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1Electronic Resource
المؤلفون: González Díaz, Germán, Martín, J.M., Barbolla, J., Castán, E., Dueñas, S., Pinacho, R., Quintanilla, L.
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2Electronic Resource
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3Electronic Resource
المؤلفون: Mártil de la Plaza, Ignacio, González Díaz, Germán, García, S., Castán, E., Dueñas, S., Fernández, M.
مصطلحات الفهرس: 537, Chemical-Vapor-Deposition, Interface Control Layer, Passivation, Temperature, Sulfide, GaAs., Electricidad, Electrónica (Física), 2202.03 Electricidad, journal article
URL:
https://hdl.handle.net/20.500.14352/59300 http://scitation.aip.org/
TIC 93/0175 -
4Electronic Resource
المؤلفون: Mártil de la Plaza, Ignacio, González Díaz, Germán, García, S., Castán, E., Dueñas, S., Fernández, M.
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5Electronic Resource
المؤلفون: Mártil de la Plaza, Ignacio, González Díaz, Germán, García, S., Martín Pacheco, Jaime Miguel, Castán, E., Dueñas, S.
مصطلحات الفهرس: 537, Non-Exponential Transients, Admittance Spectroscopy, Fe, Emission, Diodes, Traps., Electricidad, Electrónica (Física), 2202.03 Electricidad, journal article
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6Academic Journal
المؤلفون: Betriu, M., Becerra, C., Garcia, S., Vidal, A., Castan, E.
المصدر: Eur Psychiatry
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7Academic Journal
المؤلفون: Mahmood, A., Cubero-Castan, E., Platzeck, G., Bequignon, J.
المصدر: eISSN: 1680-7359
وصف الملف: application/pdf
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8Academic Journal
المؤلفون: Hang, S., Castán, E., Daghero, A., Buffa, E., Ringuelet, A., Satti, P., Mazzarino, M.J., Negro, G.
المصدر: AgriScientia; Vol. 32 Núm. 1 (2015); 55-65 ; 1668-298X ; 0327-6244 ; 10.31047/1668.298x.v32.n1
وصف الملف: application/pdf
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9Conference
المؤلفون: Blanc, Nathalie, Castan, E.
المساهمون: Dynamique des capacités humaines et des conduites de santé (EPSYLON), Université Montpellier 1 (UM1)-Université Paul-Valéry - Montpellier 3 (UPVM)-Université de Montpellier (UM)
المصدر: Fifteenth Annual Meeting of the Society for Text and Discourse, Amsterdam, 6-9 juillet 2005 ; https://hal.science/hal-03076433 ; Fifteenth Annual Meeting of the Society for Text and Discourse, Amsterdam, 6-9 juillet 2005, 2005, Amsterdam, Netherlands. s.p., 2005
مصطلحات موضوعية: [SHS.PSY]Humanities and Social Sciences/Psychology
جغرافية الموضوع: Amsterdam, Netherlands
الاتاحة: https://hal.science/hal-03076433
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10Academic Journal
المؤلفون: Ramos, R. S., Avanzi, B. R., Volpato, R., Pignaton, W., Castan, E. P., Costa, F. A. A., Lopes, Maria Denise
المساهمون: Universidade Estadual Paulista (UNESP)
مصطلحات موضوعية: cadela, neoplasia mamária, estrógeno, progesterona, receptores, female dogs, mammary gland tumor, estrogen, progesterone, receptors
وصف الملف: 1471-1477
Relation: Arquivo Brasileiro de Medicina Veterinária e Zootecnia; 0.286; 0,248; http://dx.doi.org/10.1590/S0102-09352012000600010; Arquivo Brasileiro de Medicina Veterinária e Zootecnia. Universidade Federal de Minas Gerais, Escola de Veterinária, v. 64, n. 6, p. 1471-1477, 2012.; http://hdl.handle.net/11449/14520; S0102-09352012000600010; WOS:000313516000010; S0102-09352012000600010.pdf; 6666129914663018
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11Academic Journal
المؤلفون: Mahmood, A., Cubero-Castan, E., Platzeck, G., Bequignon, J.
المساهمون: Satellite Operations, Canadian Space Agency (CSA), Centre National d'Études Spatiales Toulouse (CNES), Comision Nacional de Actividades Espaciales, Agence Spatiale Européenne = European Space Agency (ESA)
المصدر: ISSN: 1680-7340.
مصطلحات موضوعية: [SDU.STU]Sciences of the Universe [physics]/Earth Sciences
Relation: hal-00328613; https://hal.science/hal-00328613; https://hal.science/hal-00328613/document; https://hal.science/hal-00328613/file/adgeo-14-13-2008.pdf
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12Academic Journal
المؤلفون: Mártil de la Plaza, Ignacio, González Díaz, Germán, García, S., Castán, E., Dueñas, S., Fernández, M.
مصطلحات موضوعية: Chemical-Vapor-Deposition, Interface Control Layer, Passivation, Temperature, Sulfide, GaAs, Electricidad, Electrónica (Física), 2202.03 Electricidad
Time: 537
وصف الملف: application/pdf
Relation: TIC 93/0175; http://dx.doi.org/10.1063/1.366647; http://scitation.aip.org/; https://hdl.handle.net/20.500.14352/59300
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13Academic Journal
المؤلفون: Mártil de la Plaza, Ignacio, González Díaz, Germán, García, S., Castán, E., Dueñas, S., Fernández, M.
مصطلحات موضوعية: Chemical-Vapor-Deposition, Silicon-Nitride Films, Level Transient Spectroscopy, Si-SiO2 Interfaces, Room-Temperature, Hydrogen Content, Plasma, Oxide, Dielectrics, Traps, Electricidad, Electrónica (Física), 2202.03 Electricidad
Time: 537
وصف الملف: application/pdf
Relation: TIC 93/0175; http://dx.doi.org/10.1063/1.366713; http://scitation.aip.org; https://hdl.handle.net/20.500.14352/59299
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14Academic Journal
المؤلفون: González Díaz, Germán, Martín, J.M., Barbolla, J., Castán, E., Dueñas, S., Pinacho, R., Quintanilla, L.
مصطلحات موضوعية: Chemical Vapor-Deposition, Transient Spectroscopy, Depth Profiles, Fe, Temperature, Silicon, Defects, Diodes, Growth, Traps, Electricidad, Electrónica (Física), 2202.03 Electricidad
Time: 537
وصف الملف: application/pdf
Relation: http://dx.doi.org/10.1063/1.364348; http://scitation.aip.org/; https://hdl.handle.net/20.500.14352/59346
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15Academic Journal
المؤلفون: Mártil de la Plaza, Ignacio, González Díaz, Germán, Barbolla, J., Castán, E., Dueñas, S., Peláez, R., Pinacho, R., Quintanilla, L.
مصطلحات موضوعية: Silicon-Nitride, Spectroscopy, Electricidad, Electrónica (Física), 2202.03 Electricidad
Time: 537
وصف الملف: application/pdf
Relation: http://dx.doi.org/10.1063/1.119658; http://scitation.aip.org; https://hdl.handle.net/20.500.14352/59302
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16Academic Journal
المؤلفون: Martil De La Plaza, Ignacio, González Díaz, Germán, García, S., Martín Pacheco, Jaime Miguel, Castán, E., Dueñas, S.
مصطلحات موضوعية: Non-Exponential Transients, Admittance Spectroscopy, Fe, Emission, Diodes, Traps, Electricidad, Electrónica (Física), 2202.03 Electricidad
Time: 537
وصف الملف: application/pdf
Relation: TIC93/175; 1) M.V. Rao, Appl. Phys. Lett., 48, 1522 (1986). 2) M.V. Rao and P E. Thompson, Appl. Phys. Lett., 50, 1444 (1987). 3) H. Shen, G. Yang, 2. Zhou, and S. Zou, Appl. Phys. Lett., 56, 463 (1990). 4) T.D. Thompson, J. Barbara, and M.C. Ridgway, J. Appl. Phys., 71, 6073 (1992). 5) J.J. Berenz, F.B. Fank, and T.L. Hierl, Electron. Lett., 14, 684 (1978). 6) C.A. Armiento, J.P. Donnelly, and S.H. Groves, Appl. Phys. Lett., 34, 229 (1979). 7) C.J. Keavney and M.B. Spitzer, Appl. Phys. Lett., 52, 1439 (1988). 8) K. Oigawa, S. Uekusa, Y. Sugiyama, and M. Tacano, Jpn. J. Appl. Phys., 25, 1902 (1986). 9) S.J. Kim, K.W. Wang, G.P. Vella-Coleiro, J.W. Lutze, Y. Ota, and G. Guth, IEEE Electron Device Lett. EDL-8, 518 (1987). 10) J.B. Boos, W. Kruppa, and B. Molnar, IEEE Electron Device Lett. EDL-10, 79 (1989). 11) A.L. Conjeaud, B. Orsal, A. Dhouib, R. Alabedra, and L. Gouskov, J. Appl. Phys., 59, 1707 (1986). 12) P. Kringhoj, Mater. Sci. Eng. B, 9, 315 (1991). 13) J.M. Martín and G. González-Díaz, Nucl. Instrum. Methods B, 88, 331 (1994). 14) J.M. Martín, S. García, E. Calle, I. Mátil, and G. González-Díaz, J. Electron. Mater., 24, 59 (1995). 15) J.M. Martín, S. García, I. Mártil, G. González-Díaz, R. Cuscó, and L. Artús, Proceedings of the First International Conference on Materials for Microelectronics (The Institute of Materials, Barcelona, 1994), p. 17. 