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1Conference
المؤلفون: Planson, Dominique, Sonneville, Camille, Bevilacqua, Pascal, Brosselard, Pierre, Lazar, Mihai, Scharnholz, Sigo, Vergne, Bertrand, Morel, Hervé
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Lumière, nanomatériaux et nanotechnologies (L2n), Université de Technologie de Troyes (UTT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis (ISL), DGA-Matériaux et Nanosciences Grand-Est (MNGE), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-18-CE05-0020,HV-PhotoSw,Interrupteurs à haute tension à commande optique(2018)
المصدر: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024) ; https://hal.science/hal-04680725 ; International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (NC), United States
مصطلحات موضوعية: SiC-4H, Bipolar diode, High voltage device, OBIC - Optical Beam Induced Current, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
جغرافية الموضوع: Raleigh (NC), United States
Relation: hal-04680725; https://hal.science/hal-04680725; https://hal.science/hal-04680725/document; https://hal.science/hal-04680725/file/obic.pdf
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2Conference
المؤلفون: Brosselard, Pierre, Fosso-Sob, Brenda, Planson, Dominique, Bevilacqua, Pascal, Sonneville, Camille, Lazar, Mihai, Vergne, Bertrand, Scharnholz, Sigo, Morel, Hervé
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Lumière, nanomatériaux et nanotechnologies (L2n), Université de Technologie de Troyes (UTT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Charles Delaunay (ICD), Université de Technologie de Troyes (UTT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Technologie de Troyes (UTT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Franco-Allemand de Recherche de Saint Louis, Institut de Recherches Franco-Allemand (ISL), Ministère de la Défense, ANR-18-CE05-0020,HV-PhotoSw,Interrupteurs à haute tension à commande optique(2018)
المصدر: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024) ; https://hal.science/hal-04677764 ; International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States
مصطلحات موضوعية: SiC-4H, Bipolar transistor, High voltage device, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
جغرافية الموضوع: Raleigh (North Carolina), United States
Relation: hal-04677764; https://hal.science/hal-04677764; https://hal.science/hal-04677764/document; https://hal.science/hal-04677764/file/BJT-V2.pdf
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3Conference
المؤلفون: Lambert, Adrien, Morel, Hervé, Planson, Dominique, Phung, Luong Viêt, Tournier, Dominique, Bevilacqua, Pascal, Guillot, Laurent
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), STMicroelectronics
المصدر: PCIM Europe 2024 ; https://hal.science/hal-04626451 ; PCIM Europe 2024, Jun 2024, Nuremberg, Germany
مصطلحات موضوعية: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-04626451; https://hal.science/hal-04626451; https://hal.science/hal-04626451/document; https://hal.science/hal-04626451/file/PCIM2024_Manuscript.pdf
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4Academic Journal
المؤلفون: Aviñó-Salvadó, Oriol, Buttay, Cyril, Bonet, Ferran, Raynaud, Christophe, Bevilacqua, Pascal, Rebollo, Jose, Morel, Hervé, Perpiñà, Xavier
المساهمون: AEI, H2020-ECSEL, Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca, IMB-CNM
المصدر: IEEE Transactions on Industrial Electronics ; volume 71, issue 5, page 5285-5295 ; ISSN 0278-0046 1557-9948
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5Academic Journal
المؤلفون: Brosselard, Pierre, Planson, Dominique, Tournier, Dominique, Bevilacqua, Pascal, Sonneville, Camille, Phung, Luong Viêt, Lazar, Mihai, Vergne, Bertrand, Scharnholz, Sigo, Morel, Hervé
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Lumière, nanomatériaux et nanotechnologies (L2n), Université de Technologie de Troyes (UTT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis (ISL), DGA-Matériaux et Nanosciences Grand-Est (MNGE), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-18-CE05-0020,HV-PhotoSw,Interrupteurs à haute tension à commande optique(2018)
المصدر: ISSN: 1012-0394.
مصطلحات موضوعية: 4H-SiC, Bipolar junction transistor, optical triggering, High voltage device, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-04677726; https://hal.science/hal-04677726; https://hal.science/hal-04677726/document; https://hal.science/hal-04677726/file/BJT-Optique-Version_finale.pdf
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6Academic Journal
المؤلفون: Planson, Dominique, Tournier, Dominique, Bevilacqua, Pascal, Sonneville, Camille, Brosselard, Pierre, Moulin, Gabrielle, Phung, Luong Viêt, Godignon, Philippe
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Centro Nacional de Microelectronica Spain (CNM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
المصدر: ISSN: 1012-0394.
