-
1Academic Journal
المؤلفون: Korolevych, L. M., Borisov, A. V., Voronko, A. O.
مصطلحات موضوعية: MIS structure, cerium dioxide, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), flat-band voltage, charge density at the dielectric-semiconductor interface, МДН структура, дiоксид церiю, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), напруга плоских зон, щiльнiсть заряду на межi подiлу дiелектрикнапiвпровiдник, МДП структура, диоксид церия, вольт-фарадная характеристика (ВФХ), напряжение плоских зон, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник, 621.382
وصف الملف: Pp. 69-74; application/pdf
Relation: Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 85; Korolevych, L. M. The Experimental Study of the Cerium Dioxide Silicon Interface of MIS Structures / Korolevych L. M., Borisov A. V., Voronko A. O. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2021. – Вип. 85. – С. 69-74. – Бібліогр.: 17 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56109; orcid:0000-0002-4006-280X; orcid:0000-0003-4553-3591; orcid:0000-0003-2899-963X
-
2Academic Journal
المؤلفون: Korolevych, L. M., Borisov, A. V., Voronko , A. O.
المصدر: Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 85 (2021); 69-74 ; Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 85 (2021); 69-74 ; Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 85 (2021); 69-74 ; 2310-0389 ; 2310-0397 ; 10.20535/RADAP.2021.85
مصطلحات موضوعية: МДН структура, діоксид церію, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), напруга плоских зон, щільність заряду на межі поділу діелектрик-напівпровідник, MIS structure, cerium dioxide, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), flat-band voltage, charge density at the dielectric-semiconductor interface, МДП структура, диоксид церия, вольт-фарадная характеристика (ВФХ), напряжение плоских зон, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник
وصف الملف: application/pdf
Relation: http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1722/1488; http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1722
-
3Academic JournalInterface Modification of Dntt-Based Organic Field Effect Transistors Using Boronic Acid Derivatives
المؤلفون: Nicolas, Yohann, Alıç, Tuğbahan Yılmaz, Ablat, Abduleziz, Kyndiah, Adrica, Abbas, Mamatimin, Can, Mustafa, Kuş, Mahmut
مصطلحات موضوعية: Boronic Acid Derivatives, Dielectric/Semiconductor Interface, Organic Field Effect Transistor, Phenylboronic Acid, Monolayers
Relation: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS; Makale - Uluslararası Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı; https://hdl.handle.net/20.500.13091/90; 53; WOS:000526829200008; Q1
-
4Academic Journal
المؤلفون: Shijiao Han, Xin Yang, Xinming Zhuang, Junsheng Yu, Lu Li
المصدر: Materials; Volume 9; Issue 7; Pages: 545
مصطلحات موضوعية: organic field-effect transistors (OFETs), dielectric/semiconductor interface, polar dielectric material, hydroxyl group
وصف الملف: application/pdf
Relation: https://dx.doi.org/10.3390/ma9070545
الاتاحة: https://doi.org/10.3390/ma9070545
-
5
المؤلفون: Korolevych, L. M., Borisov, A. V., Voronko, A. O.
مصطلحات موضوعية: MIS structure, дiоксид церiю, flat-band voltage, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), напряжение плоских зон, напруга плоских зон, МДН структура, щiльнiсть заряду на межi подiлу дiелектрикнапiвпровiдник, МДП структура, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), вольт-фарадная характеристика (ВФХ), cerium dioxide, charge density at the dielectric-semiconductor interface, диоксид церия, 621.382, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник
وصف الملف: application/pdf
-
6Interface Modification Of Dntt-Based Organic Field Effect Transistors Using Boronic Acid Derivatives
المؤلفون: Mustafa Can, Tugbahan Yilmaz Alic, Yohann Nicolas, Abduleziz Ablat, Mamatimin Abbas, Adrica Kyndiah, Mahmut Kus
المساهمون: Selcuk University, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Moléculaires (ISM), Université Montesquieu - Bordeaux 4-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-École Nationale Supérieure de Chimie et de Physique de Bordeaux (ENSCPB)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Izmir Katip Celebi University
المصدر: Journal of Physics D: Applied Physics
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2019, 53, pp.065108. ⟨10.1088/1361-6463/ab52e1⟩مصطلحات موضوعية: Materials science, Boronic acid derivatives, Acoustics and Ultrasonics, 02 engineering and technology, Dielectric, 010402 general chemistry, 01 natural sciences, Contact angle, chemistry.chemical_compound, dielectric/semiconductor interface, Thiophene, Organic field-effect transistor, business.industry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, 0104 chemical sciences, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Threshold voltage, Semiconductor, chemistry, organic field effect transistor, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Optoelectronics, Field-effect transistor, 0210 nano-technology, business, Boronic acid
-
7
المؤلفون: Xin Yang, Lu Li, Shijiao Han, Xinming Zhuang, Junsheng Yu
المصدر: Materials, Vol 9, Iss 7, p 545 (2016)
Materials; Volume 9; Issue 7; Pages: 545
Materialsمصطلحات موضوعية: Vinyl alcohol, Materials science, polar dielectric material, 02 engineering and technology, Substrate (electronics), Dielectric, 010402 general chemistry, 01 natural sciences, lcsh:Technology, Article, hydroxyl group, chemistry.chemical_compound, dielectric/semiconductor interface, General Materials Science, lcsh:Microscopy, lcsh:QC120-168.85, Organic field-effect transistor, lcsh:QH201-278.5, business.industry, lcsh:T, 021001 nanoscience & nanotechnology, organic field-effect transistors (OFETs), 0104 chemical sciences, Threshold voltage, Semiconductor, chemistry, lcsh:TA1-2040, Optoelectronics, Field-effect transistor, lcsh:Descriptive and experimental mechanics, lcsh:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, 0210 nano-technology, business, lcsh:Engineering (General). Civil engineering (General), Layer (electronics), lcsh:TK1-9971
وصف الملف: application/pdf
-
8Academic Journal
المؤلفون: Klejna, Sylwia, Elliott, Simon D.
