المؤلفون: Darsavelidze, Giorgi, Shamatava, Kakhaber, Sichinava, Avtandil, Kadaria, Marina, Abramishvili, Roman

المصدر: Georgian Scientists; Vol. 5 No. 3 (2023); 43-53 ; ქართველი მეცნიერები; ტომ. 5 No. 3 (2023); 43-53 ; 2667-9760

مصطلحات موضوعية: p-type silicon, high-energy electrons, Vickers indenter, elastic modulus, contact pressure, electrical resistivity, holes mobility, p-ტიპის სილიციუმი, მაღალენერგეტიკული ელექტრონები, ვიკერსის ინდენტორი, დრეკადობის მოდული, საკონტაქტო წნევა, ელექტროწინაღობა, ხვრელების ძვ

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://journals.4science.ge/index.php/GS/article/view/1952/1935; https://journals.4science.ge/index.php/GS/article/view/1952

الاتاحة: https://journals.4science.ge/index.php/GS/article/view/1952
https://doi.org/10.52340/2023.05.03.06