المؤلفون: Caño Prades, Ivan, Vidal Fuentes, Pedro, Calvo Barrio, Lorenzo, Alcobé Olle, Xavier, Giraldo, Sergio, Sánchez González, Yudania, Jehl Li-Kao, Zacharie, Placidi, Marcel Jose, Puigdollers i González, Joaquim, Izquierdo Roca, Víctor, Saucedo Silva, Edgardo Ademar, Asensi López, José Miguel

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Institut de Recerca en Energía de Catalunya, Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Semiconductors, Quasi-1D semiconductors, chalcogenides, photovoltaics, Sb2Se3, MoSe2, material characterization, emerging materials

وصف الملف: 13 p.; application/pdf

Relation: Ivan Caño Prades [et al.]. Does Sb2Se3 admit nonstoichiometric conditions? How modifying the overall se content affects the structural, optical, and optoelectronic properties of Sb2Se3 thin films. "ACS applied materials and interfaces", 9 Març 2022, vol. 14, núm. 9, p. 11222-11234.; http://hdl.handle.net/2117/365192

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/365192
https://doi.org/10.1021/acsami.1c20764

المؤلفون: Masoller Alonso, Cristina

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Optoelectrònica::Làser

وصف الملف: application/pdf

Relation: http://hdl.handle.net/2117/336689

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/336689

المؤلفون: Elipe Fonollosa, Jon

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, École polytechnique fédérale de Lausanne, Puigdollers i González, Joaquim, Fontcuberta Morral, Anna

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Semiconductors, Nanoparticles, skyrmion, B20-FeGe, thin film, magnetron sputtering, RTA, esquirmión, lámina delgada, pulverizado catódico, Nanopartícules

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://infoteleco.upc.edu/incoming/pfc/188485/Poster_TFG_JonElipeFonollosa_TrxqtX.pdf; http://hdl.handle.net/2117/419851

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/419851

المؤلفون: Ros, Eloi, Puigdollers i González, Joaquim, Ortega Villasclaras, Pablo Rafael, Voz Sánchez, Cristóbal

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Organic semiconductors, OTFT, NDR, Non ideal output, Semiconductors orgànics

وصف الملف: 4 p.

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/8714731; info:eu-repo/grantAgreement/MINECO/1PE/ENE2016-78933-C4-1-R; info:eu-repo/grantAgreement/AEI/2PE/ENE2017-87671-C3-2-R; Ros, E. [et al.]. Origin of the negative differential resistance in the output characteristics of a picene-based thin-film transistor. A: Latin American Electron Devices Conference. "2019 Latin American Electron Devices Conference (LAEDC 2019): Armenia, Colombia: 24-27 February 2019". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2019, p. 1-4.; http://hdl.handle.net/2117/167067

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/167067
https://doi.org/10.1109/LAED.2019.8714731

المؤلفون: Lumbreras Carrasco, David, Zaragoza Bertomeu, Jordi, Mon González, Juan, Gálvez, Eduardo, Collado Escolano, Alfonso

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Doctorat en Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. (TIEG) - Terrassa Industrial Electronics Group

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Wide gap semiconductors, Gallium Nitride (GaN), Losses, Modulation techniques, Neutral-Point Clamped Converter (NPC), PLECS, Silicon, Silicon Carbide (SiC), Wide band-gap semiconductors, Semiconductors de gap ampl

وصف الملف: 8 p.; application/pdf

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8926766; Lumbreras, D. [et al.]. Efficiency analysis of wide band-gap semiconductors for two-level and three-level power converters. A: Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society. "IECON 2019: 45th Annual Conferenceof the IEEE Industrial Electronics Society: Convention Center, Lisbon, Portugal: 14-17 October, 2019". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2019, p. 5126-5133.; http://hdl.handle.net/2117/174949

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/174949
https://doi.org/10.1109/IECON.2019.8926766

المؤلفون: Ferrer Arnau, Luis Jorge, Berbel Artal, Néstor, Capellá Frau, Gabriel José, Zaragoza Bertomeu, Jordi

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. (TIEG) - Terrassa Industrial Electronics Group

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica, Switching circuits, Modulation (Electronics), Harmonic analysis, GaN, modulation techniques, voltage quality, efficiency, power inverter, Circuits de commutació, Modulació (Electrònica), Anàlisi harmònica