مصطلحات موضوعية: Arsenic, Chemical vapor deposition, Chlorine compounds, Deposition, Dielectric films, Ethylene, Hafnium oxides, Ligands, Metal halides, Tantalum oxides, Chemical precursors, Chemical vapor depositions, CVD, Dielectric/semiconductor interface, High electron mobility, High-k dielectric materials, Hydrogen Cyanide, Oxide-semiconductor interfaces, ALD, Atomic layer deposition
وصف الملف: application/pdf
Relation: KLEJNA, S. & ELLIOTT, S. D. 2014. Decomposition of Metal Alkylamides, Alkyls, and Halides at Reducible Oxide Surfaces: Mechanism of ‘Clean-up’ During Atomic Layer Deposition of Dielectrics onto III–V Substrates. Chemistry of Materials, 26, 2427-2437.http://dx.doi.org/10.1021/cm403336c; 2437; Chemistry of Materials; 2427; http://hdl.handle.net/10468/2421; 26
-
9Academic Journal
المؤلفون: A. N. Nazarov, Y. V. Gomeniuk, Y. Y. Gomeniuk, V. S. Lysenko, H. D. B. Gottlob, M. Schmidt, M. C. Lemme, M. Czernohorsky, H. J. Osten
المساهمون: The Pennsylvania State University CiteSeerX Archives
مصطلحات موضوعية: high-k dielectric, dielectric-semiconductor interface. Manuscript received 29.09.08, accepted for publication 20.10.08, published online 11.11.08
وصف الملف: application/pdf
Relation: http://citeseerx.ist.psu.edu/viewdoc/summary?doi=10.1.1.581.3554; http://journal-spqeo.org.ua/n4_2008/V11n4-08-p324-328.pdf
-
10
-
11Electronic Resource
Additional Titles: Экспериментальное исследование границы раздела диоксид церия — кремний МДП структур
Експериментальне дослідження межі розділу діоксид церію — кремній МДН структурالمؤلفون: Borisov, A. V., Korolevych, L. M.
المصدر: Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 85 (2021); 69-74; Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 85 (2021); 69-74; Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 85 (2021); 69-74; 2310-0389; 2310-0397; 10.20535/RADAP.2021.85
مصطلحات الفهرس: МДН структура, діоксид церію, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), напруга плоских зон, щільність заряду на межі поділу діелектрик-напівпровідник, MIS structure, cerium dioxide, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), flat-band voltage, charge density at the dielectric-semiconductor interface, МДП структура, диоксид церия, вольт-фарадная характеристика (ВФХ), напряжение плоских зон, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion
-
12Electronic Resource
Additional Titles: Экспериментальное исследование границы раздела диоксид церия — кремний МДП структур
Експериментальне дослідження межі розділу діоксид церію — кремній МДН структурالمؤلفون: Korolevych, L. M., Borisov, A. V., Voronko , A. O.
المصدر: Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 85 (2021); 69-74; Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 85 (2021); 69-74; Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 85 (2021); 69-74; 2310-0389; 2310-0397; 10.20535/RADAP.2021.85
مصطلحات الفهرس: МДН структура, діоксид церію, вольт-фарадна характеристика (ВФХ), напруга плоских зон, щільність заряду на межі поділу діелектрик-напівпровідник, MIS structure, cerium dioxide, capacitance-voltage characteristic (CV characteristic), flat-band voltage, charge density at the dielectric-semiconductor interface, МДП структура, диоксид церия, вольт-фарадная характеристика (ВФХ), напряжение плоских зон, плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion