المؤلفون: Fady Abouzeid, Jean-Christophe Lafont, Sebastien Haendler, David Turgis, Anis Feki, Bruno Allard, Faress Tissafi Drissi

المساهمون: ESC de Sfax, Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), STMicroelectronics

المصدر: Solid-State Electronics
Solid-State Electronics, Elsevier, 2015, 106, pp.1-11. ⟨10.1016/j.sse.2014.11.018⟩

مصطلحات موضوعية: Computer science, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY, 02 engineering and technology, Sub threshold Design, 01 natural sciences, Hardware_GENERAL, Robustness (computer science), 0103 physical sciences, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Materials Chemistry, Electronic engineering, Static random-access memory, Electrical and Electronic Engineering, Operating voltage, Leakage (electronics), 010302 applied physics, Bit cell, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, 020208 electrical & electronic engineering, Half selected bit cells, SRAM, Condensed Matter Physics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, CMOS, Sub threshold, XY selection, Leakage, Voltage

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::dee3287a8ea67d52f6d79283062b1050
https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.11.018