يعرض 1 - 19 نتائج من 19 نتيجة بحث عن '"萩本 賢哉"', وقت الاستعلام: 0.35s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    Elucidation of saw marks flattening mechanism in Si etching using HF/HNO3 (2) / フッ硝酸を用いたSiエッチングにおけるソーマーク段差平坦化メカニズムの解明 (2)

    المؤلفون: Hayato Iwamoto, Kenji Takeo, Kenya Nishio, Suguru Saito, Takashi Fukatani, Tomoki Hirano, Yasuhiro Shikahama, Yoshiya Hagimoto, 岩元 勇人, 平野 智暉, 深谷 天, 竹尾 建治, 萩本 賢哉, 西尾 賢哉, 鹿浜 康寛, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :1738

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  2. 2
    Academic Journal
    Analysis of Hydrogen-induced Damage in SiN Atomic Layer Etching / SiN Atomic Layer EtchingのHダメージ解析

    المؤلفون: Akiko Hirata, Hayato Iwamoto, Jomar Tercero, Katsuhisa Kugimiya, Kazuhiro Karahashi, Masanaga Fukasawa, Michiro Isobe, Satoshi Hamaguchi, Tercero Jomar, Tomoko Ito, Yoshiya Hagimoto, 伊藤 智子, 唐橋 一浩, 岩元 勇人, 平田 瑛子, 浜口 智志, 深沢 正永, 礒部 倫郎, 萩本 賢哉, 釘宮 克尚

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :1131

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  3. 3
    Academic Journal
    Fluorine injection into III-V semiconductor compounds by diffusion and knock-on / 拡散及びノックオンによるFの化合物半導体中への侵入

    المؤلفون: Hayato Iwamoto, Katsuhisa Kugimiya, Masanaga Fukasawa, Yoshifumi Zaizen, Yoshinori Kodama, Yoshiya Hagimoto, 小玉 欣典, 岩元 勇人, 深沢 正永, 萩本 賢哉, 財前 義史, 釘宮 克尚

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :1133

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  4. 4
    Academic Journal
    Consideration of surface reaction mechanism for III V compound semiconductor in water / ⅢⅤ族化合物半導体における水との表面反応メカニズム考察

    المؤلفون: Hayato Iwamoto, Junichi ida, Kenya Nishio, Suguru Saito, Takashi Oinoue, Yoshiya Hagimoto, Yuuich Ogawa, 井田 純一, 大井上 昂志, 小川 祐一, 岩元 勇人, 萩本 賢哉, 西尾 賢哉, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :170

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  5. 5
    Academic Journal
    Elucidation of saw marks flattening mechanism in Si etching using HF/HNO3 / フッ硝酸を用いたSiエッチングにおけるソーマーク段差平坦化メカニズムの解明

    المؤلفون: Hayato Iwamoto, Suguru Saito, Takashi Fukatani, Takashi Oinoue, Yoshiya Hagimoto, 大井上 昂志, 岩元 勇人, 深谷 天, 萩本 賢哉, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :171

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  6. 6
    Academic Journal
    Mechanism of WET chemical atomic layer etching on Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor / Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体におけるWETプロセスを利用した原子層エッチングのメカニズム解明

    المؤلفون: Hayato Iwamoto, Kenya Nishio, Suguru Saito, Takashi Fukatani, Tomoki Hirano, Yoshiya Hagimoto, 岩元 勇人, 平野 智暉, 深谷 天, 萩本 賢哉, 西尾 賢哉, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :2584

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  7. 7
    Academic Journal
    Behavior analysis of Si etching process with the HF/HNO3 mixture by single spin wafer processor (3) / 枚葉スピン方式を用いたフッ硝酸Siエッチングプロセス挙動解析（３）

    المؤلفون: Atsushi Okuyama, Hayato Iwamoto, Suguru Saito, Takashi Oinoue, Yoshiya Hagimoto, 大井上 昂志, 奥山 敦, 岩元 勇人, 萩本 賢哉, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :2807

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  8. 8
    Academic Journal
    Impact of electrostatic effects on wet etching phenomenon in nanoscale region / 微小空間におけるウェットエッチング挙動の考察

    المؤلفون: Atsushi Okuyama, Ayuta Suzuki, Hayato Iwamoto, Kenji Nishi, Suguru Saito, Takayuki Toshima, Yoshiya Hagimoto, 奥山 敦, 岩元 勇人, 戸島 孝之, 萩本 賢哉, 西 健治, 鈴木 歩太, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :115