وصف الملف: 6 p.; application/pdf

Relation: Ferrer-Arnau, L. [et al.]. Study of modulation techniques applied to full bridge single-phase inverters based on wide-bandgap semiconductors. A: Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society. "IECON 2019: 45th Annual Conferenceof the IEEE Industrial Electronics Society: Convention Center, Lisbon, Portugal: 14-17 October, 2019". 2019, p. 2032-2037.; http://hdl.handle.net/2117/175800

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/175800
https://doi.org/10.1109/IECON.2019.8927267

المؤلفون: Ros Costals, Eloi, Reig Canyelles, Marta, Voz Sánchez, Cristóbal, Bagdziunas, Gintautas, Ortega Villasclaras, Pablo Rafael, Velasco Castrillo, Maria Dolores, Puigdollers i González, Joaquim

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors, Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Transistors, Organic semiconductors, Organic field-effect transistor, OFET, Negative differential resistance, Density of states, Energy levels, NDR, Semiconductors orgànics

وصف الملف: 9 p.; application/pdf

Relation: info:eu-repo/grantAgreement/MINECO/1PE/ENE2016-78933-C4-1-R; info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2013-2016/ENE2017-87671-C3-2-R/ES/DISPOSITIVOS HIBRIDOS DE SILICIO%2FCALCOGENURO DE CAPA DELGADA PARA TECNOLOGIAS FOTOVOLTAICOS SOSTENIBLES DE BAJO COSTE Y MUY ALTA EFICIENCIA/; info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2013-2016/TEC2017-82305-R/ES/CELULAS SOLARES CON CONTACTOS POSTERIORES BASADAS EN SUBSTRATOS DELGADOS DE SILICIO CRISTALINO/; Ros, E. [et al.]. Shedding light on the negative differential resistance effect observed in organic thin-film transistors. "ACS applied electronic materials", 5 Maig 2020, vol. 2, núm. 6, p. 1574-1582.; http://hdl.handle.net/2117/329193

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/329193
https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c00183

المؤلفون: Ros Costals, Eloi, Puigdollers i González, Joaquim, Ortega Villasclaras, Pablo Rafael, Voz Sánchez, Cristóbal

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Thin films, OTFT, NDR, Organic semiconductors, Density of states, Capes fines

وصف الملف: application/vnd.openxmlformats-officedocument.wordprocessingml.document

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/8714731; info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2013-2016/ENE2017-87671-C3-2-R/ES/DISPOSITIVOS HIBRIDOS DE SILICIO%2FCALCOGENURO DE CAPA DELGADA PARA TECNOLOGIAS FOTOVOLTAICOS SOSTENIBLES DE BAJO COSTE Y MUY ALTA EFICIENCIA/; info:eu-repo/grantAgreement/MINECO/1PE/ENE2016-78933-C4-1-R; Ros, E. [et al.]. Origin of the negative differential resistance in the output characteristics of a picene-based thin-film transistor. "IEEE Journal of the Electron Devices Society", 9 Gener 2020.; http://hdl.handle.net/2117/175469

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/175469
https://doi.org/10.1109/JEDS.2020.2965213

المؤلفون: Aghazadeh Dafsari, Seyed Rasoul, Martínez García, Herminio, Saberkari, Alireza

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Doctorat en Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. EPIC - Energy Processing and Integrated Circuits

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica, Metal oxide semiconductors, Complementary, Digital electronics, All-pass filter, CMOS, Time delay, Broadband, True-time-delay, Metall-òxid-semiconductors complementaris, Electrònica digital

وصف الملف: 10 p.; application/pdf

Relation: https://www.mdpi.com/2079-9292/8/1/16; Aghazadeh Dafsari, S.; Martinez, H.; Saberkari, A. 5GHz CMOS all–pass filter–based true time delay cell. "Electronics", 22 Desembre 2018, vol. 8, núm. 1, p. 1-10.; http://hdl.handle.net/2117/177784

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/177784
https://doi.org/10.3390/electronics8010016

المؤلفون: Reig, Marta, Puigdollers i González, Joaquim, Velasco, Dolores

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Organic semiconductors, Semiconductors orgànics

