المؤلفون: Hiraoka, Yoshiaki, Ikegami, Keisuke, Maekawa, Toru, Matsumoto, Satoshi

المصدر: NASDA Technical Memorandum. :29-41

مصطلحات موضوعية: InAs GaAs, 温度差, 国際宇宙ステーション, Soret effect, バイナリ半導体, International Space Station, moving boundary phase transition problem, 溶液結晶界面, solution crystal interface, 結晶成長法, ソレー効果, 境界フィット法, 運動境界相転移問題, InAs-GaAs, 微小重力, boundary fit method, crystal growth method, 2元結晶, gジッタ, microgravity, concentration difference, 重力加速, 濃度差, single component crystal, binary crystal, 単成分結晶, temperature difference, binary semiconductor, gravitational acceleration, g jitter

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::ef391975ab1ceb37252564d811c9771d
http://id.nii.ac.jp/1696/00041990/

Additional Titles: 微小重力条件でのInAs-GaAsバイナリ半導体の結晶成長の数値解析

المؤلفون: Hiraoka, Yoshiaki, Ikegami, Keisuke, Maekawa, Toru, Matsumoto, Satoshi, 平岡 良章, 不明, 前川 透, 松本 聡

مصطلحات الفهرس: InAs GaAs, binary semiconductor, microgravity, crystal growth method, binary crystal, solution crystal interface, boundary fit method, moving boundary phase transition problem, International Space Station, g jitter, Soret effect, temperature difference, concentration difference, gravitational acceleration, single component crystal, InAs-GaAs, バイナリ半導体, 微小重力, 結晶成長法, 2元結晶, 溶液結晶界面, 境界フィット法, 運動境界相転移問題, 国際宇宙ステーション, gジッタ, ソレー効果, 温度差, 濃度差, 重力加速, 単成分結晶, Technical Report, jaxa, 宇宙開発事業団