المؤلفون: M. V. Stepushkin, V. G. Kostishyn, V. E. Sizov, A. G. Temiryazev, М. В. Степушкин, В. Г. Костишин, В. Е. Сизов, A. Г. Темирязев

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 21, № 4 (2018); 227-232 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 21, № 4 (2018); 227-232 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2018-4

مصطلحات موضوعية: квантовая проводимость канала, atomic-force microscope, two-dimensional electron gas, nanostructure, pulsed force nanolithography, local anode oxidation, channel quantum conductance, атомно-силовой микроскоп, двумерный электронный газ, наноструктура, импульсная силовая нанолитография, метод локального анодного окисления

Relation: Wagner R. S., Ellis W. C. Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4, Iss. 5. P. 89—90. DOI:10.1063/1.1753975; Yu D. P., Bai Z. G., Ding Y., Hang Q. L., Zhang H. Z., Wang J. J., Zou Y. H., Qian W., Xiong G. C., Zhou H. T., Feng S. Q. Nanoscale silicon wires synthesized using simple physical evaporation // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72, Iss. 26. P. 3458—3460. DOI:10.1063/1.121665; Beenakker C. W. J., van Houten H. Quantum transport in semiconductor nanostructures // Solid State Phys. 1991. V. 44. P. 1—228. DOI:10.1016/S0081-1947(08)60091-0; Berggern K.-F., Pepper M. Electrons in one dimension // Phil. Trans. R. Soc. A. 2010. V. 368, Iss. 1914. P. 1141—1162. DOI:10.1098/rsta.2009.0226; Davies J. H., Larkin I. A., Sukhorukov E. V. Modeling the patterned two-dimensional electron gas: Electrostatics // J. Appl. Phys. 1995. V. 77, Iss. 9. P. 4504—4512. DOI:10.1063/1.359446; Борисов В. И., Лапин В. Г., Темирязев А. Г., Торопов А. И., Чмиль А. И. Особенности квантования кондактанса одномерных каналов, полученных методом травления // Радиотехника и электроника. 2009. Т. 54, № 4. С. 488—492.; Pepper M., Smith C. G., Brown R. J., Wharam D. A., Kelly M. J., Newbury R., Ahmed H., Hasko D. G., Peacock D. C., Frost J. E. F., Ritchie D. A., Jones G. A. C. One-dimensional ballistic transport of electrons // Semicond. Sci. Technol. 1990. V. 5, N 12. P. 1185. DOI:10.1088/0268-1242/5/12/007; Nieder J., Wieck A. D., Grambow P., Lage H., Heitmann D., von Klitzing K., Ploog K. One-dimensional lateral-field-effect transistor with trench gate-channel insulation // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57, Iss. 25. P. 2695—2697. DOI:10.1063/1.103803; Wieck A. D., Ploog K. In-plane-gated quantum wire transistor fabricated with directly written focused ion beams // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56, Iss. 10. P. 928—930. DOI:10.1063/1.102628; Tip-Based Nanofabrication. Fundamentals and Applications / Ed. A. A. Tseng. New York: Springer-Verlag, 2011. 466 p. DOI:10.1007/978-1-4419-9899-6; Ghandhi S. K. VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide. New York: Wiley, 1994. 864 p.; Held R., Vancura T., Heinzel T., Ensslin K., Holland M., Wegscheider W. In-plane gates and nanostructures fabricated by direct oxidation of semiconductor heterostructures with an atomic force microscope // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73, Iss. 2. P. 262—264. DOI:10.1063/1.121774; Matsumoto K. Application of scanning tunneling/atomic force microscope nanooxidation process to room temperature operated single electron transistor and other devices // Scanning Microscopy. 1998. V. 12, N 1. P. 61—69.; Борисов В. И., Лапин В. Г., Сизов В. Е., Темирязев А. Г. Транзисторные структуры с управляемым потенциальным рельефом одномерного квантового канала // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37, № 3. C. 85—92. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/12472; Мельников М. Ю., Храпай В. С., Schuh D. Создание наноструктур в гетеропереходе с глубоким залеганием двумерного электронного газа методом высоковольтной анодно-окислительной литографии с использованием атомно-силового микроскопа // Приборы и техника эксперимента. 2008. № 4. C. 137—144.; Baer S., Ensslin K. Transport spectroscopy of confined fractional quantum hall systems // Springer Series in Solid-State; Sciences. V. 183. Springer, 2015. 308 p. DOI 10.1007/978-3-319-21051-3; Temiryazev A. Pulse force nanolithography on hard surfaces using atomic force microscopy with a sharp single-crystal diamond tip // Diamond and Related Materials. 2014. V. 48. P. 60—64. DOI:10.1016/j.diamond.2014.07.001; Темирязева М. П., Данилов Ю. А., Здоровейщев А. В., Кудрин А. В., Темирязев А. Г. Структурирование магнитных пленок CoPt с помощью АСМ // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 2016. Т. 1. C. 328—329.; Jin Y. Ohmic contact to n-type bulk and δ doped Al0.3Ga0.7As/GaAs MODFET type heterostructures and its applications // Solid-State Electron. 1991. V. 34, Iss. 2. P. 117—121. DOI:10.1016/0038-1101(91)90076-B; Göktaş O., Weber J., Weis J., von Klitzing K. Alloyed ohmic contacts to two-dimensional electron system in AlGaAs/GaAs heterostructures down to submicron length scale // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2008. V. 40, Iss. 5. P. 1579—1581. DOI:10.1016/j.physe.2007.09.115; Курочка С. П., Степушкин М. В., Борисов В. И. Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом // Известия вузов. Материалы электрон. техники. 2016. Т. 19, № 4. C. 271—278. DOI:10.17073/1609-3577-2016-4-271-278; Борисов В. И., Кувшинова Н. А., Курочка С. П., Сизов В. Е., Степушкин М. В., Темирязев А. Г. Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии // ФТП. 2017. Т. 51, Вып. 11. С. 1534—1537. DOI:10.21883/FTP.2017.11.45106.20; https://met.misis.ru/jour/article/view/283