Relation: http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2017/cp/c7cp05135b#!divAbstract; Reig, M., Puigdollers, J., Velasco, D. Solid-state organization of n-type carbazole-based semiconductors for organic thin-film transistors. "Physical chemistry chemical physics", 29 Novembre 2017, vol. 20, num. 2, p. 1142-1149; http://hdl.handle.net/2117/111946

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/111946
https://doi.org/10.1039/C7CP05135B

المؤلفون: Domínguez Pumar, Manuel, Bheesayagari, Chenna Reddy, Gorreta Mariné, Sergio, Lopez Chavez, G., Pons Nin, Joan

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions, Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Industrial electronics, Metal oxide semiconductors, Capacitance, Capacitance-voltage characteristics, Charge trapping control, CDielectrics, Ionizing radiation, MIS capacitors, Modulation, MOS capacitors, Radiation effects, Sigma-delta modulation, Electrònica industrial, Metall-òxid-semiconductors

Relation: http://ieeexplore.ieee.org/document/8023818/; Dominguez, M., Bheesayagari, C., Gorreta, S., Lopez -Chavez, G., Pons, J. Closed-loop compensation of charge trapping induced by ionizing radiation in MOS capacitors. "IEEE transactions on industrial electronics", 31 Agost 2017, vol. 65, num. 3, p. 2518-2524; http://hdl.handle.net/2117/108041

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/108041
https://doi.org/10.1109/TIE.2017.2748033

المؤلفون: Lan Boon, Leong, Masoller Alonso, Cristina

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Física, Universitat Politècnica de Catalunya. DONLL - Dinàmica no Lineal, Òptica no Lineal i Làsers

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Semiconductor laser, Fluctuations (Physics), lasers, simulation and modeling, probability density, fluctuation analysis, complex systems, semiconductors, action potentials, curve fitting, Làsers de semiconductors, Fluctuacions (Física)

وصف الملف: 10 p.

Relation: http://journals.plos.org/plosone/article?id=10.1371/journal.pone.0150027; Lan, L., Masoller, C. Heavy-tailed fluctuations in the spiking output intensity of semiconductor lasers with optical feedback. "PLoS one", 22 Febrer 2016, vol. 11, núm. 2, p. 1-10.; http://hdl.handle.net/2117/86434

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/86434
https://doi.org/10.1371/journal.pone.0150027

المؤلفون: Estarlich Gil, Pau

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Ortega Villasclaras, Pablo Rafael, Voz Sánchez, Cristóbal

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica::Cèl·lules solars, Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Solar energy, Photovoltaic power generation, Semiconductors, photovoltaic solar energy, energía solar, energía solar fotovoltaica, semiconductores, Energia solar, Energia solar fotovoltaica

وصف الملف: application/pdf

Relation: http://hdl.handle.net/2117/379627; ETSETB-230.171404

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/379627

المؤلفون: Li, Binhong, Berbel Artal, Néstor, Boyer, A., BenDhia, S., Fernández García, Raúl

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors, Semiconductors, Metal oxide semiconductors, Transistors, Metall-òxid-semiconductors

Relation: Li, B. [et al.]. Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences. A: European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis. "Proceedings European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis". 2011.; http://hdl.handle.net/2117/14767

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/14767
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2011.06.010

المؤلفون: Kennedy, M., Ahmed, H., Doran, J., Norton, B., Daren, S., Galindo Lorente, Sergi, Voz Sánchez, Cristóbal, Puigdollers i González, Joaquim

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Optoelectrònica::Dispositius fotoelèctrics, Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l’estat sòlid::Semiconductors, Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica::Cèl·lules solars, Solar cells, dye-sensitized solar cells, organolanthanides, Stokes shift, SPECTRAL CONVERTERS, QUANTUM EFFICIENCY, PERFORMANCE, WAVELENGTH, PHOTOLUMINESCENCE, CONCENTRATORS, LUMINESCENCE, COMPLEXES, INCIDENT, Cèl·lules solars

وصف الملف: 8 p.