مصطلحات موضوعية: 4H-SiC Schottky diode, electro-physical characterisation, periphery protection, OBIC, High voltage device, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-04677706; https://hal.science/hal-04677706; https://hal.science/hal-04677706/document; https://hal.science/hal-04677706/file/SSP.360.119.pdf
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7Conference
المؤلفون: Brosselard, Pierre, Planson, Dominique, Tournier, D., Bevilacqua, Pascal, Sonneville, Camille, Phung, Luong Viêt, Lazar, Mihai, Vergne, Bertrand, Scharnholz, Sigo, Morel, Hervé
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Lumière, nanomatériaux et nanotechnologies (L2n), Université de Technologie de Troyes (UTT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut franco-allemand de recherches de Saint-Louis (ISL), DGA-Matériaux et Nanosciences Grand-Est (MNGE), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
المصدر: ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ; https://hal.science/hal-04222211 ; ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy ; https://icscrm-2023.org/
مصطلحات موضوعية: 4H-SiC, Bipolar junction transistor, optical triggering, High voltage device, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-04222211; https://hal.science/hal-04222211; https://hal.science/hal-04222211/document; https://hal.science/hal-04222211/file/ICSCRM_2023_paper_5661.pdf
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8Conference
المؤلفون: Planson, Dominique, Tournier, D., Bevilacqua, Pascal, Sonneville, Camille, Brosselard, Pierre, Moulin, Gabrielle, Phung, Luong Viêt, Godignon, Philippe
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Centro Nacional de Microelectronica Spain (CNM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
المصدر: ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ; https://hal.science/hal-04218429 ; ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy ; https://icscrm-2023.org/
مصطلحات موضوعية: 4H-SiC Schottky diode, electro-physical characterisation, periphery protection, OBIC, High voltage device, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-04218429; https://hal.science/hal-04218429; https://hal.science/hal-04218429/document; https://hal.science/hal-04218429/file/ICSCRM_2023_paper_5430.pdf
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9Conference
المؤلفون: Morel, Hervé, Alam, Maroun, Bevilacqua, Pascal, Tournier, D., Planson, Dominique
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)
المصدر: Symposium on Advanced Technologies in Electrical Systems (SATES 2023) ; https://hal.science/hal-04224402 ; Symposium on Advanced Technologies in Electrical Systems (SATES 2023), Mar 2023, Arras, France
مصطلحات موضوعية: Wide Band-Gap, Power Semiconductor Devices, Power Electronics, Reliability, Robustness, Design, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-04224402; https://hal.science/hal-04224402; https://hal.science/hal-04224402/document; https://hal.science/hal-04224402/file/SATES23-WBG_final.pdf
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10Conference
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), IMT Bucharest
المصدر: International Semiconductor Conference (CAS-2023) ; https://hal.science/hal-04238355 ; International Semiconductor Conference (CAS-2023), IMT Bucharest, Oct 2023, Sinaia, Romania. pp.3-10, ⟨10.1109/CAS59036.2023.10303647⟩
مصطلحات موضوعية: optical device characterization, power devices, high voltage device, periphery protection, Silicon Carbide, OBIC, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-04238355; https://hal.science/hal-04238355; https://hal.science/hal-04238355/document; https://hal.science/hal-04238355/file/obic_planson.pdf
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11Academic Journal
المؤلفون: Linge, Pangsui, Usifu, Gerges, Tony, Bevilacqua, Pascal, Duchamp, Jean-Marc, Benech, Philippe, Verdier, Jacques, Lombard, Philippe, Cabrera, Michel, Tsafack, Pierre, Mieyeville, Fabien, Allard, Bruno
المساهمون: Ampère, Département Bioingénierie (BioIng), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Ampère, Département Energie Electrique (EE), Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP), Université Grenoble Alpes (UGA), University of Buéa
المصدر: ISSN: 2079-9268 ; Journal of Low Power Electronics and Applications ; https://hal.science/hal-04287495 ; Journal of Low Power Electronics and Applications, 2023, 13 (2), pp.34. ⟨10.3390/jlpea13020034⟩.
مصطلحات موضوعية: additive manufacturing 3D printing plastronics polylactic acid polymer radio frequency rectenna two transmission line method, additive manufacturing, 3D printing, plastronics, polylactic acid polymer, radio frequency, rectenna, two transmission line method, [SPI]Engineering Sciences [physics]
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12Academic Journal
المؤلفون: Nguyen, Xuan, Viet Linh, Gerges, Tony, Bevilacqua, Pascal, Duchamp, Jean-Marc, Benech, Philippe, Verdier, Jacques, Lombard, Philippe, Linge, Pangsui, Usifu, Mieyeville, Fabien, Cabrera, Michel, Allard, Bruno
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), IPCEI Nano 2022—INCA.
المصدر: ISSN: 2079-9268 ; Journal of Low Power Electronics and Applications ; https://hal.science/hal-04287524 ; Journal of Low Power Electronics and Applications, 2023, 13 (1), pp.19. ⟨10.3390/jlpea13010019⟩.
