يعرض 1 - 20 نتائج من 38 نتيجة بحث عن '"分島 彰男"', وقت الاستعلام: 0.41s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    GaN/カーボン材料の低熱抵抗界面を目的としたAu低温接合

    المؤلفون: Akio Wakejima, Atsushi Tanaka, Kai Takeuchi, Tadatomo Suga, 分島 彰男, 田中 敦之, 竹内 魁, 須賀 唯知

    المصدر: Proceedings of JSPE Semestrial Meeting. 2021, :699


    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    Academic Journal
    GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性 / Recess Length Dependence of Electrical Characteristics of GaN Gated-Anode Diodes

    المؤلفون: Akio Wakejima, Hidemasa Takahashi, Jun Suda, Ryohei Yamaguchi, Yuji Ando, 分島 彰男, 安藤 裕二, 山口 椋平, 須田 淳, 高橋 英匡

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :1881

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    Academic Journal
    表面活性化によるGaN/カーボン材のAu層を介した低温接合

    المؤلفون: 分島 彰男, 田中 敦之, 竹内 魁, 須賀 唯知

    المصدر: Proceedings of JIEP Annual Meeting. 2021, :17-03


    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    Academic Journal
    Transient Thermal Measurement of Anisotropic Heat Conductive Carbon / 異方性熱伝導カーボン材の過渡熱特性の測定

    المؤلفون: Akio Wakejima, Aozora Fukui, Hiroto Saito, Lei Li, Li Lei, Tomohiro Obata, 分島 彰男, 小畑 智弘, 福井 青空, 齊藤 裕人

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2021, :2876

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    Academic Journal
    Fabrication of a 150 nm Gate AlGaN/GaN HEMT Using i-Line Stepper / i線ステッパーを用いた150 nmゲートAlGaN/GaN HEMTの作製

    المؤلفون: Akio Wakejima, Hidemasa Takahashi, Jun Suda, Yuji Ando, 分島 彰男, 安藤 裕二, 須田 淳, 高橋 英匡

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2021, :2435

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    Academic Journal
    Electrical Characteristics of Gated-Anode Diodes using GaN HEMT with Recessed Gate Structure / ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性

    المؤلفون: Akio Wakejima, Hidemasa Takahashi, Jun Suda, Momoe Shojima, Yuji Ando, 分島 彰男, 安藤 裕二, 生島 百恵, 須田 淳, 高橋 英匡

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2021, :2424

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    Academic Journal
    AlGaN/GaN ホール効果測定素子の電流-電圧特性の基板依存性 / Substrate dependence of current-voltage characteristics in AlGaN/GaN Hall devices

    المؤلفون: Akio Wakejima, Daiki Tanaka, Jun Suda, Yuji Ando, 分島 彰男, 安藤 裕二, 田中 大貴, 須田 淳

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2021, :2419

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    Academic Journal
    AlGaN Donor Layer Thickness Dependence of Electric Characteristics of GaN-HEMTs / GaN-HEMTの電気的特性のAlGaN電子供給層厚依存性

    المؤلفون: Akio Wakejima, Hidemasa Takahashi, Jun Suda, Ryohei Yamaguchi, Yuji Ando, 分島 彰男, 安藤 裕二, 山口 椋平, 須田 淳, 高橋 英匡

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :2782

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    Academic Journal
    Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN Field Effect Diode for Wireless Power Transmission / 無線電力伝送用AlGaN/GaN電界効果型ダイオードの作製と評価

    المؤلفون: Akio Wakejima, Kenji Itoh, Ryuichiro Kamimura, Takashi Egawa, Yamato Osada, naoki kato, 上村 隆一郎, 伊東 建治, 分島 彰男, 加藤 直樹, 江川 孝志, 長田 大和

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3123

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    Academic Journal
    Breakdown and C-V Characteristics in Normally-off GaN HEMT under Diode Operation / ノーマリオフ GaN HEMTのダイオード動作における耐圧および容量特性

    المؤلفون: egawa takashi, ito kenji, kamimura ryuichiro, nagai takaya, naoki kato, narita tomotaka, osada yamato, wakejima akio, 上村 隆一郎, 伊東 健治, 分島 彰男, 加藤 直樹, 成田 智隆, 永井 昂哉, 江川 孝, 長田 大和

