يعرض 1 - 19 نتائج من 19 نتيجة بحث عن '"瀬崎 洋"', وقت الاستعلام: 0.36s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    4H-SiC Trench MOSFETs による短チャネル効果の抑制効果 / Suppression of Short-Channel Effects in 4H-SiC Trench MOSFETs

    المؤلفون: Carl-Mikael Zetterling, Hiroshi Sezaki, Mikael Ostling, Ostling Mikael, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Tomonori Maeda, Tomoyasu Ishii, Zetterling Carl-Mikael, 前田 智徳, 大島 武, 瀬崎 洋, 牧野 高紘, 石井 友康, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3401

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  2. 2
    Academic Journal
    4H-SiC nMOSFETs における表面CF4エッチングの効果 / Effects of surface etching with CF4 on 4H-SiC nMOSFETs

    المؤلفون: Hiroshi Sezaki, Kiichi Kobayakawa, Kosuke Muraoka, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Tomonori Maeda, 前田 知徳, 小早川 貴一, 村岡 幸輔, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3400

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  3. 3
    Academic Journal
    High-precision ion-implantation on 4H-SiC by ion-implantation angle control / イオン注入角制御による4H-SiC基板へのイオン注入高精度化

    المؤلفون: Fumitaka Nishiyama, Hiroshi Sezaki, Jun Inoue, Shin-Ichiro Kuroki, Tomonori Okada, 井上 純, 岡田 智徳, 瀬崎 洋, 西山 文隆, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3254

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  4. 4
    Academic Journal
    Research on 4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS inverter / 高周波CMOSインバータに向けた4H-SiCトレンチpMOSFETsの研究

    المؤلفون: Carl-Mikael Zetterling, Hiroshi Sezaki, Jun Inoue, Mikael Ostling, Seiji Ishikawa, Shin-Ichro Kuroki, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Tomonori Maeda, 井上 純, 前田 知徳, 大島 武, 瀬崎 洋, 牧野 高紘, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3726

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  5. 5
    Academic Journal
    High-Temperature Reliability of Ni/Nb Ohmic Contacts on 4H-SiC For Harsh Environment Applications / 極限環境応用に向けた4H-SiC上Ni/Nbオーミックコンタクトの高温信頼性

    المؤلفون: Cuong Van Vuong, Ishikawa Seiji, Koganezawa Tomoyuki, Kuroki Shin-Ichiro, Maeda Tomonori, Miyazaki Takamichi, Ohshima Takeshi, Sezaki Hiroshi, ヴォーン ヴァン クォン, 前田 知徳, 安野 聡, 宮崎 孝道, 小金澤 智之, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3704

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  6. 6
    Academic Journal
    Self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics / 極限環境エレクトロニクスのための4H-SiC nMOSFETs セルフアラインプロセス

    المؤلفون: Carl-Mikael Zetterling, Hiroshi Sezaki, Mikael Ostling, Ohshima Takeshi, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Takahiro Makino, Tatsuya Kurose, Tomonori Maeda, 前田 知徳, 大島 武, 瀬崎 洋, 牧野 高紘, 石川 誠治, 黒木 伸一郎, 黒瀬 達也

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3486

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  7. 7
    Academic Journal
    4H-SiC MOS キャパシタにおけるSiC表面のCF4エッチングの効果 / Effects of surface etching with CF4 on 4H-SiC MOS Capacitors

    المؤلفون: Hiroshi Sezaki, Kiichi Kobayakawa, Kousuke Muraoka, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Takamaro Kikkawa, Tomonori Maeda, 前田 知徳, 吉川 公麿, 小早川 貴一, 村岡 幸輔, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3552

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  8. 8
    Academic Journal
    NbNiシリサイドを導入した4H-SiC pMOSFETsの研究 / Research on 4H-SiC pMOSFETs with NbNi silicide

    المؤلفون: Carl-Mikael Zetterling, Hiroshi Sezaki, Jun Kajihara, Mikael Ostling, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Takahiro Makino, Takamaro Kikkawa, Takeshi Oshima, Tomonori Maeda, Zetterling Carl-Mikael, Östling Mikael, 前田 知徳, 吉川 公麿, 大島 武, 梶原 純, 瀬崎 洋, 牧野 高紘, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3543

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  9. 9
    Academic Journal
    Ba導入による4H-SiC MOS界面の改善 / Improvements of 4H-SiC MOS interface with barium

    المؤلفون: Hiroshi Sezaki, Kousuke Muraoka, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Takamaro Kikkawa, Tomonori Maeda, 前田 智徳, 吉川 公麿, 村岡 幸輔, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3551

