يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن '"超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)"', وقت الاستعلام: 0.38s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 ; Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique

    المؤلفون: 周志文, 贺敬凯, 李成, 余金中

    مصطلحات موضوعية: Ge薄膜, 低温缓冲层技术, 表面形貌, 超高真空化学气相沉积(UHV-CVD), Ge epitaxial films, low-temperature buffer technique, surface morphology, ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHV-CVD)

    Relation: 光电子.激光,2011,(7):74-77; GDZJ201107018; http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/121378

    الاتاحة: http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/121378

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء