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  1. 1
    Conference

    المساهمون: 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所(北京

    المصدر: 万方

    مصطلحات موضوعية: GaN/AlGaN超晶格 透射电镜分析 线缺陷

    Relation: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议论文集中国电子学会.; 1167854; http://hdl.handle.net/20.500.11897/272896

  2. 2
    Conference

    المساهمون: 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室, 北京大学宽禁带半导体研究中心(北京

    المصدر: 万方

    مصطلحات موضوعية: MOCVD GaN 缓冲层

    Relation: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集中国电子学会.; 1174920; http://hdl.handle.net/20.500.11897/274323

  3. 3
    Academic Journal

    المساهمون: 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871

    مصطلحات موضوعية: GaN/AlGaN超晶格 透射电镜 激光剥离

    Relation: 半导体学报.2005,26,(z1),28-31.; 1122122; http://hdl.handle.net/20.500.11897/265251

  4. 4
    Academic Journal

    المساهمون: 北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871, 北京大学,宽禁带半导体研究中心,北京,100871

    مصطلحات موضوعية: 剥离 GaN InGaN LD 解理

    Relation: 激光技术.2004,28,(1),29-32.; 1150496; http://hdl.handle.net/20.500.11897/270233

  5. 5
    Academic Journal

    المساهمون: 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871

    مصطلحات موضوعية: MOCVD GaN 缓冲层

    Relation: 半导体学报.2004,25,(5),526-529.; 1135811; http://hdl.handle.net/20.500.11897/267560

  6. 6
    Academic Journal

    المساهمون: 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871, 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871, 北京大学物理学院凝聚态物理和材料物理研究所,北京,100871, 北京大学医学部生物物理系电镜中心,北京,100083

    مصطلحات موضوعية: 氮化镓 腐蚀坑密度 穿透位错 GaN EPD TD

    Relation: 半导体学报.2004,25,(11),1376-1380.; 919150; http://hdl.handle.net/20.500.11897/241888

  7. 7
    Academic Journal

    المساهمون: 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京,100871

    مصطلحات موضوعية: MOCVD GaN 穿透位错

    Relation: 半导体学报.2004,25,(4),415-418.; 892099; http://hdl.handle.net/20.500.11897/236489

  8. 8
    Academic Journal
  9. 9
    Dissertation/ Thesis