يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن '"6T static random-access memory (6T-SRAM)"', وقت الاستعلام: 0.47s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    Performance Optimization of Fabricated Nanosheet GAA CMOS Transistors and 6T-SRAM Cells via Source/Drain Doping Engineering

    المؤلفون: Xuexiang Zhang, Qingkun Li, Lei Cao, Qingzhu Zhang, Renjie Jiang, Peng Wang, Jiaxin Yao, Huaxiang Yin

    المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 13, Pp 86-92 (2025)

    مصطلحات موضوعية: Gate-all-around nanosheet transistor (GAA NSFET), source/drain (S/D) doping, spacer, lightly doped drain (LDD), 6T static random-access memory (6T-SRAM), Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/10845751/; https://doaj.org/toc/2168-6734

    URL الوصول: https://doaj.org/article/170f348a0a03424e94c2d1d9ed4f740b

    View record in DOAJ

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء