-
1Academic Journal
المؤلفون: A. V. Leonov, V. N. Murashev, D. N. Ivanov, V. D. Kirilov, А. В. Леонов, В. Н. Мурашев, Д. Н. Иванов, В. Д. Кирилов
المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 24, № 1 (2021); 57-62 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 24, № 1 (2021); 57-62 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2021-1
مصطلحات موضوعية: магнитное поле, transistor, Hall field sensor, magnetic field sensor, кремний на изоляторе, полевой датчик Холла, зарядовая связь
وصف الملف: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/432/333; Huijsing J. H. Smart Sensor System: Why? Where? Now? // In: Smart Sensor System. Ed by G. C. M. Meijer. John Wiley & Sons, Ltd, 2008. P. 1—21. DOI:10.1002/9780470866931.ch1; Magnetic field sensor market will be worth $2.9 billion by 2020. URL: https://intelligencecommunitynews.com/magnetic-field-sensor-market-will-be-worth-2-9-billion-by-2020-says-report/; Magnetic Sensors Market Analysis By Technology. 2016. URL: http://www.grandviewresearch.com/industry-analysis/magnetic-sensors-market; Бараночников М. Л. Микромагнитоэлектроника. Т. 1. М.: ДМК Пресс, 2016. 544 с.; Войтович И. Д., Корсунский В. М. Интеллектуальные сенсоры. М.: Изд-во Интуит, Бином. Лаборатория знаний, 2009. 626 с.; Мордкович В. Н. Структуры «кремний на изоляторе» перспективный материал микроэлектроники // Материалы электронной техники. 1998. № 2. С. 4—7.; Colinge J.-P. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI. Boston: Springer, 2004, 366 p. (pp. 157—159). DOI:10.1007/978-1-4419-9106-5; Naumova O. V., Fomin B. I., Safronov L. N., Nasimov D. A., Ilnitskii M. A., Dudchenko N. V., Devyatova S. F., Zhanaev E. D., Popov V. P., Latyshev A. V., Aseev A. L. Silicon nanowire transistors for electron biosensors // Optoelectron. Instrument. Proc. 2009. V. 54, N 4. P. 287—291. DOI:10.3103/S8756699009040013; Naumova O. V., Fomin B. I., Nasimov D. A., Dudchenko N. V., Devyatova S. F., Zhanaev E. D., Popov V. P., Latyshev A. V., Aseev A. L., Ivanov Yu. D., Archakov A. I. SOI nanowires as sensors for charge detection // Semocond. Sci. Technol. 2010. V. 25, N 5. P. 055004. DOI:10.1088/0268-1242/25/5/055004; Elfström N., Juhasz R., Sychugov I., Engfeldt T., Karlström A. E., Linnros J. Surface charge sensitivity of silicon nanowires: size dependence // Nano Lett. 2007. V. 7. N 9. P. 2608—2612. DOI:10.1021/nl0709017; Lim H. K., Fossum J. G. Threshold voltage of thin-film Silicon-on-insulator (SOI) MOSFET’s // IEEE Transactions on Electron Devices. 1983. V. 30, Iss. 10. P. 1244—1251. DOI:10.1109/T-ED.1983.21282; Celler G. K. Frontiers of silicon-on-insulator // J. Appl. Phys. 2003. V. 93, Iss. 9. P. 4955. DOI:10.1063/1.1558223; Rudenko T., Nazarov A., Kilchytska V., Flandre D., Popov V., Ilnitsky M., Lysenko V. Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs // Semicond. Physics, Quant. Electron & Optoelectron. 2013. V. 16, N 3. P. 300—309. URL: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_3_15; Попов В. П., Ильницкий М. А., Наумова О. В., Назаров А. Н. Квантовые поправки для пороговых напряжений полностью обедняемых КНИ-транзисторов с двумя независимыми затворами // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, № 10. С. 1348—1353.; Мордкович В. Н., Бараночников М. Л., Леонов А. В., Мокрушин А. Д., Омельяновская Н. М., Пажин Д. М. Полевой датчик холла — новый тип преобразователя магнитного поля // Датчики и системы. 2003. Вып. 7. С. 33—38.; Мокрушин А. Д., Омельяновская Н. М., Леонов А. В., Мордкович В. Н., Пажин Д. М. Радиационные эффекты в КНИ магниточувствительных элементах при различных условиях облучения // В сб.: «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000». М.: СПЭЛС, 2000. Т. 3. С. 38—42.; Леонов А. В., Малых А. А., Мордкович В. Н., Павлюк М. И. Многоканальные и многофукциональные датчики физических воздействий с частотным выходом на основе универсального полевого транзисторного чувствительного элемента со структурой «кремний на изоляторе» // Приборы и техника эксперимента. 2018. № 2. С 132—138. DOI:10.7868/S0032816218010329; Наумова О. В., Зайцева Э. Г., Фомин Б. И., Ильницкий М. А., Попов В. П. Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, № 10. C 1360—1365. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/42306; Popovich R. S. Hall Effect Devices. Bristol (Philadelphia): IOP Publishing Ltd, 2004. 419 p.; Зи С. Физика полупроводниковых приборов. M.: Мир, 1984. Т. 2. 453 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/432