16) S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981). 17) J.M. Martín, S. García, I. Mártil, and G. González-Díaz, (unpublished). 18) G. Vincent, A. Chantre, and D. Bois, J. Appl. Phys., 50, 5484 (1979). 19) J. Cheng, S.R. Forrest, B. Tell, D. Wilt, B. Schwartz, and P. Wright, J. Appl. Phys., 58, 1787 (1985). 20) W. Haussler and D. Romer, J. Appl. Phys., 67, 3400 (1990). 21) D.V. Lang, J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974). 22) W.R. Thurber, R.A. Forman, and W.E. Philips, J. Appl. Phys., 53, 7397 (1982). 23) P. Omling, L. Samuelson, and H.G. Grimmeiss, J. Appl. Phys., 54, 5117 (1983). 24) P.M. Mooney, T.N. Theis, and S.L. Wright, Appl. Phys. Lett., 53, 1546 (1988). 25) L. Enríquez, S. Dueñas, J. Barbolla, I. Izpura, and E. Muñoz, J. Appl. Phys., 72, 525 (1992). 26) J. Barbolla, S. Dueñas, and L. Bailon, Solid-State Electron., 35, 285 (1992). 27) D.L. Loose, Appl. Phys. Lett., 21, 54 (1972). 28) D.L. Loose, J. Appl. Phys., 46, 2204 (1975). 29) J.L. Pautrat, B. Katircioglu, N. Magnea, D. Bensahel, J. C. Pfister, and L. Revoil, Solid State Electron., 23, 1159 (1980). 30) J.K. Luo, T. Kimura, S. Yugo, and Y. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys., 26, 82 (1987). 31) E.K. Kim, H.Y. Cho, J.H. Yoon, S. Min, Y.L. Jung, and W. H. Lee, J. Appl. Phys., 68, 1665 (1990). 32) C.S. Ma, P.W. Chan, V.C. Lp, C.W. Ong, and S.P Wong, J. Electron. Mater., 23, 459 (1994). 33) K.L. Liao, A.J. Soltyka, W.A. Anderson, and A. Katz, Appl. Phys. Len., 57, 1913 (1990). 34) S.J. Pearton and A. Katz, Mater. Sci. Eng. B, 18, 153 (1993). 35) J.D. Oberstar and B.G. Streetman, Thin Solid Films, 103, 17 (1983). 36) N. Yamamoto, K. Uwai, and K. Takahei, J. Appl. Phys., 65, 3072 (1989). 37) A.A. Iliadis, S.C. Laith, and E.A. Martin, Appl. Phys. Lett., 54, 1436 (1989). 38) W. Kruppa, J.B. Boos, and T.F. Carruthers, Proceedings of the Third International Conference on InP and Related Materials (IEEE, New York, 1991), IEEE Catalog #91CH2950-4. 39) R.W. Jansen, Phys. Rev. B, 41, 7666 (1990). 40) T.D. Thompson, J. Barbara, and M.C. Ridgway, J. Appl. Phys. 71, 6073 (1992). 41) S. Dueñas, E. Castán, L. Enríquez, J. Barbolla, J. Montserrat, and E. Lora-Tamayo, Semicond. Sci. Technol., 9, 1637 (1994).; https://hdl.handle.net/20.500.14352/59307
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17Academic Journal
المؤلفون: Castán, E., Arias, J., Barbolla, J., Cabruja, E., Lora-Tamayo, E.
المصدر: Journal of Applied Physics. 3/15/1992, Vol. 71 Issue 6, p2710. 7p. 1 Diagram, 2 Charts, 7 Graphs.
مصطلحات موضوعية: *METAL oxide semiconductors, *CAPACITORS, *SILICON, *ION bombardment
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18Academic Journal
المؤلفون: Dueñas, S., Castán, E., de Dios, A., Bailón, L., Barbolla, J., Pérez, A.
المصدر: Journal of Applied Physics. 5/15/1990, Vol. 67 Issue 10, p6309. 6p. 1 Chart, 7 Graphs.
مصطلحات موضوعية: *GALLIUM arsenide, *ARSENIC compounds
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19Academic Journal
المؤلفون: Duenas, S., Pinacho, R., Castán, E., Quintanilla, L., Peláez, R., Barbolla, J.
المصدر: Journal of Applied Physics; 11/1/1997, Vol. 82 Issue 9, p4338, 8p, 2 Diagrams, 14 Graphs
مصطلحات موضوعية: DX centers (Solid state physics), DOPED semiconductors, ELECTRIC transients, ELECTRON capture
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20Academic Journal
المؤلفون: Quintanilla, L., Dueñas, S., Castán, E., Pinacho, R., Barbolla, J., Martín, J. M., González-Díaz, G.
المصدر: Journal of Applied Physics; 4/1/1997, Vol. 81 Issue 7, p3143, 8p, 16 Graphs
مصطلحات موضوعية: INDIUM phosphide, ION implantation, RAPID thermal processing