يعرض 1 - 20 نتائج من 64 نتيجة بحث عن '"中野 由崇"', وقت الاستعلام: 0.53s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    Electrical Characterization of Si-Doped β-Ga2O3 (010) Single Crystals Annealed at High Temperatures / 高温度アニール処理したSiドープβ-Ga2O3(010)単結晶の電気特性評価

    المؤلفون: Akira Toyotome, Riku Suzuki, Yoshitaka Nakano, Yuki Yasuda, 中野 由崇, 安田 優綺, 豊留 彬, 鈴木 陸

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2021, :2963

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    Academic Journal
    Ultraviolet- and Visible-light Photocatalytic Activities of Anatase/Rutile-Mixed Phase TiO2 Nanoparticles Annealed with Low-Temperature O2 Plasma at Atmospheric-Pressure / 大気圧低温O2プラズマ支援熱処理したアナターゼ/ルチル混晶型TiO2ナノ粒子の紫外/可視光触媒活性

    المؤلفون: Masahito Niibe, Retsuo Kawakami, Takashi Mukai, Yoshitaka Nakano, Yuki Mimoto, shin-ichiro Yanagiya, 中野 由崇, 向井 孝志, 味元 勇樹, 川上 烈生, 新部 正人, 柳谷 伸一郎

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2021, :1520

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    Academic Journal
    Ar+イオン照射により生成するp型GaNの電気的ダメージ評価 / Study of Electrical Damage Introduced into p-Type GaN by Ar+ Ion Bombardments

    المؤلفون: Akira Toyotome, Yoshitaka Nakano, 中野 由崇, 豊留 彬

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3217

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    Academic Journal
    Electrical Characterization of n-Type Si-Doped β-Ga2O3 Homoepitaxial Films / HVPE法で結晶成長したn型Siドープβ-Ga2O3ホモエピ膜の電気的評価

    المؤلفون: Akira Toyotome, Yoshitaka Nakano, 中野 由崇, 豊留 彬

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3199

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    Academic Journal
    CF4プラズマ処理したp型GaNの電気的ダメージ評価 / Study of Electrical Damage Introduced into p-Type GaN by CF4 Plasma Treatments

    المؤلفون: Akira Toyotome, Masahito Niibe, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano, 中野 由崇, 川上 烈生, 新部 正人, 豊留 彬

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :2804

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    Academic Journal
    Deep-Level Defect Investigation of Si-Doped β-Ga2O3 Homoepitaxial Films Grown by Halide Vapor Phase Epitaxy / HVPE法で結晶成長したSiドープβ-Ga2O3ホモエピ膜の欠陥準位評価

    المؤلفون: Akira Toyotome, Yoshitaka Nakano, 中野 由崇, 豊留 彬

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :3686

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    Academic Journal
    3C-SiC/Si基板上に作製したAlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性 / Turn-On Capacitance Recovery Characteristics of AlGaN/GaN/GaN:C Hetero-Structures Grown on 3C-SiC/Si Substrates

    المؤلفون: Keisuke Kawamura, Koichi Kitahara, Mitsuhisa Narukawa, Sumito Ouchi, Yoshitaka Nakano, 中野 由崇, 北原 功一, 大内 澄人, 川村 啓介, 生川 満久

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :2916

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    Academic Journal
    Electrical Characterization of β-Ga2O3 Homo-Epitaxial Films Grown by Halide Vapor Phase Epitaxy / HVPE法で結晶成長したβ-Ga2O3ホモエピ膜の電気的評価

    المؤلفون: Yoshitaka Nakano, 中野 由崇

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :4093

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    Academic Journal
    Electrical Characterization of p-GaN Film Homo-Epitaxially Grown on Free-Standing GaN Substrate / GaN自立基板上にホモエピタキシャル成長したp-GaN膜の電気的評価

    المؤلفون: Yoshitaka Nakano, 中野 由崇

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3145

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    Academic Journal
    Electrical Characterization of β-Ga2O3 single crystal substrate / β-Ga2O3単結晶基板の電気的評価

    المؤلفون: Yoshitaka Nakano, 中野 由崇

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3987

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  11. 11
    Academic Journal
    Gas ratio dependency of GaN damage on argon-chlorine plasma / アルゴン-塩素プラズマにおけるGaNダメージのガス比依存性

    المؤلفون: Daisuke Ogawa, Keiji Nakamura, Yoshitaka Nakano, Yoshitsugu Banno, 中村 圭二, 中野 由崇, 伴野 良継, 小川 大輔

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :1678

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  12. 12
    Academic Journal
    CF4 プラズマ処理したn-GaN 膜の電気的評価 / Electrical Characterization of n-GaN Films Treated by CF4 Plasma

    المؤلفون: Masahito Niibe, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano, Yusuke Sakai, 中野 由崇, 坂井 佑輔, 川上 烈生, 新部 正人

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3099

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  13. 13
    Academic Journal
    AlGaN表面特性への酸素プラズマ照射効果 / Effect of Oxygen Plasma Irradiation on AlGaN Surface Properties

    المؤلفون: Chisato Azuma, Masahito Niibe, Retsuo Kawakami, Ryo Tanaka, Takashi Mukai, Yoshitaka Nakano, Yuma Araki, 中野 由崇, 向井 孝志, 川上 烈生, 新部 正人, 東 知里, 田中 良, 荒木 佑馬

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :1695

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  14. 14
    Academic Journal
    Electrical Characterization of Free-Standing 3C-SiC(111) Substrates Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy / ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価

    المؤلفون: Hidetoshi Asamura, Keisuke Kawamura, Mitsuhisa Narukawa, Sumito Oouchi, Toru Inagaki, Yoshitaka Nakano, 中野 由崇, 大内 澄人, 川村 啓介, 浅村 英俊, 生川 満久, 稲垣 徹

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3238

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  15. 15
    Academic Journal
    Si基板上AlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性 / Turn-On Capacitance Recovery Characteristics of AlGaN/GaN/GaN:C Hetero-Structures Grown on Si Substrates

    المؤلفون: Akihito Chikamatsu, Yoshitaka Nakano, 中野 由崇, 近松 晃仁

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :2851

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  16. 16
    Academic Journal
    Turn-On Capacitance Recovery Characteristics of Carbon-Doped AlGaN/GaN Hetero-Structures Grown on Si Substrates / 炭素ドープしたSi基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の容量回復特性

    المؤلفون: Akihito Chikamatsu, Yoshitaka Nakano, 中野 由崇, 近松 晃仁

    المصدر: Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan. 2016, :252


    أضف إلى المفضلة
  17. 17
    Academic Journal
    CF4プラズマ処理したn-GaN膜の電気的ダメージ / Electrical Damage in n-GaN Films Treated by CF4 Plasma

    المؤلفون: Masahito Niibe, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano, 中野 由崇, 川上 烈生, 新部 正人

    المصدر: Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan. 2016, :251


    أضف إلى المفضلة
  18. 18
    Academic Journal
    Characteristics of AlGaN Surfaces Etched by UV Light-Assisted CF4 Plasma / 紫外光アシストCF4プラズマでエッチンングされたAlGaN表面分析

    المؤلفون: Chisato Azuma, Masahito Niibe, Noritaka Takehira, Retsuo Kawakami, Shodai Hirai, Takashi Mukai, Yoshitaka Nakano, Yuma Araki, 中野 由崇, 向井 孝志, 川上 烈生, 平井 翔大, 新部 正人, 東 知里, 竹平 徳崇, 荒木 佑馬

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :1672

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  19. 19
    Academic Journal
    Irradiation Effect of Oxygen Plasma on TiO2 Thin Films / 酸化チタン薄膜表面への酸素プラズマ照射効果

    المؤلفون: Chisato Azuma, Masahito Niibe, Noritaka Takehira, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano, Yuma Araki, 中野 由崇, 川上 烈生, 新部 正人, 東 知里, 竹平 徳崇, 荒木 佑馬

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :1673

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
  20. 20
    Academic Journal
    Effect of Argon and Chlorine Plasma to GaN Films / 窒化ガリウム薄膜に対するアルゴンおよび塩素プラズマの効果

    المؤلفون: Daisuke Ogawa, Keiji Nakamura, Yoshitaka Nakano, Yoshitsugu Banno, 中村 圭二, 中野 由崇, 伴野 良継, 小川 大輔

    المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :1622

    View record in JSTAGE

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء