يعرض 1 - 20 نتائج من 40 نتيجة بحث عن '"成田 好伸"', وقت الاستعلام: 0.40s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    Correlation between quantum efficiency of radiation in GaN crystals and the concentration of carbon impurity / GaN結晶の輻射量子効率と炭素不純物濃度の相関

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Hajime Fujikura, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu, Takehiro Yohida, Yoshinobu Narita, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 小島 一信, 成田 好伸, 秩父 重英, 藤倉 序章

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :1905

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  2. 2
    Academic Journal
    Characterization of contactless photoelectrochemical-etched Ni/n-GaN Schottky contacts --Comparison in different electrolytes-- / コンタクトレス光電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの評価 --電解液による違い--

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Kenji Shiojima, Noboru Fukuhara, Ryo Matsuda, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 吉田 丈弘, 堀切 文正, 塩島 謙次, 成田 好伸, 松田 陵, 福原 昇

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :1884

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  3. 3
    Academic Journal
    Roles of Threading Dislocations in Breakdown Phenomena of Vertical p-n Junction Diodes / 縦型p-nダイオードにおける貫通転位のブレークダウン現象への影響

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Hiroshi Ohta, Naomi Asai, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 太田 博, 成田 好伸, 浅井 直美

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :1880

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  4. 4
    Academic Journal
    Fabrication of recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs utilizing contactless photoelectrochemical (CL-PEC) etching (2) / コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲート AlGaN/GaN HEMT の作製 (2)

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Kazuki Miwa, Masachika Toguchi, Noboru Fukuhara, Osamu Ichikawa, Ryota Isono, Takeshi Tanaka, Taketomo Sato, Yoshinobu Narita, 三輪 和希, 佐藤 威友, 堀切 文正, 市川 磨, 成田 好伸, 渡久地 政周, 田中 丈士, 磯野 僚多, 福原 昇

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2021, :2436

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  5. 5
    Academic Journal
    Lowered on-resistance in p-n junction diodes with highly Ge-doped GaN substrate / 高濃度GeドープGaN基板によるp-n接合ダイオードの低オン抵抗化

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Hiroshi Ohta, Kazuhiro Mochizuki, Naomi Asai, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 太田 博, 成田 好伸, 望月 和浩, 浅井 直美

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2021, :2421

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  6. 6
    Academic Journal
    Contactless Photoelectrochemical Etching of n-GaN in K2S2O8/H3PO4 Mixed Solution / K2S2O8/H3PO4 混合溶液を用いた n-GaN のコンタクトレスエッチング

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Kazuki Miwa, Masachika Toguchi, Noboru Fukuhara, Takehiro Yoshida, Taketomo Sato, Yoshinobu Narita, 三輪 和希, 佐藤 威友, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 成田 好伸, 渡久地 政周, 福原 昇

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3237

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  7. 7
    Academic Journal
    Impact of Low TDD GaN Substrate on On-resistance of Vertical GaN p-n Diodes / 低転位密度GaN基板によるp-n接合ダイオードのオン抵抗低減効果

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Hiroshi Ohta, Naomi Asai, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 太田 博, 成田 好伸, 浅井 直美

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3194

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  8. 8
    Academic Journal
    Mapping of photo-electrochemical etched Ni/GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy (Ⅱ) --Comparison of n-type and p-type crystals-- / 界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/GaNショットキーの2次元評価 (Ⅱ) --n形とp形の比較--

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Kenji Shiojima, Ryo Matsuda, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 塩島 謙次, 成田 好伸, 松田 陵

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3177

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  9. 9
    Academic Journal
    Effects of carbon impurities and nonradiative recombination centers for quantum efficiency of radiation in GaN crystals / GaN結晶の輻射量子効率に対して炭素不純物および非輻射再結合中心が及ぼす影響

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Hajime Fujikura, Kazunobu Kojima, Shigefusa Chichibu, Takehiro Yoshida, Yoshinobu Narita, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 小島 一信, 成田 好伸, 秩父 重英, 藤倉 序章

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :2824

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  10. 10
    Academic Journal
    Observation of current decrease in tiny p-n junction diode on a threading dislocation / 転位上に形成した微小径p-n接合ダイオードにおける電流量減少

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Hiroshi Ohta, Naomi Asai, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 太田 博, 成田 好伸, 浅井 直美

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :2830

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  11. 11
    Academic Journal
    GaN の光電気化学(PEC)エッチングが有する可能性 ③加熱によるエッチング速度の向上 / Thermal assisted contactless photoelectrochemical (PEC) etching for GaN

