المؤلفون: Bah, Micka, Valente, Damien, Lesecq, Marie, Defrance, N., Garcia Barros, Maxime, de Jaeger, Jean-Claude, Frayssinet, Eric, Comyn, Rémi, Ngo, Thi Huong, Alquier, Daniel, Cordier, Yvon

المساهمون: GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) (GREMAN - UMR 7347), Université de Tours (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UniCA), This work was supported by the technology facility network RENATECH and the French National Research Agency (ANR) through the projects ASTRID GoSiMP (ANR-16-ASTR-0006-01) and the “Investissement d’Avenir” program GaNeX (ANR-11-LABX-0014)., Renatech Network, ANR-16-ASTR-0006,GoSiMP,Optimisations combinées par l'épitaxie pour composants hyperfréquences de puissance GaN sur Silicium(2016), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)

المصدر: ISSN: 2045-2322.

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI]Engineering Sciences [physics]

Relation: hal-02929022; https://hal.science/hal-02929022; https://hal.science/hal-02929022/document; https://hal.science/hal-02929022/file/Bah_et_al-2020-Scientific_Reports.pdf

الاتاحة: https://hal.science/hal-02929022
https://hal.science/hal-02929022/document
https://hal.science/hal-02929022/file/Bah_et_al-2020-Scientific_Reports.pdf
https://doi.org/10.1038/s41598-020-71064-0

المؤلفون: Frayssinet, Eric, Nguyen, Luan, Lesecq, Marie, Defrance, N., Garcia Barros, Maxime, Comyn, Rémi, Ngo, Thi Huong, Zielinski, Marcin, Portail, Marc, de Jaeger, Jean-Claude, Cordier, Yvon

المساهمون: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UniCA), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Photonique Quantique et Moléculaire (LPQM), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), RENATECH, French National Research Agency. Grant Numbers: ANR-16-ASTR-0006-01, ANR-11-LABX-0014, Renatech Network, ANR-16-ASMA-0006,RAFQO 2016,Réseau Actif de Formateurs Quasi-Optiques(2016), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)

المصدر: ISSN: 0031-8965.

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI]Engineering Sciences [physics]

Relation: hal-02929058; https://hal.science/hal-02929058; https://hal.science/hal-02929058/document; https://hal.science/hal-02929058/file/Frayssinet_et_al-2020-physica_status_solidi_%28a%29.pdf; WOS: 000509543600001

الاتاحة: https://hal.science/hal-02929058
https://hal.science/hal-02929058/document
https://hal.science/hal-02929058/file/Frayssinet_et_al-2020-physica_status_solidi_%28a%29.pdf
https://doi.org/10.1002/pssa.201900760

المؤلفون: Posseme, Nicolas, Garcia-Barros, Maxime, Leverd, François, Benoit, Daniel, Pollet, Olivier, Audoit, Guillaume, Guedj, Cyril, Jannaud, Audrey, Barnola, S.

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics Crolles (ST-CROLLES), Département Plate-Forme Technologique (DPFT), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), SERMA Technologies

المصدر: ISSN: 0734-211X.

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

Relation: cea-02185184; https://cea.hal.science/cea-02185184; https://cea.hal.science/cea-02185184/document; https://cea.hal.science/cea-02185184/file/posseme2018.pdf

الاتاحة: https://cea.hal.science/cea-02185184
https://cea.hal.science/cea-02185184/document
https://cea.hal.science/cea-02185184/file/posseme2018.pdf
https://doi.org/10.1116/1.5038617

المؤلفون: Bah, Micka, Valente, Damien, Lesecq, Marie, Defrance, Nicolas, Garcia barros, Maxime, De Jaeger, Jean-Claude, Frayssinet, Eric, Comyn, Rémi, Ngo, Thi Huong, Alquier, Daniel, Cordier, Yvon

المساهمون: GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) (GREMAN - UMR 7347), Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Tours (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), This work was supported by the technology facility network RENATECH and the French National Research Agency (ANR) through the projects ASTRID GoSiMP (ANR-16-ASTR-0006-01) and the 'Investissement d’Avenir' program GaNeX (ANR-11-LABX-0014)., Renatech Network, ANR-16-ASTR-0006,GoSiMP,Optimisations combinées par l'épitaxie pour composants hyperfréquences de puissance GaN sur Silicium(2016), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011), Université de Tours (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Centre Val de Loire (INSA CVL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Tours-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: Scientific Reports
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 2020, 10 (1), pp.14166. ⟨10.1038/s41598-020-71064-0⟩
Scientific Reports, 2020, 10 (1), pp.14166. ⟨10.1038/s41598-020-71064-0⟩

