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1Conference
المؤلفون: Medjdoub, F, Carlin, J.-F, Alomari, M, Gonschorek, M, Feltin, E, Py, M, A, Gaquière, Christophe, Grandjean, N, Kohn, E
المساهمون: University of Ulm (UUlm), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)
المصدر: Device Research Conference ; https://hal.science/hal-03281290 ; Device Research Conference, Jun 2008, Santa barbara, United States
مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]
جغرافية الموضوع: Santa barbara, United States
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2Conference
المؤلفون: Medjdoub, F, Alomari, M, Carlin, J.-F, Gonschorek, M, Feltin, E, Py, M, Grandjean, N, Kohn, E
المساهمون: University of Ulm (UUlm), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)
المصدر: International Semiconductor Device Research Symposium ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281354 ; International Semiconductor Device Research Symposium, Dec 2007, Maryland, United States
مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]
جغرافية الموضوع: Maryland, United States
Relation: hal-03281354; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281354; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281354/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281354/file/Medjdoub%20ISDRS.pdf
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3Conference
المؤلفون: Medjdoub, F, Ducatteau, D., Gaquière, Christophe, Carlin, J.-F, Gonschorek, M, Feltin, E, Py, M, A, Grandjean, N, Kohn, E
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), University of Ulm (UUlm)
المصدر: European Workshop on III-Nitride Semiconductor Materials and Devices ; https://hal.science/hal-03281380 ; European Workshop on III-Nitride Semiconductor Materials and Devices, Sep 2006, Heraklion, Greece
مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]
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4Conference
المؤلفون: Medjdoub, F, Carlin, J.-F, Gonschorek, M, Feltin, E, Py, M, Grandjean, N, Kohn, E
المساهمون: University of Ulm (UUlm), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)
المصدر: 2006 Lester Eastman Conference
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281390
2006 Lester Eastman Conference, Aug 2006, Ithaca, United Statesمصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]
جغرافية الموضوع: Ithaca, United States
Relation: hal-03281390; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281390; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281390/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281390/file/F_Medjdoub_template_LEC.pdf
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5Academic Journal
المؤلفون: Medjdoub, F, Carlin, J.-F., Gonschorek, M., Feltin, E., Py, M., Grandjean, N., Kohn, E.
المساهمون: University of Ulm (UUlm), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)
المصدر: ISSN: 0129-1564 ; International Journal of High Speed Electronics and Systems ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281326 ; International Journal of High Speed Electronics and Systems, World Scientific Publishing, 2011, 17 (01), pp.91-95. ⟨10.1142/S012915640700428X⟩.
مصطلحات موضوعية: GaN HEMT, power, AlInN, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-03281326; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281326; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281326/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281326/file/IJHSES%20Medjdoub.pdf
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6Academic Journal
المؤلفون: Zhou, L, Cullen, DA, Smith, DJ, Mouti, A, Gonschorek, M, Feltin, E, Carlin, JF, Grandjean, N, McCartney, MR
المصدر: Microscopy and Microanalysis ; volume 15, issue S2, page 1048-1049 ; ISSN 1431-9276 1435-8115
مصطلحات موضوعية: Instrumentation
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7Academic Journal
المؤلفون: Medjdoub, F, Alomari, M, Carlin, J.-F, Gonschorek, M, Feltin, E, Py, M, Grandjean, N, Kohn, E
المساهمون: University of Ulm (UUlm), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)
المصدر: ISSN: 0741-3106 ; IEEE Electron Device Letters ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281203 ; IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008.
مصطلحات موضوعية: InAlN barrier, HEMT, GaN-based, scaling, Microwave devices, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-03281203; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281203; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281203/document; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281203/file/EDL%20Scaling%20InAlN%20final.pdf
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8Academic Journal
المؤلفون: Zhou, L, Cullen, Da, Smith, Dj, Mouti, A, Gonschorek, M, Feltin, E, Carlin, Jf, Grandjean, N, Mccartney, Mr
Relation: http://infoscience.epfl.ch/record/269720; https://infoscience.epfl.ch/record/269720/files/S1431927609097499.pdf
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9Academic Journal
المؤلفون: Gonschorek, M.1 marcus.gonschorek@epfl.ch, Carlin, J.-F.1, Feltin, E.2, Py, M. A.1, Grandjean, N.1
المصدر: Journal of Applied Physics. Mar2011, Vol. 109 Issue 6, p063720. 8p. 11 Graphs.
مصطلحات موضوعية: *ALUMINUM, *INDIUM, *GALLIUM nitride, *ELECTRON mobility, *HETEROSTRUCTURES
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10Academic Journal
المؤلفون: Kuzmik, J., Pozzovivo, G., Ostermaier, C., Strasser, G., Pogany, D., Gornik, E., Carlin, J.-F., Gonschorek, M., Feltin, E., Grandjean, N.
المصدر: Journal of Applied Physics; Dec2009, Vol. 106 Issue 12, p124503-124510, 7p, 10 Graphs
مصطلحات موضوعية: MODULATION-doped field-effect transistors, SEMICONDUCTORS, TRANSISTORS, ELECTRONICS, IONS
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11Academic Journal
المؤلفون: Darakchieva, V., Beckers, M., Xie, M.-Y., Hultman, L., Monemar, B., Carlin, J.-F., Feltin, E., Gonschorek, M., Grandjean, N.