    المؤلفون: FUMIMASA HORIKIRI, Hiroki Ogami, Hiroshi Ohta, Kazuki Miwa, Masachika Toguchi, Naomi Asai, Noboru Fukuhara, Takehiro Yoshida, Taketomo Sato, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 三輪 和希, 佐藤 威友, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 大神 洸貴, 太田 博, 成田 好伸, 浅井 直美, 渡久地 政周, 福原 昇

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :2777

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  12. 12
    Academic Journal
    Mapping of contactless photo-electrochemical etched Ni/n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy / 界面顕微光応答法によるコンタクトレス光電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Kenji Shiojima, Ryo Matsuda, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 塩島 謙次, 成田 好伸, 松田 陵

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :2779

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  13. 13
    Academic Journal
    Thermal-assisted generation of sulfate radicals for contactless photo electrochemical (PEC) etching of n-GaN / 加熱による硫酸ラジカルの生成とn-GaN光電気化学（PEC）エッチングへの応用

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Hiroki Ogami, Kazuki Miwa, Masachika Toguchi, Noboru Fukuhara, Takehiro Yoshida, Taketomo Sato, Yoshinobu Narita, 三輪 和希, 佐藤 威友, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 大神 洸貴, 成田 好伸, 渡久地 政周, 福原 昇

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :2778

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  14. 14
    Academic Journal
    Fabrication of recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs utilizing contactless photoelectrochemical (CL-PEC) etching / コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲート AlGaN/GaN HEMT の作製

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Kazuki Miwa, Masachika Toguchi, Noboru Fukuhara, Osamu Ichikawa, Ryota Isono, Takeshi Tanaka, Taketomo Sato, Yoshinobu Narita, 三輪 和希, 佐藤 威友, 堀切 文正, 市川 磨, 成田 好伸, 渡久地 政周, 田中 丈士, 磯野 僚多, 福原 昇

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :2776

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  15. 15
    Academic Journal
    Mesa-structure GaN p-n diodes fabricated by photoelectrochemical (PEC) etching / 光電気化学(PEC)エッチングによるメサ構造GaN p-n接合ダイオード

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Hiroshi Ohta, Naomi Asai, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 太田 博, 成田 好伸, 浅井 直美

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3053

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  16. 16
    Academic Journal
    Excellent potential of photoelectrochemical (PEC) etching for the vertical GaN superjunction devices / GaN の光電気化学(PEC)エッチングが有する可能性 ① 深堀りによる構造体の作製

    المؤلفون: FUMIMASA HORIKIRI, Hiroshi Ohta, Naomi Asai, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 太田 博, 成田 好伸, 浅井 直美

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3054

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  17. 17
    Academic Journal
    GaNの光電気化学(PEC)エッチング機構 / The mechanism of GaN photoelectrochemical (PEC) etching

    المؤلفون: FUMIMASA HORIKIRI, Takehiro Yoshida, Yoshinobu Narita, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 成田 好伸

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3052

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  18. 18
    Academic Journal
    Effect of wafer off-angles on defect formation in drift layers grown on freestanding GaN substrates / GaN自立基板上に成長したドリフト層中の欠陥生成におけるオフ角の影響

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Kenji Shiojima, Takehiro Yoshida, Tomohiro Sagawa, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 佐川 知大, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 塩島 謙次, 成田 好伸

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3037

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  19. 19
    Academic Journal
    Mapping of photo-electrochemical etched Ni/n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy / 界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価

    المؤلفون: Fumimasa Horikiri, Kenji Shiojima, Ryo Matsuda, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Yoshinobu Narita, 三島 友義, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 塩島 謙次, 成田 好伸, 松田 陵

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :2899

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  20. 20
    Academic Journal
    GaNの光電気化学(PEC)エッチングが有する可能性 ②コンタクトレスでのエッチング / Simple electrodeless photoelectrochemical (PEC) etching for the vertical GaN devices

    المؤلفون: FUMIMASA HORIKIRI, HIROSHI OHTA, KAZUKI MIWA, MASACHIKA TOGUCHI, NAOMI ASAI, NOBORU FUKUHARA, TAKEHIRO YOSHIDA, TAKETOMO SATO, TOMOYOSHI MISHIMA, YOSHINOBU NARITA, 三島 友義, 三輪 和希, 佐藤 威友, 吉田 丈洋, 堀切 文正, 太田 博, 成田 好伸, 浅井 直美, 渡久地 政周, 福原 昇

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :2878

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