مصطلحات موضوعية: energy harvesting 3D Plastronics radio frequency array of antenna stereolithography electroless deposition, energy harvesting, 3D Plastronics, radio frequency, array of antenna, stereolithography, electroless deposition, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-04287524; https://hal.science/hal-04287524; https://hal.science/hal-04287524/document; https://hal.science/hal-04287524/file/jlpea-13-00019-v2-8.pdf
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13Academic Journal
المؤلفون: Rochefort, Claire, Venet, Pascal, Clerc, Guy, Sari, Ali, Mitova, Radoslava, Wang, Miao-Xin, Bevilacqua, Pascal, Zitouni, Younes
المصدر: Microelectronics Reliability ; volume 150, page 115174 ; ISSN 0026-2714
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14Academic Journal
المؤلفون: Foray, Etienne, Martin, Christian, Allard, Bruno, Bevilacqua, Pascal
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)
المصدر: ISSN: 2168-6777 ; IEEE J. Emerg. Sel. Topics Power Electron. ; https://hal.science/hal-03976218 ; IEEE J. Emerg. Sel. Topics Power Electron., 2022, 10 (6), pp.6929-6937. ⟨10.1109/JESTPE.2022.3144281⟩.
مصطلحات موضوعية: DC-DC converter(s) High-frequency transformer Zero voltage switching High-efficiency, DC-DC converter(s), High-frequency transformer, Zero voltage switching, High-efficiency, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-03976218; https://hal.science/hal-03976218; https://hal.science/hal-03976218/document; https://hal.science/hal-03976218/file/jnrl_article_jestpe_final.pdf
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15Academic Journal
المؤلفون: Planson, Dominique, Sonneville, Camille, Bevilacqua, Pascal, Phung, Luong Viêt, V, Asllani, Besar, Tournier, Dominique, Brosselard, Pierre
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), CALY Technologies
المصدر: ISSN: 0255-5476.
مصطلحات موضوعية: periphery protection, electro-physical characterisation, high voltage device, 4H-SiC bipolar diode, OBIC, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-03689424; https://hal.science/hal-03689424; https://hal.science/hal-03689424/document; https://hal.science/hal-03689424/file/micro_obic.pdf
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16Conference
المؤلفون: Foray, Etienne, Martin, Christian, Allard, Bruno, Bevilacqua, Pascal
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)
المصدر: Symposium de Génie Electrique ; https://hal.science/hal-03976213 ; Symposium de Génie Electrique, Jul 2021, Nantes (France), France
مصطلحات موضوعية: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
جغرافية الموضوع: France
Time: Nantes (France), France
Relation: hal-03976213; https://hal.science/hal-03976213; https://hal.science/hal-03976213/document; https://hal.science/hal-03976213/file/sge_fullpaper_vfinal.pdf
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17Conference
المؤلفون: Planson, Dominique, Sonneville, C, Bevilacqua, Pascal, Phung, L, V, Asllani, B, Tournier, D, Brosselard, P
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), CALY Technologies
المصدر: Proceedings of the European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ; ECSCRM 2020-2021 ; https://hal.science/hal-03410274 ; ECSCRM 2020-2021, Oct 2021, Tours, France
مصطلحات موضوعية: 4H-SiC bipolar diode, high voltage device, electro-physical characterisation, periphery protection, OBIC, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-03410274; https://hal.science/hal-03410274; https://hal.science/hal-03410274/document; https://hal.science/hal-03410274/file/micro_obic.pdf
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18Academic Journal
المؤلفون: Planson, Dominique, Tournier, Dominique, Sonneville, Camille, Bevilacqua, Pascal, Viet Phung, Luong, Morel, Hervé
المساهمون: Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), CALY Technologies
المصدر: ISSN: 1369-8001 ; Materials Science in Semiconductor Processing ; https://hal.science/hal-04664143 ; Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 178, pp.108444. ⟨10.1016/j.mssp.2024.108444⟩.
مصطلحات موضوعية: power device, periphery protection, Silicon Carbide, bipolar diode, field ring, OBIC, simulation, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-04664143; https://hal.science/hal-04664143; https://hal.science/hal-04664143/document; https://hal.science/hal-04664143/file/MSSP_v3_final.pdf
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19ConferenceDemonstration of the Short-circuit Ruggedness of a 10 kV Silicon Carbide Bipolar Junction Transistor
المؤلفون: Asllani, Besar, Morel, Hervé, Bevilacqua, Pascal, Planson, Dominique
المساهمون: SuperGrid Institute SAS, Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
المصدر: Proceedings of the 2020 22nd European Conference on Power Electronics and Applications ; EPE’20 ECCE Europe ; https://hal.science/hal-02945919 ; EPE’20 ECCE Europe, Sep 2020, Lyon, France. ⟨10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215769⟩
مصطلحات موضوعية: Power Semiconductor Device, Silicon Carbide (SiC), Bipolar Junction Transistor, MOSFET, Robustness, Reliability, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Relation: hal-02945919; https://hal.science/hal-02945919; https://hal.science/hal-02945919/document; https://hal.science/hal-02945919/file/EPE20_SuperGrid_basllani_VFF-hm.pdf
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20Periodical
المؤلفون: Tournier, Dominique, Vadebout, Thomas, Bevilacqua, Pascal, Brosselard, Pierre, de Palma, Jean François
المصدر: Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 361 Issue: 1 p53-58, 6p