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3130

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  11. 11
    Academic Journal
    Temperature Characteristics in δ-doped GaN Cap/AlGaN/GaN Heterostrucutre / δドープGaNキャップ/AlGaN/GaN構造の温度特性

    المؤلفون: Akio Wakejima, Ryuichiro Kamimura, Takashi Egawa, Takaya Nagai, Yamato Osada, naoki kato, 上村 隆一郎, 分島 彰男, 加藤 直樹, 永井 昂哉, 江川 孝志, 長田 大和

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :2850

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  12. 12
    Academic Journal
    Diode Operation in Normally-off GaN HEMT with High Controllability of Threshold Voltage / 高い閾値制御性を有するノーマリオフ GaN HEMT のダイオード特性

    المؤلفون: Akio Wakejima, Kenji Itou, Naoki Kato, Ryuichiro Kamimura, TAKAYA NAGAI, Takashi Egawa, Tomotaka Narita, Yamato Osada, 上村 隆一郎, 伊東 健治, 分島 彰男, 加藤 直樹, 成田 知隆, 永井 昂哉, 江川 孝志, 長田 大和

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :2849

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  13. 13
    Academic Journal
    Analysis of carrier capture and emission in AlGaN/GaN HEMT with bias-controllable filed plate / 独立電圧印加型Filed Plate電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのキャリア捕獲・放出解析

    المؤلفون: Akio Wakejima, Suguru Mase, Takashi Egawa, 分島 彰男, 江川 孝志, 間瀬 駿

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :2843

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  14. 14
    Academic Journal
    Threshold Voltage fluctuation in Normally-off GaN based transistor by selective area growth technique / 選択再成長を用いたノーマリーオフGaN系トランジスタの閾値のばらつきの検討

    المؤلفون: Akio Wakejima, Keita Inoue, Takashi Egawa, Tomotaka Narita, 井上 恵太, 分島 彰男, 成田 知隆, 江川 孝志

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :2828

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  15. 15
    Academic Journal
    AlGaN/GaN HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散の温度依存性 / Temperature dependence on frequency dispersion of drain conductance in AlGaN/GaN HEMT

    المؤلفون: Akio Wakejima, Keiichi Tamesue, Takashi Egawa, Tomotaka Narita, Yuki Katayama, 分島 彰男, 成田 知隆, 江川 孝志, 為末 圭一, 片山 雄貴

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :2827

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  16. 16
    Academic Journal
    GaN系HEMTのノーマリオフ化に向けた選択ドライエッチング / Selective dry-etching technologies for normally-off GaN HEMTs

    المؤلفون: Akihiro Ando, Akio Wakejima, Ryuichiro Kamimura, Takashi Egawa, Yamato Osada, 上村 隆一郎, 分島 彰男, 安藤 彰浩, 江川 孝志, 長田 大和

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :3024

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  17. 17
    Academic Journal
    Analysis of transient characteristics of GaN HEMT using Field Plate which applies voltage independently / 独立印加型Field Plate電極を用いたGaN系HEMTの過渡特性解析

    المؤلفون: Akio Wakejima, Suguru Mase, Takashi Egawa, 分島 彰男, 江川 孝志, 間瀬 駿

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :3021

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  18. 18
    Academic Journal
    Electron-temperature estimation of AlGaN/GaN HEMTs based on Electro-Luminescence / エレクトロルミネッセンスを用いたAlGaN/GaN HEMTの電子温度の見積もり

    المؤلفون: Akio Wakejima, Takashi Egawa, Tomotaka Narita, Yuichi Fujimoto, 分島 彰男, 成田 知隆, 江川 孝志, 藤本 裕一

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :3020

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  19. 19
    Academic Journal
    AlGaN/GaN HEMTの電子捕獲における活性化エネルギー見積もり / Estimation of active energy during electron capture process in AlGaN/GaN HEMT

    المؤلفون: Akio Wakejima, Takashi Egawa, Tomotaka Narita, Yuki Katayama, 分島 彰男, 成田 知隆, 江川 孝志, 片山 雄貴

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :2909

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  20. 20
    Academic Journal
    Novel Overlaid Field Plate for Improvement of Drain I-V Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs / Overlaid Field PlateによるAlGaN/GaN HEMTのドレインI-V特性改善

    المؤلفون: Akio Wakejima, Suguru Mase, Takashi Egawa, 分島 彰男, 江川 孝志, 間瀬 駿

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :2915

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء