المؤلفون: Fjer, M., Persson, Stefan, Escobedo-Cousin, E., O'Neill, A. G.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. 58(12):4196-4203

مصطلحات موضوعية: 1/f noise, Defect, low frequency noise, strain-relaxed buffer (SRB), strained Si heterojunction bipolar transistors (HBTs), strained silicon

وصف الملف: print

URL الوصول: https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:miun:diva-15300

المؤلفون: Persson, Stefan, Fjer, M, Escobedo-Cousin, E, Olsen, S H, Malm, BG, Wang, YB, Hellström, PE, Ostling, M, O´Neill, AG

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices. 57(6):1243-1252

مصطلحات موضوعية: Band-gap engineering, BiCOMS integration, stained-Si heterojunction bipolar transistor (HBT), TECHNOLOGY, Electrical engineering, electronics and photonics, TEKNIKVETENSKAP, Elektroteknik, elektronik och fotonik

وصف الملف: print

URL الوصول: https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:miun:diva-11628

المؤلفون: Persson, S., Fjer, M., Escobedo-Cousin, E., Malm, Gunnar, Wang, Yongbin, Hellström, Per-Erik, Östling, Mikael, Parker, E. H. C., Nash, L. J., Majhi, P., Olsen, S. H., O'Neill, A. G.

المصدر: IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2008, TECHNICAL DIGEST International Electron Devices Meeting. :735-738

وصف الملف: print

URL الوصول: https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-92174

المؤلفون: Fjer, M., Persson, S., Escobedo-Cousin, E., OrNeill, A.G.

المصدر: 2011 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC); 2011, p271-274, 4p

المؤلفون: Fjer, Mouhsine

مصطلحات موضوعية: 621.3815282

الاتاحة: http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.556030