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/283
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-4-227-232

المؤلفون: Бурмистров, Евгений Романович, Авакянц, Лев Павлович

المصدر: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 12. С. 126-136

مصطلحات موضوعية: гетероструктуры, фотолюминесценция, электролюминесценция, квантовые ямы, излучение, электронный газ

وصف الملف: application/pdf

Relation: koha:001133775; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133775

الاتاحة: https://doi.org/10.17223/00213411/66/12/15
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133775

المؤلفون: Arteev, Dmitri, Sakharov, Alexei, Nikolaev, Andrey, Zavarin, Evgenii, Tsatsulnikov, Andrey

مصطلحات موضوعية: транзистор с высокой подвижностью электронов, multichannel, AlGaN, 2DEG, двумерный электронный газ, многоканальный, HEMT, GaN

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce2b790f4e6d57b56c5624390f82e82d

المؤلفون: Кравченко, Владимир Иванович, Яковенко, Игорь Владимирович

مصطلحات موضوعية: электромагнитное поле, поток заряженных частиц, электронный газ, черенковское излучение, потенциальный барьер, electromagnetic field, electron gas, Cherenkov radiation, potential barrier, flow of charged particles

وصف الملف: application/pdf

Relation: Кравченко В. И. Возбуждение колебаний двумерного электронного слоя токами, наведенными внешним излучением / В. И. Кравченко, И. В. Яковенко // Вісник Нац. техн. ун-ту "ХПІ" : зб. наук. пр. Сер. : Техніка та електрофізика високих напруг = Bulletin of the National Technical University "KhPI" : coll. sci. papers. Ser. : Technique and Electrophysics of High Voltage. – Харків : НТУ "ХПІ", 2018. – № 14 (1290). – С. 44-48.; http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/36421

الاتاحة: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/36421

المؤلفون: B. T. Abdulazizov, Б. Т. Абдулазизов

المصدر: Alternative Energy and Ecology (ISJAEE); № 16-18 (2017); 148-154 ; Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE); № 16-18 (2017); 148-154 ; 1608-8298

مصطلحات موضوعية: численное моделирование, InAs, AlSb, two dimensional electron gases, sub bands, filling of sub bands, no parabolic dispersions, cyclotron mass, numerical simulation, квазидвумерный электронный газ, мини-зоны, заполнение мини-зон, непараболичные дисперсии, циклотронная масса

