يعرض 1 - 7 نتائج من 7 نتيجة بحث عن '"梶川 亮介"', وقت الاستعلام: 0.33s تنقيح النتائج
  1. 1
    Conference
    Experimental Demonstration of High-Gain CMOS Inverter at Low Vdd Down to 0.5 V Consisting of WSe2 n/p FETs

    المؤلفون: 川那子 高暢, Takamasa Kawanago, 松﨑 貴広, Takahiro Matsuzaki, 梶川 亮介, Ryosuke Kajikawa, 宗田 伊理也, Iriya Muneta, 星井 拓也, Takuya Hoshii, 角嶋 邦之, Kuniyuki Kakushima, 筒井 一生, Kazuo Tsutsui, 若林 整, Hitoshi Wakabayashi

    Relation: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100902941; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50674313

    الاتاحة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100902941

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    Conference
    トップゲートに自己整合したWOx S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe2バックチャネルpFET

    المؤلفون: 梶川 亮介, Ryosuke Kajikawa, 川那子 高暢, Takamasa Kawanago, 宗田 伊理也, Iriya Muneta, 星井 拓也, Takuya Hoshii, 角嶋 邦之, Kuniyuki KAKUSHIMA, 筒井 一生, KAZUO TSUTSUI, 若林 整, Hitoshi Wakabayashi

    Relation: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100903418; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50675699

    الاتاحة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100903418

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    Conference
    スパッタMoS2膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性

    المؤلفون: 今井 慎也, Shinya Imai, 梶川 亮介, Ryosuke Kajikawa, 川那子 高暢, Takamasa Kawanago, 宗田 伊理也, Iriya Muneta, 角嶋 邦之, Kuniyuki KAKUSHIMA, 辰巳 哲也, Tetsuya Tatsumi, 冨谷 茂隆, Shigetaka Tomiya, 筒井 一生, KAZUO TSUTSUI, 若林 整, Hitoshi Wakabayashi

    Relation: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100903419; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50675706

    الاتاحة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100903419

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    Conference
    Self-Aligned WOx S/D Contacts to Gate Stacks with TiOx Nucleation Layer by Multiple-Deposition Method in WSe2 pFETs

    المؤلفون: 梶川 亮介, Ryosuke Kajikawa, 川那子 高暢, Takamasa Kawanago, 宗田 伊理也, Iriya Muneta, 星井 拓也, Takuya Hoshii, 角嶋 邦之, Kuniyuki Kakushima, 筒井 一生, Kazuo Tsutsui, 若林 整, Hitoshi Wakabayashi

    Relation: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100902988; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50674414

    الاتاحة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100902988

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    Conference
    アルミニウムスカンジウム合金(AlSc)と酸化タングステン(WOx)をソース/ドレイン電極に用いたWSe2 n/p FETとCMOSインバータ応用

    المؤلفون: 川那子 高暢, Takamasa Kawanago, 梶川 亮介, Ryosuke Kajikawa, 水谷 一翔, Kazuto Mizutani, Tsai Sung Lin, Sung Lin Tsai, 宗田 伊理也, Iriya Muneta, 星井 拓也, Takuya Hoshii, 角嶋 邦之, Kuniyuki KAKUSHIMA, 筒井 一生, KAZUO TSUTSUI, 若林 整, Hitoshi Wakabayashi

    Relation: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100896549; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50661847

    الاتاحة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100896549

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    Academic Journal
    Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact

    المؤلفون: 川那子 高暢, Takamasa Kawanago, 梶川 亮介, Ryosuke Kajikawa, 水谷 一翔, Kazuto Mizutani, TSAI Sung Lin, Sung-Lin Tsai, 宗田 伊理也, Iriya Muneta, 星井 拓也, Takuya Hoshii, 角嶋 邦之, Kuniyuki Kakushima, 筒井 一生, Kazuo Tsutsui, 若林 整, Hitoshi Wakabayashi

    Relation: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100896543; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50661813

    الاتاحة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100896543

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    Academic Journal
    Experimental demonstration of high-gain CMOS Inverter operation at low Vdd down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs

    المؤلفون: 川那子高暢, Takamasa KAWANAGO, 松﨑貴広, Takahiro Matsuzaki, 梶川 亮介, Ryosuke Kajikawa, 宗田 伊理也, Iriya Muneta, 星井 拓也, Takuya HOSHII, 角嶋 邦之, Kuniyuki Kakushima, 筒井 一生, Kazuo TSUTSUI, 若林 整, Hitoshi WAKABAYASHI

    Relation: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100875615; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50621090

    الاتاحة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100875615

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء