يعرض 1 - 20 نتائج من 38 نتيجة بحث عن '"畑山 智亮"', وقت الاستعلام: 0.48s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    低融点金属触媒を用いたシリコンナノワイヤーの作製と評価

    المؤلفون: 冬木 隆, 岡本 尚文, 畑山 智亮, 矢野 裕司, 福永 圭吾, 谷 あゆみ

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :3434

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    Academic Journal
    CL像測定と蛍光寿命測定による4H-SiCの欠陥評価

    المؤلفون: 中 庸行, 清水 智也, 畑山 智亮, 粟田 正吾, 青山 淳一, 馬場 洋樹

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :3323

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    Academic Journal
    p型4H-SiC中の深い準位における捕獲断面積の温度依存性

    المؤلفون: 加藤 正史, 吉原 一輝, 大島 武, 市村 正也, 畑山 智亮

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :3296

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    Academic Journal
    異なるハロゲンガスを用いたSiCの熱エッチング特性

    المؤلفون: 冬木 隆, 堀 良太, 畑山 智亮, 矢野 裕司

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :4118

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    Academic Journal
    Reduction of SiC-MOS Interface Traps and Improved MOSFET Performance by Phosphorus Incorporation into Gate Oxides / ゲート酸化膜へのリン導入によるSiC-MOS界面欠陥の低減とMOSFETの高性能化

    المؤلفون: Hiroshi YANO, Takashi FUYUKI, Tomoaki HATAYAMA, 冬木 隆, 畑山 智亮, 矢野 裕司

    المصدر: 表面科学 / Hyomen Kagaku. 2014, 35(2):90


    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    Academic Journal
    SiCデバイスプロセスの高度化に向けた新規表面・界面改質技術の開発

    المؤلفون: 冬木 隆, 畑山 智亮, 矢野 裕司

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :160

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    Academic Journal
    オフ基板上4H-SiCトレンチMOSFETにおける電気特性の異方性の起源

    المؤلفون: 上岡 義弘, 冬木 隆, 岡本 大, 新宮 剣太, 畑山 智亮, 矢野 裕司

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :3788

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    Academic Journal
    POCl3アニールが4H-SiC熱酸化膜の信頼性へ与える影響

    المؤلفون: 冬木 隆, 岡本 大, 森下 隆至, 畑山 智亮, 矢野 裕司

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :3785

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    Academic Journal
    塩素ガス熱エッチングにおける結晶面異方性を活用した SiCトレンチ底部の形状制御

    المؤلفون: 冬木 隆, 畑山 智亮, 矢野 裕司, 網島 健人, 纐纈 英典

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :3777

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    Academic Journal
    4H-SiC MOS界面特性におけるNOとPOCl3アニールの組み合わせ効果

    المؤلفون: 冬木 隆, 畑山 智亮, 矢野 裕司, 荒岡 幹

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :3020

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  11. 11
    Academic Journal
    水の光分解材料としての4H-SiCバルク結晶とエピタキシャル膜の特性比較

    المؤلفون: 加藤 正史, 安田 智成, 市村 正也, 畑山 智亮

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :3028

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  12. 12
    Academic Journal
    塩素ガス熱エッチングによる4H-SiC Si面上のサブトレンチ解消と特異な結晶面形成

    المؤلفون: 冬木 隆, 畑山 智亮, 矢野 裕司, 纐纈 英典

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :3025

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  13. 13
    Academic Journal
    定電流ストレス印加によるPOCl3アニール4H-SiC熱酸化膜の劣化特性

    المؤلفون: 冬木 隆, 岡本 大, 森下 隆至, 畑山 智亮, 矢野 裕司

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :3019

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  14. 14
    Academic Journal
    SiCによる水の光分解特性の二電極系における評価

    المؤلفون: 加藤 正史, 安田 智成, 市村 正也, 畑山 智亮

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2012, :3728

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  15. 15
    Academic Journal
    低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける価電子帯近傍の深い準位の観測

    المؤلفون: 加藤 正史, 吉原 一輝, 大島 武, 市村 正也, 畑山 智亮

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2012, :3706

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  16. 16
    Academic Journal
    NO/POCl3複合アニール処理したSiC MOS デバイスの電子注入耐性

    المؤلفون: 冬木 隆, 畑山 智亮, 矢野 裕司, 荒岡 幹

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2012, :3704

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  17. 17
    Academic Journal
    CL像測定とラマン分光測定による4H-SiC結晶欠陥の非破壊分析

    المؤلفون: 中 庸行, 清水 智也, 畑山 智亮, 青山 淳一

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2012, :3694

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  18. 18
    Academic Journal
    SiCの水素生成応用における光電流とキャリアライフタイムの相関

    المؤلفون: 三宅 景子, 加藤 正史, 大島 武, 市村 正也, 畑山 智亮

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2012, :3426

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  19. 19
    Academic Journal
    POCl3アニール処理をした4H-SiC MOSFETのチャージポンピング測定

    المؤلفون: 冬木 隆, 大澤 愛, 畑山 智亮, 矢野 裕司

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2012, :3425

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  20. 20
    Academic Journal
    リンの界面局在化が4H-SiC MOSデバイスの電気的特性に与える影響

    المؤلفون: 冬木 隆, 畑山 智亮, 矢野 裕司, 赤木 剛

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2012, :3412

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء