-
1Academic Journal
المساهمون: Xing, YJ (reprint author), Peking Univ, Lab Phys & Chem Nanodevices, Beijing 100871, Peoples R China., 北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室
المصدر: EI ; CSCD ; SCI ; 万方 ; 知网 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_hwyhmb201504003.aspx
مصطلحات موضوعية: 缓冲层, 缓冲层/阴极结, 开路电压, 理想因子, buffer layer, buffer/cathode junction, open circuit voltage, ideality factor, DIODES
Relation: 红外与毫米波学报.2015,396-400.; 1506598; http://hdl.handle.net/20.500.11897/455167; WOS:000361260100003
-
2Academic Journal
مصطلحات موضوعية: Ge, 低温缓冲层, 外延生长, epitaxial growth
Relation: 齐齐哈尔大学学报:自然科学版,2017,(1); https://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/165536
-
3Academic Journal
المساهمون: 北京大学软件与微电子学院, 中国科学院半导体研究所
المصدر: CSCD ; 知网
Relation: 半导体技术.2016,41(9),649-657.; 1500845; http://hdl.handle.net/20.500.11897/454142
-
4Conference
المؤلفون: 王新强
المساهمون: 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室
المصدر: 知网
Relation: 全国有色金属理化检验学术报告会.; 958128; http://hdl.handle.net/20.500.11897/86188
-
5Academic Journal
المساهمون: 北京大学化学与分子工程学院
المصدر: 知网
Relation: 化学学报.2015,(03),193-201.; 797464; http://hdl.handle.net/20.500.11897/78755
-
6Conference
المساهمون: 北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京 100871, 北京大学电镜室,北京 100871
المصدر: 万方
مصطلحات موضوعية: 化合物半导体 氮化铝薄膜 透射电镜 位错密度 脉冲缓冲层 外延生长
Relation: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集中国电子学会;广州市科协.; 1167422; http://hdl.handle.net/20.500.11897/272816
-
7Conference
المساهمون: 北京大学物理系, 香港中文大学物理系
المصدر: 知网
Relation: 第十三届全国光散射学术会议.; 913810; http://hdl.handle.net/20.500.11897/85891
-
8Conference
المساهمون: 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室, 北京大学宽禁带半导体研究中心(北京
المصدر: 万方
مصطلحات موضوعية: MOCVD GaN 缓冲层
Relation: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集中国电子学会.; 1174920; http://hdl.handle.net/20.500.11897/274323
-
9Conference
المساهمون: 北京大学介观物理实验室北京大学物理系, 南京大学固体微结构实验室南京大学物理系
المصدر: 知网
Relation: 第九届全国发光学术会议.; 985034; http://hdl.handle.net/20.500.11897/86352
-
10Academic Journal
المساهمون: 西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,四川成都610031, 北京大学物理系,北京,100871, 西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,四川成都61003新南威尔士大学材料科学与工程学院,澳大利亚悉尼2052
مصطلحات موضوعية: 高分子辅助 化学溶液沉积法 涂层导体 BaZrO3缓冲层 polymer assisted chemical solution deposition coated conductor BaZrO3 buffer layer
Relation: 功能材料.2012,43,(14),1854-1857.; 1187377; http://hdl.handle.net/20.500.11897/277345
-
11Academic Journal
مصطلحات موضوعية: Ge薄膜, 低温缓冲层技术, 表面形貌, 超高真空化学气相沉积(UHV-CVD), Ge epitaxial films, low-temperature buffer technique, surface morphology, ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHV-CVD)
Relation: 光电子.激光,2011,(7):74-77; GDZJ201107018; http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/121378
-
12Conference
المساهمون: 清华大学现代应用物理系, 中国科学院物理研究所光物理实验室,凝聚态中心, 北京大学电子学系
المصدر: 知网
Relation: 第四届全国光学前沿问题研讨会.; 846667; http://hdl.handle.net/20.500.11897/227862
-
13Academic Journal
مصطلحات موضوعية: 低维无机非金属材料, 量子阱, 光致发光谱, 弛豫缓冲层, low dimensional inorganic nonmetallic material, quantum well, luminescence, relaxed buffer layer
Relation: 材料科学与工程学报,2009,(1):152-155; CLKX200901036; http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/121266
-
14Academic Journal
مصطلحات موضوعية: Ge, 弛豫缓冲层, MSM光电探测器, germanium, relaxed buffer, MSM photodetector
Relation: 光电子.激光,2008,(05):23-26; GDZJ200805007; http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/155883
-
15Academic Journal
مصطلحات موضوعية: 锗硅异质外延, 弛豫缓冲层, 锗, Ge/Si heteroepitaxy, relaxed buffer, Ge
Relation: 半导体学报,2008,(02):125-128; BDTX200802022; http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/155863
-
16Academic Journal
المساهمون: 北京大学信息科学技术学院,北京,100871, 山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014
Relation: 德州学院学报.2008,24,(4),36-40,53.; 1141073; http://hdl.handle.net/20.500.11897/23893
-
17Academic Journal
المساهمون: 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871
مصطلحات موضوعية: MOCVD GaN 缓冲层
Relation: 半导体学报.2004,25,(5),526-529.; 1135811; http://hdl.handle.net/20.500.11897/267560
-
18Conference
المساهمون: 北京大学物理系, 中科院上海技术物理研究所
المصدر: 知网
Relation: 中国物理学会光散射专业委员会成立十周年暨第六届学术会议.; 1035498; http://hdl.handle.net/20.500.11897/87450
-
19Report
Relation: 现代地质; http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/30749
-
20Report
Relation: 现代地质; http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/28468