-
1Academic Journal
المؤلفون: Tannoury, Charbel, Billet, Maximilien, Coinon, Christophe, Lampin, Jean-Francois, Peytavit, Emilien
المساهمون: Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 (PhLAM), Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Photonique THz - IEMN (PHOTONIQUE THZ - IEMN), This work was supported by the French Defense Agency DGA (Direction générale de l'armement), RENATECH (French Network of Major Technology Centres), Lille University, and the ‘Région Hauts‐de‐France’., Renatech Network, PCMP CHOP, CMNF
المصدر: ISSN: 0013-5194.
مصطلحات موضوعية: annealing, gallium arsenide, photoconducting materials, carrier lifetime, III‐V semiconductors, low‐temperature‐grown gallium arsenide photoconductors, subpicosecond carrier lifetime, photoresponse, CW excitation, photoresponses, continuous‐wave, 1550‐nm‐wavelength illumination, optical Fabry‐Perot cavity, post‐growth annealing temperature, external quantum efficiency, temperature 450.0 degC, wavelength 1550.0 nm, GaAs, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Relation: hal-02997766; https://hal.science/hal-02997766; https://hal.science/hal-02997766/document; https://hal.science/hal-02997766/file/ELL-2020-1116.pdf; WOS: 000565251000019
-
2
المساهمون: Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 (PhLAM), Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF-IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Photonique THz - IEMN (PHOTONIQ THz - IEMN), This work was supported by the French Defense Agency DGA (Direction générale de l'armement), RENATECH (French Network of Major Technology Centres), Lille University, and the ‘Région Hauts‐de‐France’., Renatech Network, PCMP CHOP, Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Photonique THz - IEMN (PHOTONIQUE THz - IEMN)
المصدر: Electronics Letters
Electronics Letters, IET, 2020, 56, pp.897-899. ⟨10.1049/el.2020.1116⟩
Electronics Letters, 2020, 56, pp.897-899. ⟨10.1049/el.2020.1116⟩مصطلحات موضوعية: wavelength 1550.0 nm, Materials science, Annealing (metallurgy), 02 engineering and technology, Gallium arsenide, chemistry.chemical_compound, [SPI]Engineering Sciences [physics], CW excitation, external quantum efficiency, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, photoresponse, Electrical and Electronic Engineering, optical Fabry‐Perot cavity, III‐V semiconductors, subpicosecond carrier lifetime, carrier lifetime, business.industry, 020208 electrical & electronic engineering, GaAs, photoconducting materials, 1550‐nm‐wavelength illumination, temperature 450.0 degC, photoresponses, Carrier lifetime, gallium arsenide, post‐growth annealing temperature, chemistry, continuous‐wave, low‐temperature‐grown gallium arsenide photoconductors, Optoelectronics, Continuous wave, Quantum efficiency, annealing, business, Excitation