المؤلفون: Биткiн, С. В., Критська, Т. В.

مصطلحات موضوعية: пiдвищення радiацiйної стiйкостi, npn структура, α-опромiнення, легування кремнiю германiєм, рiвень легування iзовалентною домiшкою, деградацiя коефiцiєнта пiдсилення, increase of radiation resistance, npn structure, doping of silicon with germanium, doping level with isovalent impurity, degradation of the amplification factor, 621.382.333:621.315.592.3

وصف الملف: Pp. 72-78; application/pdf

Relation: Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 91; Биткiн, С. В. Pадiацiйна стiйкiсть тестових npn транзисторiв IC з дiелектричною iзоляцiєю, виготовлених на кремнiї, iзовалентно легованому германiєм (SiGe) / Биткiн С. В., Критська Т. В. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2023. – Вип. 91. – С. 72-78. – Бібліогр.: 38 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56370; https://doi.org/10.20535/RADAP.2023.91.72-78; orcid:0000-0003-3583-3371; orcid:0000-0001-6933-0460

الاتاحة: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56370
https://doi.org/10.20535/RADAP.2023.91.72-78