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  10. 10
    Academic Journal
    4H-SiC nMOSFETによるPseudo-CMOS論理インバータの研究 / Research on Pseudo-CMOS logic inverters using 4H-SiC nMOSFETs

    المؤلفون: Carl-Mikael Zetterling, Hirofumi Nagatsuma, Hiroshi Sezaki, Mikael Ostling, Mikael Östling, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Takahiro Makino, Takamaro Kikkawa, Takeshi Ohshima, Tatsuya Kurose, Tomonori Maeda, 前田 知徳, 吉川 公麿, 大島 武, 瀬崎 洋, 牧野 高紘, 石川 誠治, 長妻 宏郁, 黒木 伸一郎, 黒瀬 達也

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3597

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  11. 11
    Academic Journal
    4H-SiC nMOSFETsによる論理インバータ回路の研究 / Research on 4H-SiC Logic Inverters with MOSFETs

    المؤلفون: Carl-Mikael Zetterling, Hirofumi Nagatsuma, Hiroshi Sezaki, Mikael Ostling, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Takahiro Makino, Takamaro Kikkawa, Takeshi Ohshima, Tatsuya Kurose, Tomonori Maeda, 前田 知徳, 吉川 公麿, 大島 武, 瀬崎 洋, 牧野 高紘, 石川 誠治, 長妻 宏郁, 黒木 伸一郎, 黒瀬 達也

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3596

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  12. 12
    Academic Journal
    Enhanced-oxidation of Si and 4H-SiC using Alkaline earth metal / アルカリ土類金属によるSi及び4H-SiCの増殖酸化

    المؤلفون: Hiroshi Sezaki, Kousuke Muraoka, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Takamaro Kikkawa, Tomonori Maeda, 前田 智徳, 吉川 公麿, 村岡 幸輔, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3595

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  13. 13
    Academic Journal
    Low resistance SiC/Carbon Interstitial type Metal/Ni ohmic contact formation by Laser annealing / レーザアニールとカーボン侵入型金属による低抵抗SiCオーミック接触の形成

    المؤلفون: Desilva Milantha, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Takamaro Kikkawa, Tomonori Maeda, ミランタ デシルワ, 前田 知徳, 吉川 公麿, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3236

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  14. 14
    Academic Journal
    4H-SiC MISFETsのためのAl2O3,Al6Si2O13ゲート絶縁膜の研究 / Investigation on Al2O3,Al6Si2O13 gate insulator for 4H-SiC MISFETs in harsh environment

    المؤلفون: Hikaru Akase, Hirofumi Nagatuma, Hiroshi Sezaki, Milantha de Silva, Seiji Ishikawa, Shin-ichiro Kuroki, Takamaro Kikkawa, Tomonori Maeda, 前田 知徳, 吉川 公麿, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 赤瀬 光, 長妻 宏都, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3216

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  15. 15
    Academic Journal
    4H-SiC熱酸化膜の膜中親水基発生によるCV特性の変化 / Effects of UV and Ozone Radical Treatments on 4H-SiC Thermal Oxide Film

    المؤلفون: Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Tadashi Sato, Takamaro Kikkawa, Tomonori Maeda, 佐藤 旦, 前田 知徳, 吉川 公麿, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :3380

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  16. 16
    Academic Journal
    Low resistance SiC/Metal ohmic contact formation by partial Amorphization and its Mechanism / 部分的アモルファス化によるSiC/金属オーミック抵抗の低減とそのメカニズム

    المؤلفون: DeSilva Milantha, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Takamaro Kikkawa, Tomonori Maeda, ミランタ デシルワ, 前田 知徳, 吉川 公麿, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3451

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  17. 17
    Academic Journal
    4H-SiC熱酸化膜への水分子吸着の影響 / Effect of Water Molecule Absorption on 4H-SiC Thermal Oxide Film

    المؤلفون: Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Shin-Ichiro Kuroki, Tadashi Sato, Takamaro Kikkawa, Tomonori Maeda, 佐藤 旦, 前田 知徳, 吉川 公麿, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3448

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  18. 18
    Academic Journal
    4H-SiCSBD逆方向リーク電流の犠牲酸化による低減効果

    المؤلفون: 前田 知徳, 吉川 公麿, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :3311

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  19. 19
    Academic Journal
    4H-SiC熱酸化膜のUVおよび酸素ラジカル処理による改質

    المؤلفون: 佐藤 旦, 前田 知徳, 吉川 公麿, 瀬崎 洋, 石川 誠治, 黒木 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :3309

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