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  9. 9
    Academic Journal
    Behavior analysis of Si etching process with the HF/HNO3 mixture by single spin wafer processor (2) / 枚葉スピン方式を用いたフッ硝酸Siエッチングプロセス挙動解析（２）

    المؤلفون: Atsushi Okuyama, Hayato Iwamoto, Suguru Saito, Takashi Oinoue, Yoshiya Hagimoto, 大井上 昂志, 奥山 敦, 岩元 勇人, 萩本 賢哉, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :2844

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  10. 10
    Academic Journal
    Behavior analysis of Si etching process with the HF/HNO3 mixture by single spin wafer processor / 枚葉スピン方式を用いたフッ硝酸Siエッチングプロセス挙動解析

    المؤلفون: Atsushi Okuyama, Hayato Iwamoto, Suguru Saito, Takashi Oinoue, Yoshiya Hagimoto, 大井上 昂志, 奥山 敦, 岩元 勇人, 萩本 賢哉, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :2624

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  11. 11
    Academic Journal
    微小空間におけるウェットエッチング挙動の考察

    المؤلفون: 奥山 敦, 岩元 勇人, 萩本 賢哉, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :2603

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  12. 12
    Academic Journal
    新材料を用いたデバイス構造における洗浄プロセス設計の課題

    المؤلفون: 岩元 勇人, 萩本 賢哉, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :152

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  13. 13
    Academic Journal
    微小空間におけるウェットエッチング挙動の考察(2)

    المؤلفون: 大井上 昂志, 奥山 敦, 岩元 勇人, 萩本 賢哉, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :155

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  14. 14
    Academic Journal
    金属汚染除去プロセスにおける金属及び下地膜種の影響(2)

    المؤلفون: 岩元 勇人, 萩本 賢哉, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :2916

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  15. 15
    Academic Journal
    枚葉IPA乾燥プロセスにおける雰囲気中アンモニア成分の影響

    المؤلفون: 南 輝臣, 岩元 勇人, 川渕 洋介, 萩本 賢哉

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :2915

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  16. 16
    Academic Journal
    レジストマスク微細加工プロセスへのプラズマレスガスエッチングの適用

    المؤلفون: 奥山 敦, 岩元 勇人, 萩本 賢哉, 齋藤 卓

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2012, :2900

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  17. 17
    Academic Journal
    22aW-11 光電子分光によるIn吸着Si(111)表面の低次元金属性の研究 / Photoemission study of the 2D metallic layer of In on Si(111):Si(111)√<7>x√<3>-In

    المؤلفون: H. W. Yeom, J. H. Oh, K. Nakamura, K. Ono, M. Oshima, Oh J. H., S. Nakazono, T. Kihara, Y. Hagimoto, Yeom H. W., 中園 晋輔, 中村 健哉, 小野 寛太, 尾嶋 正治, 木原 隆幸, 萩本 賢哉

    المصدر: Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan. 2000, :751

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  18. 18
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    半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象の解明とその対策 ; ハンドウタイ デバイス セイゾウ ノ ウエット プロセス ニオケル タイデン・ホウデン ゲンショウ ノ カイメイ ト ソノ タイサク

    المؤلفون: 清家, 善之, 森, 竜雄, 五島, 敬史郎, 日永, 康博, 窪, 慎二, 川畑, 隆広, 渡邊, 久倫, 岩元, 勇人, 萩本, 賢哉, 齋藤, 卓

    مصطلحات موضوعية: 半導体洗浄, 磁場, 二流体スプレー, 静電気障害（ESD）

    Relation: http://hdl.handle.net/11133/4123; AA11484797; 総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.; 24; 10; 11

    الاتاحة: http://hdl.handle.net/11133/4123

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  19. 19
    Report
    半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象の解明とその対策 ; ハンドウタイ デバイス セイゾウ ノ ウエット プロセス ニオケル タイデン ホウデン ゲンショウ ノ カイメイ ト ソノ タイサク

    المؤلفون: 清家, 善之, 森, 竜雄, 五島, 敬史郎, 門村, 新吾, 日永, 康博, 窪, 慎二, 川畑, 隆広, 岩元, 勇人, 萩本, 賢哉, 齋藤, 卓

    مصطلحات موضوعية: 半導体洗浄, 磁場, 二流体スプレー, 静電気障害

    Relation: http://hdl.handle.net/11133/3752; AA11484797; 総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.; 22; 10

    الاتاحة: http://hdl.handle.net/11133/3752

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