نتائج البحث - "沈旭"

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High quality semipolar (10-13) AlN hetero-epitaxial growth by ammonia-free high-temperature MOVPE (AFHT-MOVPE) / アンモニアフリー高温有機金属気相成長法による高品質(10-13)半極性面AlNヘテロエピタキシャル成長

المؤلفون: Kazutoshi Kojima, Xu-Qiang Shen, 児島一聡, 沈旭強

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2021, :2586

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High quality AlN growth by ammonia-free high-temperature MOVPE / アンモニアフリー高温有機金属気相成長法における高品質AlN成長

المؤلفون: Hajime Okumura, Kazutoshi Kojima, Xu-Qiang Shen, 児島一聡, 奥村元, 沈旭強

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3466

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High-temperature AlN growth by ammonia-free metalorganic vapor phase epitaxy / アンモニアフリー有機金属気相成長法における高温AlN成長

المؤلفون: Hajime Okumura, Kazutoshi Kojima, Mitsuaki Shimizu, Xu-Qiang Shen, 児島一聡, 奥村元, 沈旭強, 清水三聡

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3282

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Strain effect on the ultra-thin AlN/GaN super-lattice growth / 極薄AlN/GaN超格子成長における歪の影響

المؤلفون: M Shimizu, T Ide, T Takahashi, Xu-Qiang Shen, 井手利英, 沈旭強, 清水三聡, 高橋言緒

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3409

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GIT双方向スイッチのダイオード動作における逆回復電流特性 / Recovery Current Characteristics of Diode Mode Operation in GaN GIT Bi-directional Switch

المؤلفون: Hidetoshi Ishida, Masahiro Ishida, Mitsuaki Shimizu, Tetsuzo Ueda, Toshihide Ide, Xu-Qiang Shen, 上田哲三, 井手利英, 沈旭強, 清水三聡, 石田昌弘, 石田秀俊

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3163

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Unpleasant Words Unpleasant Words (1/3) : Realist Interpretation of the Post- 'Occupy Central' Era. Unpleasant Words (2/3) : 'Dream Walker'- A Constructivist Interpretation of the Post- 'Occupy Central' Era. Unpleasant Words (3/3) : A Year After - Interpreting the Unspoken Words of Ghandi and the Destiny of 'Occupy Central' from a Political Science Perspective / 不中聴的話／不中聴的話（続集）之聴不懂的話／「不中聴的話」之「一年前的話」

المؤلفون: Simon SHEN, 沈旭暉

المصدر: 華南研究 / The Journal of South China Studies. 2017, 3:17

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Growth and characterization of AlN films grown on Si(110) substrates by MOCVD / Si(110)基板上にAlN薄膜のMOCVD成長と評価

المؤلفون: Mitsuaki Shimizu, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Xu-Qiang Shen, 井手利英, 沈旭強, 清水三聡, 高橋言緒

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3185

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STEM observations of the self-generated micro-cracks in ultra-thin AlN/GaN super-lattice grown on Si(110) substrates / 走査透過型電子顕微鏡（STEM）によるSi(110)基板上に成長した極薄AlN/GaN超格子中の自己形成したマイクロクラックの観察

المؤلفون: Mitsuaki Shimizu, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Xu-Qiang Shen, 井手利英, 沈旭強, 清水三聡, 高橋言緒

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3101

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Effect of Drain Conductance in Equivalent Circuit Model for GIT Bi-directional Switch / GIT 双方向スイッチ等価回路モデルでのドレインコンダクタンスの効果

المؤلفون: Mitsuaki Shimizu, Nobuyuki Otsuka, Tatsuo Morita, Tetsuzo Ueda, Toshihide Ide, Xu-Qiang Shen, 上田哲三, 井手利英, 大塚信之, 森田竜夫, 沈旭強, 清水三聡

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :2825

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Mechanism of the strain modulation of GaN grown on Si substrates by a thin AlN/GaN superlattice interlayer / 薄いAlN/GaN超格子中間層によるSi基板上に成長されたGaN歪み変調のメカニズム

المؤلفون: Mitsuaki Shimizu, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Xu Qiang Shen, 井手利英, 沈旭強, 清水三聡, 高橋言緒

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :3310

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Growth GaN on 4-in.-diameter Si(110) substrates by MOCVD - Influence of the thin AlN/GaN superlattice interlayer periods - / MOCVDによる4インチSi(110)基板上へのGaN成長 ‐薄いAlN/GaN超格子中間層の周期数の影響‐

المؤلفون: mitsuaki shimizu, tokio takahashi, toshihide ide, xuqiang shen, 井手利英, 沈旭強, 清水三聡, 高橋言緒

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :3205

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Fabrication of GaN Varactor Diode / GaNバラクタダイオードの製作

المؤلفون: Hiroshi Chonan, Maki Kiuchi, Masao Shimada, Mitsuaki Shimizu, Taro Itatani, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Xu-Qiang Shen, Yuichi Sakamura, 井手利英, 坂村祐一, 島田雅夫, 木内真希, 板谷太郎, 沈旭強, 清水三聡, 長南紘志, 高橋言緒

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3058

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GIT双方向スイッチ等価回路モデルの高精度化 / High Accuracy Equivalent Circuit Model for GIT Bi-directional Switch

المؤلفون: Mitsuaki Shimizu, Nobuyuki Otsuka, Tatsuo Morita, Tetsuzo Ueda, Toshihide Ide, Xu-Qiang Shen, 上田哲三, 井手利英, 大塚信之, 森田竜夫, 沈旭強, 清水三聡

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3009

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Si(111)基板上に成長されたGaN歪みに薄いAlN/GaN超格子中間層の効果

المؤلفون: 井手利英, 坂村裕一, 植竹哲平, 沈旭強, 清水三聡, 高橋言緒

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :3158

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MOCVDによる4インチSi(110)基板上へのGaN成長と評価

المؤلفون: 井手利英, 沈旭強, 清水三聡, 高橋言緒

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :3999

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微傾斜サファイア(0001)基板上に成長したAlGaN/GaN HFETs特性の評価

المؤلفون: 井手利英, 沈旭強, 清水三聡

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :3716

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スーパージャンクション構造をもつAlGaN/GaN HEMTにおけるホール移動度の効果

المؤلفون: 井手利英, 沈旭強, 清水三聡, 長南紘志

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2011, :2598

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MOCVD法を用いたSi基板上へのGaN成長条件の検討

المؤلفون: 井出利英, 川島宏幸, 朴冠錫, 沈旭強, 清水三聡, 生方映徳, 田渕俊也, 矢野良樹, 高橋言緒

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2012, :3564

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薄いAlN/GaN超格子中間層によるSi(110)基板上のGaNの歪制御

المؤلفون: 井手利英, 坂村祐一, 植竹哲平, 沈旭強, 清水三聡, 高橋言緒

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2012, :3326

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AlGaN/AlN多層膜を用いたSi基板上のGaN成長の歪みの評価

المؤلفون: 井手利英, 坂本達哉, 沈旭強, 清水三聡, 若林成彰, 高梨良文

المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2012, :3269

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