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ea53bde9a96cd8b2fe3e4812f82e32b3
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02929022/document

المؤلفون: Frayssinet, Eric, Nguyen, Luan, Lesecq, Marie, Defrance, N., Garcia Barros, Maxime, Comyn, Rémi, Ngo, Thi Huong, Zielinski, Marcin, Portail, Marc, de Jaeger, Jean-Claude, Cordier, Yvon

المساهمون: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UniCA), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Photonique Quantique et Moléculaire (LPQM), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), RENATECH, French National Research Agency. Grant Numbers: ANR-16-ASTR-0006-01, ANR-11-LABX-0014, Renatech Network, ANR-16-ASMA-0006,RAFQO 2016,Réseau Actif de Formateurs Quasi-Optiques(2016), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)

المصدر: 43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019
https://hal.science/hal-04038786
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, Cabourg, France

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI]Engineering Sciences [physics]

جغرافية الموضوع: Cabourg, France

Relation: hal-04038786; https://hal.science/hal-04038786

الاتاحة: https://hal.science/hal-04038786

المؤلفون: Garcia barros, Maxime

Thesis Advisors: Grenoble Alpes, Possémé, Nicolas

مصطلحات موضوعية: Microélectronnique, Gravure par plasma, Espaceur, Microelectronic, Etching by plasma, Spacer, 620

الاتاحة: http://www.theses.fr/2018GREAT028/document

المؤلفون: Garcia Barros, Maxime

المساهمون: STAR, ABES, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université Grenoble Alpes, Nicolas Possémé

المصدر: Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT028⟩

مصطلحات موضوعية: Etching by plasma, Spacer, Espaceur, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Microélectronnique, Gravure par plasma, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Microelectronic

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::6bcdf4fe9195ad9031a7a3f9de123880
https://theses.hal.science/tel-01881670

المؤلفون: Possémé, Nicolas, Garcia-Barros, Maxime, Arvet, Christian, Pollet, Olivier, Leverd, François, Barnola, Sébastien

المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; May2020, Vol. 38 Issue 3, p1-7, 7p

مصطلحات موضوعية: SILICON nitride, X-ray photoelectron spectroscopy, SILICON films, SILICON, PLASMA etching, PLASMA density

المؤلفون: Garcia Barros, Maxime

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 ), Université Grenoble Alpes, Nicolas Possémé

المصدر: https://theses.hal.science/tel-01881670 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT028⟩.

مصطلحات موضوعية: Microelectronic, Etching by plasma, Spacer, Microélectronnique, Gravure par plasma, Espaceur, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

Relation: NNT: 2018GREAT028

الاتاحة: https://theses.hal.science/tel-01881670
https://theses.hal.science/tel-01881670v1/document
https://theses.hal.science/tel-01881670v1/file/GARCIA_BARROS_2018_diffusion.pdf

المؤلفون: Garcia barros, Maxime

المساهمون: Université Grenoble Alpes (ComUE), Possémé, Nicolas

مصطلحات موضوعية: Microélectronnique, Gravure par plasma, Espaceur, Microelectronic, Etching by plasma, Spacer

Time: 620

Relation: http://www.theses.fr/2018GREAT028/document

الاتاحة: http://www.theses.fr/2018GREAT028/document

المؤلفون: Pollet, Olivier, Possémé, Nicolas, Ah-Leung, Vincent, Garcia Barros, Maxime

المصدر: Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; September 2016, Vol. 255 Issue: 1 p69-74, 6p

المؤلفون: Bah, Micka, Valente, Damien, Lesecq, Marie, Defrance, Nicolas, Garcia Barros, Maxime, De Jaeger, Jean-Claude, Frayssinet, Eric, Comyn, Rémi, Ngo, Thi Huong, Alquier, Daniel, Cordier, Yvon

المصدر: Scientific Reports; 8/25/2020, Vol. 10 Issue 1, pN.PAG-N.PAG, 1p

مصطلحات موضوعية: NUCLEATION, DOPING agents (Chemistry), ALUMINUM nitride, GALLIUM nitride, SCANNING capacitance microscopy