يعرض 1 - 20 نتائج من 44 نتيجة بحث عن '"фотоприемное устройство"', وقت الاستعلام: 0.50s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal

    المساهمون: Авторы выражают благодарность А.С. Петрову за предоставленные образцы и П.С. Шилову за помощь в обработке образцов.

    المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 3 (2024) ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 3 (2024) ; 2413-6387 ; 1609-3577

    Relation: Zhijian Shen, Jinshan Yao, Jian Huang, Zhecheng Dai, Luyu Wang, Fengyu Liu, Xinbo Zou, Bo Peng, Weimin Liu, Hong Lu, Baile Chen. High-Speed Mid-Wave Infrared Uni-Traveling Carrier Photodetector With Inductive Peaked Dewar Packaging. Journal of Lightwave Technology. 2023, vol. 42, pp. 1504-1510. DOI:10.1109/JLT.2023.3322967; Kovtonyuk N.F., Misnik V.P., Sokolov A.V. Sensitivity of insulator-semiconductor structures to time-dependent light fluxes. Semiconductors. 2005, vol. 39, pp. 1290–1293. https://doi.org/10.1134/1.2128452; Blain T., Shulyak V., Im Sik Han, Hopkinson M., Jo Shien Ng, Chee Hing Tan. Low Noise Equivalent Power InAs Avalanche Photodiodes for Infrared Few-Photon Detection. IEEE Transactions on Electron Devices. 2024, vol. 71, pp. 3039-3044. DOI:10.1109/TED.2024.3373373; Komkov O.S., Firsov D.D., Kovalishina E.A. Petrov A.S. Determination of the indium arsenide autoepitaxial layers’ thickness by Fourier-Transform Infrared Spectroscopy. Russ Microelectron. 2015, vol. 44, pp. 575–578. https://doi.org/10.1134/S1063739715080156; Львова Т. В., Седова И. В., Дунаевский М. С., Карпенко А.Н., Улин В.П., Иванов С.В., Берковиц В.Л. Сульфидная пассивация подложек InAs(100) в растворах Na2S // Физика твердого тела. 2009, том 51, вып. 6. С. 1055 – 1061.; Vurgaftman I., Meyer J. R., Ram-Mohan L. R. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys. Journal of Applied Physics. 2001, vol. 89. №11. pp. 5815 – 5875. DOI:10.1063/1.1368156; Karl W. Böer, Udo W. Pohl. Excitons. In: Semiconductor Physics. Cham:Springer, 2023. 1419 p. https://doi.org/10.1007/978-3-031-18286-0_14; Hisashi Sumikura, Akihiko Shinya, Masaya Notomi. Time-resolved mid-infrared photoluminescence spectroscopy of an undoped InAs substrate. Appl. Phys. Lett. 2024, vol. 124, pp. 052105. https://doi.org/10.1063/5.0188326; Gladkov P., Nohavica D., Šourek Z., Litvinchuk A. P., Iliev M. N. Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents. Semiconductor Science and Technology. 2006, №21. pp. 544–549. DOI:10.1088/0268-1242/21/4/022; Firsov D. D., Komkov O. S., Petrov A. S. Photoluminescence of undoped InAs autoepitaxial layers. Journal of Physics: Conference Series. 2015, vol. 643. №1. pp. 1-4.; Voronina T.I., Lagunova T.S., Moiseev K.D., Rozov A.E., Sipovskaya M.A., Stepanov M.V., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu.P. Electrical properties of epitaxial indium arsenide and narrow band solid solutions based on it. Semiconductors. 1999, vol. 33, pp. 719–725. https://doi.org/10.1134/1.1187768; Баранов А.Н., Воронина Т.И., Горелюк А.А., Лагунова Т.С., Литвак А.М., Литвак А.М., Сиповская М.А., Старосельцева С.П., Тихомирова В.А., Шерстнев В.В. Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия // Физика и техника полупроводников. 1992, том 26, вып 9. С 612 – 624.; Voronina T.I., Zotova N.V., Kizhayev S.S., Molchanov S.S., Yakovlev Yu.P. Luminescence properties of InAs layers and p-n structures grown by metallorganic chemical vapor deposition. Semiconductors. 1999, vol. 33, pp. 1062–1066. https://doi.org/10.1134/1.1187865; Fang Z. M., Ma K. Y., Cohen R. M., Stringfellow G. B. Effect of growth temperature on photoluminescence of InAs grown by organometallic vapor phase epitaxy // Applied Physics Letters. 1991, vol 59, № 12. Pp. 1446 – 1448.; Lacroix Y., Tran C. A., Watkins S. P., Thewalt M. L. W. Lowtemperature photoluminescence of epitaxial InAs. Journal of Applied Physics. 1996. vol 80, № 11, pp. 6416 – 6424. doi:10.1063/1.363660; Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Полетаев Н.К. Влияние корреляции между подсистемами мелких и глубоких метастабильных уровней на экситонные спектры фотолюминесценции в n-типе GaAs // Физика твердого тела. 2003, том 45, вып. 1. С 29 – 32.; Zhilyaev Yu. V., Nasonov A. V., Raevski S. D., Rodin S. N., Shcheglov M. P., Davydov V. Yu. Bulk gallium nitride: preparation and study of properties. Physica Status Solidi. 2003, vol. 195, pp. 122 – 126. doi:10.1002/pssa.200306284; Volodymyr T., Andriy S., Andriy T. Photodiodes - From Fundamentals to Applications/ Infrared Photodiodes on II-VI and III-V Narrow-Gap Semiconductors. Rijeka, IntechOpen, 2012, P. 378. http://dx.doi.org/10.5772/52930; https://met.misis.ru/jour/article/view/581

  2. 2
    Academic Journal

    المؤلفون: K. V. Melnikov

    المصدر: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 7, Pp 34-39 (2019)

    وصف الملف: electronic resource

  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
  11. 11
  12. 12
  13. 13
  14. 14
  15. 15
  16. 16
  17. 17
  18. 18
    Academic Journal
  19. 19
  20. 20