المصدر: Journal of Applied Physics; May2008, Vol. 103 Issue 10, p103513, 7p, 2 Charts, 5 Graphs
مصطلحات موضوعية: SPECTROMETRY, BACKSCATTERING, SCATTERING (Physics), MATHEMATICAL decoupling, EPITAXY, CRYSTAL growth
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12Academic Journal
المؤلفون: Gonschorek, M.1, Carlin, J.-F.1, Feltin, E.1, Py, M. A.1, Grandjean, N.1, Darakchieva, V.2, Monemar, B.2, Lorenz, M.3, Ramm, G.3
المصدر: Journal of Applied Physics. May2008, Vol. 103 Issue 9, p093714. 7p. 2 Charts, 6 Graphs.
مصطلحات موضوعية: *ELECTRON gas, *PARTICLES (Nuclear physics), *INDIUM, *NUCLEAR physics, *FREE electron theory of metals
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13Conference
المؤلفون: Ostermaier, C., Pozzovivo, G., Carlin, J.-F., Basnar, B., Schrenk, W., Andrews, A. M., Douvry, Y., Gaquiere, C., De Jaeger, J.-C., Tóth, L., Pecz, B., Gonschorek, M., Feltin, E., Grandjean, N., Strasser, G., Pogany, D., Kuzmik, J., Ihm, Jisoon, Cheong, Hyeonsik
المصدر: AIP Conference Proceedings ; page 905-906 ; ISSN 0094-243X
الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1063/1.3666669
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14Electronic Resource
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15Conference
المؤلفون: Kuzmik, J., Ostermaier, Pozzovivo, G., Basnar, B., Schrenk, W., Carlin, J.-F., Gonschorek, M., Feltin, E., Grandjean, N., Douvry, Y., Gaquiere, Ch., De Jaeger, J.-C., Strasser, G., Pogany, D., Gornik, E.
المصدر: The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ; page 163-166
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16Academic Journal
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17Conference
المؤلفون: Kohn, E., Alomari, M., Denisenko, A., Dipalo, M., Maier, D., Medjdoub, F, Pietzka, C., Delage, S., Di Forte-Poisson, M.A., Morvan, E., Sarazin, N., Jacquet, J.C., Dua, C., Carlin, J.F., Grandjean, N., Py, M., Gonschorek, M., Kuzmik, J., Pogany, D., Pozzovivo, G., Ostermaier, C., Toth, L., Pecz, B., de Jaeger, Jean-Claude, Gaquière, Christophe, Cico, K., Fröhlich, K., Kermaidis, A., Iliopoulos, E., Konstantinidis, G., Giessen, C., Heuken, M., Schineller, B.
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: Proceedings of the 2009 International Electron Devices Meeting, IEDM 2009 ; International Electron Devices Meeting, IEDM 2009 ; https://hal.science/hal-00474463 ; International Electron Devices Meeting, IEDM 2009, 2009, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/IEDM.2009.5424395⟩
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18Conference
المؤلفون: Delage, S.L., Giesen, C., Heuken, M., Schineller, B., Di Forte-Poisson, M.A., Dua, C., Jacquet, J.C., Morvan, E., Sarazin, N., Carlin, J.F., Gonschorek, M., Grandjean, N., Py, M., Georgakilas, A., Iliopoulos, E., Konstantinidis, G., Cico, K., Fröhlich, K., de Jaeger, Jean-Claude, Gaquière, Christophe, Kohn, E.
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: Proceedings of ESA/MOD Workshop on GaN Microwave Component Technologies ; ESA/MOD Workshop on GaN Microwave Component Technologies ; https://hal.science/hal-00573164 ; ESA/MOD Workshop on GaN Microwave Component Technologies, 2009, Germany. pp.66-75
الاتاحة: https://hal.science/hal-00573164
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19Conference
المؤلفون: Medjdoub, F, Alomari, M., Carlin, J.F., Gonschorek, M., Feltin, E., Py, M.A., Gaquière, Christophe, Grandjean, N., Kohn, E.
المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
المصدر: Proceedings of the 32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008 ; 32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008 ; https://hal.science/hal-00361120 ; 32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, 2008, Belgium. pp.97-98
الاتاحة: https://hal.science/hal-00361120
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20Academic Journal
المؤلفون: Butté R., Carlin J. -F., Feltin E., Gonschorek M., Nicolay S., Christmann G., Simeonov D., Castiglia A., Dorsaz J., Buehlmann H. J., Christopoulos S., Baldassarri Höger Von Högersthal, Grundy A. J. D., Mosca M., Pinquier C., Py M. A., Demangeot F., Frandon J., Lagoudakis P. G., Baumberg J. J., Grandjean N.
المساهمون: Butté R., Carlin J.-F., Feltin, E., Gonschorek, M., Nicolay, S., Christmann, G., Simeonov, D., Castiglia, A., Dorsaz, J., Buehlmann, H.J., Christopoulos, S., Baldassarri Höger Von Högersthal, G., Grundy A.J.D., Mosca, M., Pinquier, C., Py, M.A., Demangeot, F., Frandon, J., Lagoudakis, P.G., Baumberg, J.J., Grandjean, N.
مصطلحات موضوعية: MOLECULAR-BEAM EPITAXY, VAPOR-PHASE EPITAXY, DISTRIBUTED BRAGG REFLECTORS, FIELD-EFFECT TRANSISTORS, ALGAN/GAN QUANTUM-WELLS, CRYSTAL GALLIUM NITRIDE, SURFACE-EMITTING LASERS, AL1-XINXN THIN-FILMS, III-V NITRIDES, OPTICAL-PROPERTIES, Settore ING-INF/01 - Elettronica
Relation: info:eu-repo/semantics/altIdentifier/wos/WOS:000249983900017; volume:40; issue:20; firstpage:6328; lastpage:6344; numberofpages:17; journal:JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHYSICS; http://hdl.handle.net/10447/21532