-
1Academic Journal
المؤلفون: Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, А. В. Соломонов
المساهمون: Авторы выражают благодарность А.С. Петрову за предоставленные образцы и П.С. Шилову за помощь в обработке образцов.
المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 27, № 3 (2024) ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 27, № 3 (2024) ; 2413-6387 ; 1609-3577
مصطلحات موضوعية: инфракрасное фотоприемное устройство, автоэпитаксиальный слой, фотолюминесценция, сульфидизация, межзонный переход, связанные экситоны, донорно-акцепторные пары
Relation: Zhijian Shen, Jinshan Yao, Jian Huang, Zhecheng Dai, Luyu Wang, Fengyu Liu, Xinbo Zou, Bo Peng, Weimin Liu, Hong Lu, Baile Chen. High-Speed Mid-Wave Infrared Uni-Traveling Carrier Photodetector With Inductive Peaked Dewar Packaging. Journal of Lightwave Technology. 2023, vol. 42, pp. 1504-1510. DOI:10.1109/JLT.2023.3322967; Kovtonyuk N.F., Misnik V.P., Sokolov A.V. Sensitivity of insulator-semiconductor structures to time-dependent light fluxes. Semiconductors. 2005, vol. 39, pp. 1290–1293. https://doi.org/10.1134/1.2128452; Blain T., Shulyak V., Im Sik Han, Hopkinson M., Jo Shien Ng, Chee Hing Tan. Low Noise Equivalent Power InAs Avalanche Photodiodes for Infrared Few-Photon Detection. IEEE Transactions on Electron Devices. 2024, vol. 71, pp. 3039-3044. DOI:10.1109/TED.2024.3373373; Komkov O.S., Firsov D.D., Kovalishina E.A. Petrov A.S. Determination of the indium arsenide autoepitaxial layers’ thickness by Fourier-Transform Infrared Spectroscopy. Russ Microelectron. 2015, vol. 44, pp. 575–578. https://doi.org/10.1134/S1063739715080156; Львова Т. В., Седова И. В., Дунаевский М. С., Карпенко А.Н., Улин В.П., Иванов С.В., Берковиц В.Л. Сульфидная пассивация подложек InAs(100) в растворах Na2S // Физика твердого тела. 2009, том 51, вып. 6. С. 1055 – 1061.; Vurgaftman I., Meyer J. R., Ram-Mohan L. R. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys. Journal of Applied Physics. 2001, vol. 89. №11. pp. 5815 – 5875. DOI:10.1063/1.1368156; Karl W. Böer, Udo W. Pohl. Excitons. In: Semiconductor Physics. Cham:Springer, 2023. 1419 p. https://doi.org/10.1007/978-3-031-18286-0_14; Hisashi Sumikura, Akihiko Shinya, Masaya Notomi. Time-resolved mid-infrared photoluminescence spectroscopy of an undoped InAs substrate. Appl. Phys. Lett. 2024, vol. 124, pp. 052105. https://doi.org/10.1063/5.0188326; Gladkov P., Nohavica D., Šourek Z., Litvinchuk A. P., Iliev M. N. Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents. Semiconductor Science and Technology. 2006, №21. pp. 544–549. DOI:10.1088/0268-1242/21/4/022; Firsov D. D., Komkov O. S., Petrov A. S. Photoluminescence of undoped InAs autoepitaxial layers. Journal of Physics: Conference Series. 2015, vol. 643. №1. pp. 1-4.; Voronina T.I., Lagunova T.S., Moiseev K.D., Rozov A.E., Sipovskaya M.A., Stepanov M.V., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu.P. Electrical properties of epitaxial indium arsenide and narrow band solid solutions based on it. Semiconductors. 1999, vol. 33, pp. 719–725. https://doi.org/10.1134/1.1187768; Баранов А.Н., Воронина Т.И., Горелюк А.А., Лагунова Т.С., Литвак А.М., Литвак А.М., Сиповская М.А., Старосельцева С.П., Тихомирова В.А., Шерстнев В.В. Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия // Физика и техника полупроводников. 1992, том 26, вып 9. С 612 – 624.; Voronina T.I., Zotova N.V., Kizhayev S.S., Molchanov S.S., Yakovlev Yu.P. Luminescence properties of InAs layers and p-n structures grown by metallorganic chemical vapor deposition. Semiconductors. 1999, vol. 33, pp. 1062–1066. https://doi.org/10.1134/1.1187865; Fang Z. M., Ma K. Y., Cohen R. M., Stringfellow G. B. Effect of growth temperature on photoluminescence of InAs grown by organometallic vapor phase epitaxy // Applied Physics Letters. 1991, vol 59, № 12. Pp. 1446 – 1448.; Lacroix Y., Tran C. A., Watkins S. P., Thewalt M. L. W. Lowtemperature photoluminescence of epitaxial InAs. Journal of Applied Physics. 1996. vol 80, № 11, pp. 6416 – 6424. doi:10.1063/1.363660; Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Полетаев Н.К. Влияние корреляции между подсистемами мелких и глубоких метастабильных уровней на экситонные спектры фотолюминесценции в n-типе GaAs // Физика твердого тела. 2003, том 45, вып. 1. С 29 – 32.; Zhilyaev Yu. V., Nasonov A. V., Raevski S. D., Rodin S. N., Shcheglov M. P., Davydov V. Yu. Bulk gallium nitride: preparation and study of properties. Physica Status Solidi. 2003, vol. 195, pp. 122 – 126. doi:10.1002/pssa.200306284; Volodymyr T., Andriy S., Andriy T. Photodiodes - From Fundamentals to Applications/ Infrared Photodiodes on II-VI and III-V Narrow-Gap Semiconductors. Rijeka, IntechOpen, 2012, P. 378. http://dx.doi.org/10.5772/52930; https://met.misis.ru/jour/article/view/581
-
2Academic Journal
المؤلفون: K. V. Melnikov
المصدر: Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 7, Pp 34-39 (2019)
مصطلحات موضوعية: фотоприемное устройство, лавинный фотодиод, трансимпедансный усилитель, Electronics, TK7800-8360
وصف الملف: electronic resource
-
3
مصطلحات موضوعية: точностные характеристики, автоматизированные астрономические комплексы, фотоприемное устройство, photodetector, automated astronomical complexes, влияние атмосферы, accuracy characteristics, atmospheric effects
-
4Academic Journal
-
5Academic Journal
-
6Academic Journal
-
7Academic Journal
مصطلحات موضوعية: панорамная оптико-электронная система, оптический панорамный блок, микропроцессорные средства обработки сигналов, цифровая обработка сигналов, панорамные объективы, программируемая логическая интегральная схема, фотоприемное устройство, микроболометрические матрицы
وصف الملف: text/html
-
8
-
9Academic Journal
المؤلفون: Ульянова, Елена, Алдохин, Павел
مصطلحات موضوعية: ОБЪЕКТИВ, ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО, ХАРАКТЕРИСТИКИ
وصف الملف: text/html
-
10Academic Journal
المؤلفون: Волков, Виктор
مصطلحات موضوعية: ТЕПЛОВИЗИОННЫЙ ПРИБОР, ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО, ОБЪЕКТИВ, МАТРИЦА МИКРОБОЛОМЕТРОВ, ДИСПЛЕЙ, ДАЛЬНОСТЬ ОБНАРУЖЕНИЯ, ДАЛЬНОСТЬ РАСПОЗНАВАНИЯ, УГОЛ ПОЛЯ ЗРЕНИЯ, УВЕЛИЧЕНИЕ, ТЕМПЕРАТУРНОЕ РАЗРЕШЕНИЕ, ГЕОМЕТРИЧЕСКОЕ РАЗРЕШЕНИЕ, РАБОЧАЯ ОБЛАСТЬ СПЕКТРА
وصف الملف: text/html
-
11Academic Journal
المؤلفون: Волков, Виктор
مصطلحات موضوعية: ТЕПЛОВИЗИОННЫЙ ПРИБОР, ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО, ОБЪЕКТИВ, МАТРИЦА МИКРОБОЛОМЕТРОВ, ДИСПЛЕЙ, ДАЛЬНОСТЬ ОБНАРУЖЕНИЯ, ДАЛЬНОСТЬ РАСПОЗНАВАНИЯ, УГОЛ ПОЛЯ ЗРЕНИЯ, УВЕЛИЧЕНИЕ, ТЕМПЕРАТУРНОЕ РАЗРЕШЕНИЕ, ГЕОМЕТРИЧЕСКОЕ РАЗРЕШЕНИЕ, РАБОЧАЯ ОБЛАСТЬ СПЕКТРА, МАССА, ГАБАРИТЫ
وصف الملف: text/html
-
12Academic Journal
المؤلفون: Волков, Виктор
مصطلحات موضوعية: ТЕПЛОВИЗИОННЫЙ ПРИЦЕЛ, ДАЛЬНОСТЬ ОБНАРУЖЕНИЯ И РАСПОЗНАВАНИЯ, УГОЛ ПОЛЯ ЗРЕНИЯ, УВЕЛИЧЕНИЕ, РАБОЧАЯ ОБЛАСТЬ СПЕКТРА, ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО, ТЕМПЕРАТУРНОЕ РАЗРЕШЕНИЕ, МАССА, ГАБАРИТЫ, НАПРЯЖЕНИЕ, ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА
وصف الملف: text/html
-
13Academic Journal
مصطلحات موضوعية: ТЕПЛОВИЗИОННАЯ СИСТЕМА,OPTICAL SYSTEM,ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА,ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО,INFRARED IMAGER,FOCAL PLANE ARRAY
وصف الملف: text/html
-
14Academic Journal
مصطلحات موضوعية: АРТИЛЛЕРИЙСКАЯ РАЗВЕДКА,ARTILLERY RECONNAISSANCE,ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО,ОПТИКО-МЕХАНИЧЕСКАЯ СИСТЕМА,OPTICAL-MECHANICAL SYSTEM,PHOTO RECEIVER
وصف الملف: text/html
-
15Academic Journal
المؤلفون: ЯКУШЕНКОВ ЮРИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ
مصطلحات موضوعية: ИНФРАКРАСНАЯ СИСТЕМА,INFRARED SYSTEM,СПЕКТРАЛЬНЫЙ ДИАПАЗОН,SPECTRAL RANGE,МАТРИЧНОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО,FOCAL PLANE ARRAY
وصف الملف: text/html
-
16Academic Journal
مصطلحات موضوعية: ИНФРАКРАСНАЯ СИСТЕМА,INFRARED SYSTEM,ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО,ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА,OPTICAL SYSTEM,PHOTO DETECTOR
وصف الملف: text/html
-
17Academic Journal
مصطلحات موضوعية: ТЕПЛОВИЗИОННЫЙ ПРИБОР,ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО,ХАРАКТЕРИСТИКИ
وصف الملف: text/html
-
18Academic Journal
المؤلفون: Донцов, А.А., Козирацкий, Ю.Л., Нагалин, Д.А., Dontsov, Alexander A., Koziratsky, Yuri L., Nagalin, Daniil A.
مصطلحات موضوعية: процесс поражения, управляемая ракета, оптико-электронная система наведения, матричное фотоприемное устройство, the process of destruction, guidance missiles, optoelectronic seeker, matrix photodevice
Relation: Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. Journal of Siberian Federal University. Engineering & Technologies;2017 10 (2); https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/32128
-
19
المصدر: Известия Тульского государственного университета. Технические науки.
وصف الملف: text/html
-
20
المصدر: Вестник Московского государственного технического университета им. Н.Э. Баумана. Серия «Машиностроение».
وصف الملف: text/html