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://www.isjaee.com/jour/article/view/1093/965; Warburton, R.J. Intersubband Resonances in InAsAlSb Quantum Wells: Selection Rules, Matrix Elements, and the Depolarization Field [Text] / R.J. Warburton [et al.] // Physical Review B. – 1996. – Vol. 53. – P. 7903; doi:/10.1103/PhysRevB.53.7903; Larrabee, D.C. Temperature Dependence of Intersubband Transitions in InAs/AlSb Quantum Wells [Text] / D.C. Larrabee [et al.] // Applied Physics Letters. – 2003. – Vol. 83. – P. 3936; doi: /10.1063/1.1626264; Sadofyev, Yu.G. Large g-factor enhancement in high-mobility InAs/AlSb quantum wells [Text] / Yu.G. Sadofyev [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2005 – Vol. 86. – P. 192109.; Алешкин, В.Я. Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs/lSb с квантовыми ямами [Текст] / В.Я. Алешкин [др.] // ФТП. – 2005. – Т. 39. – С. 71.; Драгунов, В.П. Основы наноэлектроники: Учебное пособие / В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. – М.: Университетская книга; Логос; Физматкнига, 2006. – 496 с.; Gulyamov, G. Effects of band nonparabolicity and band offset on the electron gas properties in InAs/AlSb quantum well [E-resource] / G. Gulyamov, B.T. Abdulazizov, P.J. Baymatov // Journal of Modern Physics. – 2016. – Vol. 7. – P. 1644–1650. Available on: http://www.scirp.org/journal/jmp (10.12.2016); Абдулазизов, Б.Т. О статистике электронов в квантовой яме InAs/AlSb [Электронный ресурс] / Б.Т. Абдулазизов, M.С. Тохиржонов, П.Ж. Байматов // Сборник публикаций ультидисциплинарного научного журнала «Архивариус». VII Международная научно-практическая конференция «Наука в современном мире» (19 марта 2016), г. Киев. – С. 6–9. Режим доступа: http://archivarius.org.ua/Archive/new/Arkhivarius_19_03_2016.pdf (Дата обращения: 12.10.2106).; https://www.isjaee.com/jour/article/view/1093

الاتاحة: https://www.isjaee.com/jour/article/view/1093
https://doi.org/10.15518/isjaee.2017.10-12.148-154

المؤلفون: Filimonov, Alexey, Bondarenko, Vyacheslav, Kumar, Ravi

مصطلحات موضوعية: two-dimensional electron gas, естественный размерный эффект, хаотический потенциал, natural size effect, двумерный электронный газ, гетероконтакт III-нитридов, III-nitride heterojunction, chaotic potential

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::062f1f37a266de5101e67f6e329a834a

المؤلفون: K. L. Enisherlova, V. G. Goryachev, T. F. Rusak, S. A. Kapilin, К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 2 (2015); 137-145 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 2 (2015); 137-145 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2015-2

مصطلحات موضوعية: гетероструктуры AlGaN/GaN, вольт-фарадные характеристики, зонная диаграмма, частотные измерения, пассивирующий слой, двухмерный электронный газ, дислокация, резерфордовское обратное рассеяние, capacity−voltage characteristic, frequency measurement, band diagram, 2D electron gas, dislocation, Rutherford backscattering

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/171/160; Green, B. M. The effect of surface passivation on the microwave characteristics of undoped AlGaN/GaN HEMTs / B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, L. F. Eastman // IEEE Electron Device Lett. − 2000. −V. 21, N 6. − P. 268—270. DOI:10.1109/55.843146; Liu, W. L. Capacitance−voltage spectrocopy of trapping states in GaN/AlGaN heterostructure field−effect transistors / W. L. Liu, Y. L. Chen, A. A. Balandin, K. L. Wang // J. Nanоelectronics and Optoelectronics. − 2006. − V. 1. − P. 258—263.; Arulkumaran, S. Studies on the influences of i−GaN, n−GaN, p−GaN and InGaN cap layers in AlGaN/GaN high−electron−mobility transistors/ S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa // Jap. J. Appl. Phys. − 2005. − V. 44. − P. 2953—2960.; Vertiachikh, A. V. Effect of the surface and barrier defects on the AlGaN/GaN HEMT low−frequency noise performance / A. V. Vertiachikh, L. F. Eastman // IEEE Electron Dev. Lett. − 2003. − V. 24, N 9. − P. 535—537. DOI:10.1109/LED.2003.816588; Derluyn, J. Improvement of AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures by in situ deposition of a Si3N4 surface layer/ J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen, J. Das, W. Ruythooren, S. Degroote, M. R. Leys, M. Germain, G. Borghs // J. Appl. Phys. − 2005. − V. 98. − P. 054501−1−5; Kroemer, H. Measurement of isotype heterojunction barriers by C−V profiling/ H. Kroemer, Wu−Yi Chien, J. S. Harris (Jr), D. D. Edwall // Appl. Phys. Lett. − 1980. − V. 36, N 4. − P. 295—297. DOI:10.1063/1.91467; Enisherlova, K. L. AlGaN/GaN heterostructure study using Rutherford backscattering spectrometry / K. L. Enisherlova, V. S. Kulikauskas, V. V. Zatekin, T. F. Rusak, N. B. Gladysheva, I. I. Razguleyaev // J. Surf. Investigation, X−ray, Synchrotron and Neutron Techniq. − 2011. − V. 5, N 4. − P. 626—635.; Брунков, П. Н. Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками. Дисс. … докт. физ.−мат. наук / П. Н. Брунков. − СПб., 2007.; Ambacher, O. Two−dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N− and Ga− gace AlGaN/ GaN heterostructures/ O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murhy, W. J. Schaff, L. F. Eastman // J. Appl. Phys. − 1999. − V. 85, N 6. − P. 3222—3233.; Ibbetson, J. P. Polarization effects, surface states, and the sourface of electrons in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor/ J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra // Appl. Phys. Lett. − 2000. − V. 77, N 2. − P. 250—252; Yu, E. T. Spontaneous and piezoelectric polarization effects in III−V nitride heterostructures / E. T. Yu, X. Z. Dang, P. M. Asbeck, S. S. Lau // J. Vac. Sci. Technol. B. − 1999. − V. 17, N 4. − P.1742—1749.; Dawei, Y. Capacitance and conduction dispersion in AlGaN/GaN heterostructure/ Yan Dawei, Wang Fuxue, Zhu Zhaomin, Cheng Jianmin, Gu Xiaofeng // J. Semiconductors. − 2013. − V. 34, N 1. − P. 014003−1−4.; https://met.misis.ru/jour/article/view/171

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/171
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-137-145

المؤلفون: K. K. Abgaryan, К. К. Абгарян

المساهمون: Russian Foundation for Basic Research (Grant No. 16–08–01178), РФФИ (грант № 16-08-01178)

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 19, № 2 (2016); 108-114 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 19, № 2 (2016); 108-114 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2016-2

مصطلحات موضوعية: многомасштабное моделирование, heterostructure, mobility of charge carriers, two-dimensional electron gas, optimization algorithms, multiscale modeling, гетероструктура, подвижность, двумерный электронный газ, алгоритмы оптимизации

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/270/226; Лукашин, В. М. Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием / В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, Е. И. Голант, А. А. Капралова // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, № 5. - С. 684—692.; Abgaryan, K. K. Computational model of 2DEG mobility in the AlGaN/GaN heterostructures / K. K. Abgaryan, I. V. Mutigullin, D. L. Reviznikov // Physica status solidi (c). - 2015. - V. 12, N 4-5. P. 460—465. DOI:10.1002/pssc.201400200; Абгарян, К. К. Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов / К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2016.- Т. 56, № 1. С. 155—166. DOI:10.7868/S004446691601004X; Kohn, W. Self-consistent equations including exchange and correlation effects / W. Kohn, L. J. Sham // Phys. Rev. - 1965. - V. 140. - P. A1133—A1138. DOI:10.1103/PhysRev.140.A1133; Kresse, G. Efficient iterative schemes for ab initio total- energy calculations using a plane-wave basis set / G. Kresse, J. Furthmüller // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 54, N 16. - P. 11169—11186. DOI:10.1103/PhysRevB.54.11169; Vasileska, D. Computational electronics: semiclassical and quantum device modeling and simulation / D. Vasileska, S. M. Goodnick, S. Goodnick. - CRC Press, 2010. - 782 p.; Протасов, Д. Ю. Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом / Д. Ю. Протасов, Т. В. Малин, А. В. Тихонов, А. Ф. Цацульников, К. С. Журавлев // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, № 1. - С. 36—47.; Ambacher, O. Pyroelectric properties of Al(In)GaN/GaN hetero- and quantum well structures / O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, L. F. Eastman // J. Phys.: Condens. Matter. - 2002. - V. 14. - P. 3399—3434.; Abgaryan, K. K. Theoretical investigation of 2DEG concentration and mobility in the AlGaN/GaN heterostructures with various Al concentrations / K. K. Abgaryan, I. V. Mutigullin, D. L. Reviznikov // Physica status solidi (c). - 2015. - V. 12, N 12. - P. 1376—1382. DOI:10.1002/pssc.201510159; Trellakis, A. Iteration scheme for solution of the two-dimensional schrodinger-poisson equations in quantum structures / A. Trellakis, A. T. Galick, A. Pacelli, U. Ravaioli // J. Appl. Phys. 1997. - V. 81, N 12. - P. 7880—7884. DOI:10.1063/1.365396; Евтушенко, Ю. Г. Оптимизация и быстрое дифференцирование / Ю. Г. Евтушенко. — М.: Вычислительный центр им. А. А. Дородницина РАН, 2013. - 144 c.; Борисенко, В. Е. Наноэлектроника / В. Е. Борисенко, А. И. Воробьева, Е. А. Уткина. - М.: Бином. Лаборатория знаний, 2009. - 223 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/270

