-
1Academic Journal
المساهمون: 北京大学信息科学技术学院,北京,100871, 山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014
Relation: 德州学院学报.2008,24,(4),36-40,53.; 1141073; http://hdl.handle.net/20.500.11897/23893
-
2Dissertation/ Thesis
المؤلفون: 薛守斌
المساهمون: 北京大学
المصدر: 万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Thesis_Y2025040.aspx
مصطلحات موضوعية: 超深亚微米CMOS器件, 位移损伤模型, 抗辐射结构, 辐射效应, 加固技术
Relation: 北京大学.; 720109; http://hdl.handle.net/20.500.11897/357735
-
3Patent
المساهمون: 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学
المصدر: 知网
Relation: 中国专利.; 816809; http://hdl.handle.net/20.500.11897/301026
-
4Patent
المساهمون: 10087北京市海淀区颐和园路5号北京大学
المصدر: 知网
Relation: 中国专利.; 815918; http://hdl.handle.net/20.500.11897/301004
-
5Patent
المساهمون: 北京大学
Relation: 北京.; 664059; http://hdl.handle.net/20.500.11897/194215
-
6Patent
المساهمون: 北京大学
Relation: 北京.; 663224; http://hdl.handle.net/20.500.11897/193726
-
7Patent
المساهمون: 北京大学
Relation: 北京.; 663190; http://hdl.handle.net/20.500.11897/193698
-
8Patent
المساهمون: 北京大学
Relation: 北京.; 663168; http://hdl.handle.net/20.500.11897/193682
-
9Patent
المساهمون: 北京大学
Relation: 北京.; 665734; http://hdl.handle.net/20.500.11897/344101
-
10Patent
المساهمون: 北京大学
Relation: 北京.; 669079; http://hdl.handle.net/20.500.11897/196659
-
11Patent
المساهمون: 北京大学
Relation: 北京.; 669077; http://hdl.handle.net/20.500.11897/196657
-
12Patent
المساهمون: 北京大学
المصدر: 知网 ; 万方 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Patent_CN200910087223.5.aspx
Relation: 北京.; 665778; http://hdl.handle.net/20.500.11897/195072
-
13Patent
المساهمون: 北京大学
Relation: 北京.; 663803; http://hdl.handle.net/20.500.11897/194056