http://hdl.handle.net/10138/224965

المؤلفون: Song, K.K., Han, X.L., Pauly, S., Qin, Y.S., Kosiba, K., Peng, C.X., Gong, J.H., Chen, P.X., Wang, L., Sarac, B., Ketov, S., Mühlbacher, M., Spieckermann, F., Kaban, I., Eckert, J.

المساهمون: National Natural Science Foundation of China, Natural Science Foundation of Shandong Province, German Science Foundation, DFG, European Research Council, Shandong University

المصدر: Materials & Design ; volume 139, page 132-140 ; ISSN 0264-1275

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.matdes.2017.11.008
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0264127517310365?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0264127517310365?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Larrieu, Guilhem, Guerfi, Youssouf, Han, X.L., Clément, N.

المساهمون: Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

المصدر: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-01898405 ; Solid-State Electronics, 2017, 130, pp.9 - 14. ⟨10.1016/j.sse.2016.12.008⟩.

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

Relation: hal-01898405; https://hal.science/hal-01898405

الاتاحة: https://hal.science/hal-01898405
https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.12.008

المؤلفون: Larrieu, G., Guerfi, Y., Han, X.L, Clement, N.

المصدر: 2015 45th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC) ; page 202-205

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/essderc.2015.7324750
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7300344/7324696/07324750.pdf?arnumber=7324750

المؤلفون: Du, Z.W., Han, X.L., Li, T., Liu, E.K., Ma, X.D., Xiong, J.C., Wu, G.H.

المساهمون: Natural Science Foundation of China, Chinese Ministry of Science and Technology

المصدر: Journal of Alloys and Compounds ; volume 657, page 443-449 ; ISSN 0925-8388

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.10.111
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0925838815313682?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0925838815313682?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Qin, Y.S., Shi, Y., Han, X.L., Song, K.K., Cao, C.D., Li, X.L., Wang, S.H., He, J., Wang, L., Kaban, I., Eckert, J.

المساهمون: National Natural Science Foundation of China, German Science Foundation, European Research Council, Fundamental Research Funds of Shandong University, Young Scholars Program of Shandong University, Weihai

المصدر: Materials Today Communications ; volume 8, page 64-71 ; ISSN 2352-4928

الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.mtcomm.2016.06.001
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S2352492816300563?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S2352492816300563?httpAccept=text/plain

المؤلفون: Wang, X., Muinonen, Karri, Han, X.L., Kwok, C.-T.

المساهمون: Chesley, S., Morbidelli, A., Jedicke, R., National Land Survey of Finland, Maanmittauslaitos

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1593::8cb5f3bdb285c7a77807f67c14f2f59f
http://hdl.handle.net/10138/224965

المؤلفون: Han, X.L.

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

المصدر: Journées Nationales sur les Technologies Emergentes en Micro-Nanofabrication, JNTE 2013 ; https://hal.science/hal-00878797 ; Journées Nationales sur les Technologies Emergentes en Micro-Nanofabrication, JNTE 2013, 2013, Evian, France

جغرافية الموضوع: Evian, France

Relation: hal-00878797; https://hal.science/hal-00878797

الاتاحة: https://hal.science/hal-00878797

المؤلفون: Han, X.L., PERUCH, S., Blary, K., WURTZ, G., ZAYATS, A., Akalin, T.

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

المصدر: 39th International Conference on Micro and Nano Engineering, MNE 2013
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00878925
39th International Conference on Micro and Nano Engineering, MNE 2013, 2013, London, United Kingdom

جغرافية الموضوع: London, United Kingdom

Relation: hal-00878925; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00878925

الاتاحة: https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00878925