Relation: Kennedy, M. [et al.]. Large Stokes shift downshifting Eu(III) films as efficiency enhancing UV blocking layers for dye sensitized solar cells. "Physica status solidi A. Applications and materials science (Print edition)", 01 Gener 2015, vol. 212, núm. 1, p. 203-210.; http://hdl.handle.net/2117/27027

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/27027
https://doi.org/10.1002/pssa.201431683

المؤلفون: Tiana Alsina, Jordi, García López, J.H., Torrent Serra, Maria del Carmen, García Ojalvo, Jordi

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Física i Enginyeria Nuclear, Universitat Politècnica de Catalunya. SPPT - Superfícies, Productes i Processos Tèxtils, Universitat Politècnica de Catalunya. DONLL - Dinàmica no Lineal, Òptica no Lineal i Làsers

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Optoelectrònica, Semiconductor laser, Làsers de semiconductors, Filtres òptics, Acoblaments direccionals

وصف الملف: 1 p.; application/pdf

Relation: Tiana, J. [et al.]. Lag alternance in unidirectional coupled semiconductor lasers. A: Conference on lasers and electro-optics. "Cleoeurope 2009". Munich: 2009.; http://hdl.handle.net/2117/8710

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/8710
https://doi.org/10.1109/CLEOE-EQEC.2009.5192501

المؤلفون: Orpella García, Alberto, Blanqué, Servane, Roiati, V., Martín García, Isidro, Voz Sánchez, Cristóbal, Puigdollers i González, Joaquim, Alcubilla González, Ramón

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar tèrmica::Plaques solars, Solar cells, Silicon polymers, Energia solar, Silici

وصف الملف: 3 p.; application/pdf

Relation: Orpella, A. [et al.]. N-type emitters passivation through antireflective phosphorus doped a-SiCxNy:H(n) stacks. A: Spanish Conference on Electronics Devices. "7th Spanish Conference on Electronic Devices". Santiago de Compostela: IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, p. 357-359.; http://hdl.handle.net/2117/6718; IEEE

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/6718
https://doi.org/10.1109/SCED.2009.4800506

المؤلفون: Aragoneses Aguado, Andrés, Sorrentino Amaral, Taciano, Perrone, Sandro, Gauthier, Daniel, Torrent Serra, Maria del Carmen, Masoller Alonso, Cristina

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Física i Enginyeria Nuclear, Universitat Politècnica de Catalunya. DONLL - Dinàmica no Lineal, Òptica no Lineal i Làsers

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Symbolic dynamics, Semiconductor laser, Diode lasers, Semiconductor lasers, Instabilities and chaos, Chaos, Dinàmica simbòlica, Làsers de semiconductors

وصف الملف: 9 p.

Relation: http://www.opticsinfobase.org/oe/fulltext.cfm?uri=oe-22-4-4705&id=279795; Aragoneses, A. [et al.]. Experimental and numerical study of the symbolic dynamics of a modulated external-cavity semiconductor laser. "Optics express", 21 Febrer 2014, vol. 22, núm. 4, p. 4705-4713.; http://hdl.handle.net/2117/22013

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/22013
https://doi.org/10.1364/OE.22.004705

المؤلفون: Brahimllari, Klea

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica, Giaccone, Leonardo, Moll Echeto, Francisco de Borja

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Analog integrated circuits, Oscillations, Semiconductors, multi-phase clock system, analog circuit, ring oscillator, physical design, verification, parasitics, DRC, LVS, semiconductor design, layout optimization, Circuits integrats analògics, Oscil·lacions

وصف الملف: application/pdf

Relation: http://hdl.handle.net/2117/420931

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/420931

المؤلفون: Zamora Munt, Jordi, Garbin, Bruno, Barland, Stéphane, Giudici, Massimo, Rios Leite, José R., Masoller Alonso, Cristina, Tredicce, Jorge R.

المساهمون: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Física i Enginyeria Nuclear, Universitat Politècnica de Catalunya. DONLL - Dinàmica no Lineal, Òptica no Lineal i Làsers

مصطلحات موضوعية: Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors, Semiconductor laser, Ocean waves, Làsers de semiconductors, Onades

Relation: Zamora-Munt, J. [et al.]. Rogue waves in optically injected lasers: origin, predictability, and suppression. "Physical review A", 07 Març 2013, vol. 87, núm. 3.; http://hdl.handle.net/2117/21657

الاتاحة: http://hdl.handle.net/2117/21657
https://doi.org/10.1103/PhysRevA.87.035802