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المؤلفون: Thi Huong Ngo, Rémi Comyn, Sébastien Chenot, Julien Brault, Maud Nemoz, Philippe Vennéguès, Benjamin Damilano, Stéphane Vézian, Eric Frayssinet, Flavien Cozette, Nicolas Defrance, François Lecourt, Nathalie Labat, Hassan Maher, Yvon Cordier
المساهمون: Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Université Côte d'Azur (UCA), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), OMMIC, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), This work was supported by French technology facility network RENATECH and the French National Research Agency (ANR) through the projects ED-GaN (ANR-16-CE24-0026) and the 'Investissements d’Avenir' program GaNeX (ANR-11-LABX-0014)., Renatech Network, CMNF, ANR-16-CE24-0026,ED-GaN,Co-intégration des transistors GaN à enrichissement et à déplétion pour les circuits de communication RF de la prochaine génération(2016), ANR-11-LABX-0014,GANEX,Réseau national sur GaN(2011)
المصدر: Journal of Crystal Growth
Journal of Crystal Growth, 2022, 593, pp.126779. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2022.126779⟩مصطلحات موضوعية: Inorganic Chemistry, Selective sublimation, [SPI]Engineering Sciences [physics], Local area epitaxy, High electron mobility transistors, Group III-nitrides, Materials Chemistry, Condensed Matter Physics