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1Academic JournalSi/SiGe High-Hole-Mobility-Transistor formed by Sputter Epitaxy / スパッタエピタキシー法を用いたSi/SiGe高正孔移動度トランジスタ
المؤلفون: Akihumi Kasamatsu, Nobumitsu Hirose, Shota Nozaki, Takahiro Tsukamoto, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda, 塚本 貴広, 広瀬 信光, 松井 敏明, 笠松 章史, 野崎 翔太, 須田 良幸
المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3170
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2Academic Journal
المؤلفون: Akihumi Kasamatsu, Akira Motohashi, Nobumitsu Hirose, Takahiro Tsukamoto, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda, 三村 高志, 塚本 貴広, 広瀬 信光, 本橋 叡, 松井 敏明, 笠松 章史, 須田 良幸
المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :3280