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/270
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-2-108-114

المؤلفون: Бушланов, В. П., Бушланов, И. В.

مصطلحات موضوعية: физика, математическая физика, уравнение Шредингера, уравнение Навье-Стокса, тензор напряжений, потенциальное течение, газ, электронный газ

Relation: Бушланов, В.П. Об аналогии уравнения Шредингера и уравнений Навье-Стокса потенциального течения сжимаемого газа / В. П. Бушланов, И. В. Бушланов; Государственный морской университет им. Ф.Ф. Ушакова // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2015. - №11(208), вып.39.-С. 197-200.; http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/58050

الاتاحة: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/58050

المؤلفون: Бурмистров, Евгений Романович, Авакянц, Лев Павлович, Афанасова, Марина Михайловна

المصدر: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 9-19

مصطلحات موضوعية: квантовые ямы, механические напряжения, гетероструктура, транспортное время, двумерный электронный газ, рассеяние

وصف الملف: application/pdf

Relation: koha:000720812; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000720812

الاتاحة: https://doi.org/10.17223/00213411/64/5/9
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000720812

المصدر: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 9-19

مصطلحات موضوعية: рассеяние, квантовые ямы, двумерный электронный газ, механические напряжения, транспортное время, гетероструктура

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::92b498da19ad5906a112d8b325c41772
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000720812

المؤلفون: Басаргина, Наталья, Ворожцова, Ирина, Дубровских, Сергей, Ткачёв, Олег, Шукайло, Валерий, Тарасова, Елена, Чурин, Андрей, Оболенский, Сергей

مصطلحات موضوعية: HEMT,ДВУМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ,КВАНТЫ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ

وصف الملف: text/html

الاتاحة: http://cyberleninka.ru/article/n/vliyanie-gamma-neytronnogo-izlucheniya-na-gan-tranzistory-s-dvumernym-elektronnym-gazom
http://cyberleninka.ru/article_covers/14641087.png

المؤلفون: Каниязов, Шернияз Каниязович, Исмайлов, Канатбай Абдиреймович, Муратов, Абат Сейпуллаевич

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 54 No. 5 (2011); 55-60 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 54 № 5 (2011); 55-60 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 54 № 5 (2011); 55-60 ; 2307-6011 ; 0021-3470

مصطلحات موضوعية: контакт, частота, потенциал, колебание, электронный газ, потенциал Томаса–Ферми, индукционная сила, резонансная частота, полупроводники n типа, сontact, frequency, potential, oscillation, electron gas, Tomas–Fermi potential, induction force

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347011050074/9557; https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347011050074

الاتاحة: https://radio.kpi.ua/article/view/S0021347011050074
https://doi.org/10.20535/S0021347011050074

المؤلفون: Юрасов, Н., Юрасов, А.

