نتائج البحث - "財満鎭明"

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المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :2

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Ge(110)基板上GeSnヘテロエピタキシャル層の局所領域における異方的ひずみ構造のマイクロ回折分析 / Microdiffraction Analysis on Anisotropic Local Strain Structures of GeSn Hetero-Epitaxial Layers Grown on Ge(110) Substrates

المؤلفون: Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Takanori Asano, 中塚理, 浅野孝典, 財満鎭明

المصدر: SPring-8/SACLA利用研究成果集 / SPring-8/SACLA Research Report. 2019, 7(2):114

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Cooperation between The Japan Institute of Electronics Packaging and The Japan Society of Applied Physics / エレクトロニクス実装学会と応用物理学会の連携に向けて

المؤلفون: Shigeaki Zaima, 財満鎭明

المصدر: エレクトロニクス実装学会誌 / Journal of The Japan Institute of Electronics Packaging. 2020, 23(1):1

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Formation of laterally graded SixGe1−x stripes for thermoelectric generator / 熱電特性評価に向けた組成傾斜SixGe1−x細線の形成

المؤلفون: Isao Tsunoda, Kouta Takahashi, Masashi Kurosawa, Masaya Nakata, Osamu Nakatsuka, Satoshi Shimizu, Shigeaki Zaima, Taiki Nishijima, Takanobu Watanabe, 中塚理, 中田壮哉, 清水智, 渡邉孝信, 西嶋泰樹, 角田功, 財満鎭明, 高橋恒太, 黒澤昌志

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3838

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SiO2上に形成したGe1-xSnx多結晶薄膜の熱電特性評価 / Thermoelectric properties of polycrystalline Ge1-xSnx layers grown on SiO2

المؤلفون: Kurosawa Masashi, Nakatsuka Osamu, Takahashi Kota, Yukihiro Imai, Zaima Shigeaki, 中塚理, 今井志明, 財満鎭明, 高橋恒太, 黒澤昌志

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3839

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Epitaxial growth of 3C-SiC on Si substrate by chemical vapor deposition with vinylsilane single precursor / ビニルシラン単一前駆体を用いたCVD法によるSi基板上への3C-SiCエピタキシャル成長

المؤلفون: Kentaro Hashimoto, Osamu Nakatuka, Shigeaki Zaima, Takuma Doi, Wakana Takeuchi, 中塚理, 土井拓馬, 橋本健太郎, 竹内和歌奈, 財満鎭明

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3416

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Al2O3/SiC形成後の酸素ラジカル処理による界面特性の改善 / Improvement of interface properties of Al2O3/SiC by post oxygen radical treatment

المؤلفون: Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Shigehisa Shibayama, Takuma Doi, Wakana Takeuchi, 中塚理, 土井拓馬, 坂下満男, 柴山茂久, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 財満鎭明

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3393

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Crystal growth of Si1−xSnx thin films on GaSb substrates / GaSb基板上におけるSi1−xSnx薄膜の結晶成長

المؤلفون: Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Ryuji Tange, Shigeaki Zaima, 中塚理, 丹下龍志, 財満鎭明, 黒澤昌志

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3372

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MOCVD法によるGe1-xSnx薄膜成長におけるSn析出過程 / Sn precipitation process during growth of Ge1-xSnx thin films with MOCVD

المؤلفون: Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Wakana Takeuchi, Yusuke Miki, 三鬼悠輔, 中塚理, 竹内和歌奈, 財満鎭明

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3370

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Enhancement of Strain-relaxation for Ge1−x−ySixSny Epitaxial Layer Using Ion-implanted Ge Substrate / イオン注入基板によるGe1−x−ySixSnyエピタキシャル層の歪緩和促進

المؤلفون: Hidetaka Sofue, Masahiro Fukuda, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, 中塚理, 祖父江秀隆, 福田雅大, 財満鎭明

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3369

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Formation and Optoelectronic Characterization of High-Si-Content Strain-Relaxed Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx/Ge1−x−ySixSny Double-Heterostructure / 高Si組成歪緩和Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx/Ge1−x−ySixSny二重ヘテロ構造の形成および光電特性評価

المؤلفون: Masahiro Fukuda, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, 中塚理, 坂下満男, 福田雅大, 財満鎭明, 黒澤昌志

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3368

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Formation of Ge1−xSnxstripes using melting growth method and evaluation of electric properties / 溶融成長法によるGe1−xSnx細線の形成と電気特性評価

المؤلفون: Isao Tsunoda, Kouta Takahashi, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Satoshi Shimizu, Shigeaki Zaima, Taiki Nishijima, Yuta Imai, 中塚理, 今井祐太, 清水智, 西嶋泰樹, 角田功, 財満鎭明, 高橋恒太, 黒澤昌志

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3360

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Formation of Epitaxial HfGe2/Ge contact and its crystalline and electrical properties / エピタキシャルHfGe2/Ge接合の形成と結晶構造および電気伝導特性

المؤلفون: Akihiro Suzuki, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, 中塚理, 千賀一輝, 坂下満男, 財満鎭明, 鈴木陽洋

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :2887

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HfO2-ZrO2系薄膜における反強誘電性の発現過程について / The evolution of antiferroelectric property of HfO2-ZrO2 thin film

المؤلفون: Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Shigehisa Shibayama, 中塚理, 坂下満男, 柴山茂久, 財満鎭明

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :2699

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The 19thJSAP Outstanding Achievement Award Ceremony (Dr. Yasunobu Nakamura) / 第19回業績賞（研究業績）授賞式（中村泰信様）

المؤلفون: Shigeaki Zaima, 財満鎭明

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :2058

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Characterization of crystalline damages near ion-implanted Ge surface using Raman spectroscopy method / Raman分光法を用いたイオン注入Ge基板表面の結晶損傷評価

المؤلفون: Hidetaka Sofue, Masahiro Fukuda, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Shigehisa Shibayama, 中塚理, 柴山茂久, 祖父江秀隆, 福田雅大, 財満鎭明

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3232

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Opening Remarks / 開催の挨拶

المؤلفون: Shigeaki Zaima, 財満鎭明

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :51

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Panel Discussion / パネルディスカッション

المؤلفون: Kae Nemoto, Kayo Nemoto, Kazumi Kato, Masahide Takahashi, Shigeaki Zaima, Sirkku Sakane, 加藤一実, 坂根シルック, 小川賀代, 根本香絵, 財満鎭明, 高橋雅英

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :50

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Introductry Talk / 趣旨説明

المؤلفون: Shigeaki Zaima, 財満鎭明

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :27

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President's inaugural address / 会長就任にあたってのご挨拶

المؤلفون: Shigeaki ZAIMA, 財満鎭明

المصدر: 応用物理 / Oyo Buturi. 2018, 87(4):238

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