مصطلحات موضوعية: СОПРОТИВЛЕНИЕ СПЛАВОВ,ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ ФЕРМИ

وصف الملف: text/html

الاتاحة: http://cyberleninka.ru/article/n/77-30569-284968-o-kvantovom-predele-provodimosti-i-vysokochastotnoy-provodimosti-metallicheskih-splavov
http://cyberleninka.ru/article_covers/14996753.png

المؤلفون: Ткаченко, И., Ткаченко, К.

مصطلحات موضوعية: зернограничная адсорбционная активность, электронный газ, размер зерна, зерногранична адсорбційна активність, електронний газ, розмір зерна, grain-boundary adsorption activity, electron gas, grain size

وصف الملف: text/html

الاتاحة: http://cyberleninka.ru/article/n/faktory-opredelyayuschie-uroven-zernogranichnoy-adsorbtsionnoy-aktivnosti-legiruyuschih-elementov-v-fe-me-rastvorah
http://cyberleninka.ru/article_covers/15749882.png

المؤلفون: Ткаченко, Ф., Мирошниченко, В., Ткаченко, И.

مصطلحات موضوعية: энергия активации самодиффузии, электронный газ, активационный объём, температура плавления, теплота плавления, теплота сублимации, енергія активації самодифузії, електронний газ, активаційний об'єм, температура плавлення, теплота плавлення, теплота сублімації, activation energy of self-diffusion, electronic gas, activation volume, melting temperature, melting warmth, sublimation warmth

وصف الملف: text/html

الاتاحة: http://cyberleninka.ru/article/n/o-faktorah-opredelyayuschih-uroven-energii-aktivatsii-samodiffuzii-v-metallah
http://cyberleninka.ru/article_covers/15740322.png

المؤلفون: Глазов, Сергей, Кубракова, Екатерина

مصطلحات موضوعية: ДВУМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ, ПЛАЗМЕННЫЕ КОЛЕБАНИЯ

وصف الملف: text/html

الاتاحة: http://cyberleninka.ru/article/n/vozdeystvie-elektromagnitnoy-volny-na-plazmennye-kolebaniya-v-dvumernyh-elektronnyh-sistemah-so-sverhstrukturoy
http://cyberleninka.ru/article_covers/15380685.png

المؤلفون: Ткаченко, Федор, Мирошниченко, В., Ткаченко, Нина, Рябикина, Марина

مصطلحات موضوعية: ЭНЕРГИЯ АКТИВАЦИИ САМОДИФФУЗИИ, ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ, РОСТ ЗЕРНА, ЕНЕРГіЯ АКТИВАЦії САМОДИФУЗії, ЕЛЕКТРОННИЙ ГАЗ, ЗРОСТАННЯ ЗЕРНА

وصف الملف: text/html

الاتاحة: http://cyberleninka.ru/article/n/rost-zerna-v-fe-mn-splavah-i-ego-svyaz-s-parametrami-elektronnogo-gaza-komponentov
http://cyberleninka.ru/article_covers/15818880.png

المؤلفون: Ткаченко, Федор, Ткаченко, Константин, Гаврилова, Виктория

مصطلحات موضوعية: ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ, ЭЛЕМЕНТЫ IV-ПЕРИОДА, УРАВНЕНИЕ ШРЕДЕНГЕРА, ЭНЕРГИЯ ФЕРМИ, ЕЛЕКТРОННИЙ ГАЗ, ЕЛЕМЕНТИ IV-ПЕРіОДУ, РіВНЯННЯ ШРЕДЕНГЕРА, ЕНЕРГіЯ ФЕРМі, SHREDINGER'S EQUATION, FERMI'S ENERGY

وصف الملف: text/html

الاتاحة: http://cyberleninka.ru/article/n/analiz-parametrov-elektronnogo-gaza-v-metallah-iv-perioda
http://cyberleninka.ru/article_covers/15732464.png

المؤلفون: Залозный, Александр, Бавижев, Мухамед, Рембеза, Станислав, Красовицкий, Дмитрий

مصطلحات موضوعية: ГАЗОВЫЙ СЕНСОР, ВОДОРОД, ДВУМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ

وصف الملف: text/html

الاتاحة: http://cyberleninka.ru/article/n/sensornyy-datchik-vodoroda-na-osnove-geterostruktury-algan-gan-s-pt-zatvorom-dlya-ispolzovaniya-v-ekstremalnyh-usloviyah
http://cyberleninka.ru/article_covers/7371337.png