-
1Academic Journal
المؤلفون: Кулумбетов, А.С.
المصدر: Экономика и социум, №12(114)-2 2023, (2023-12-31)
مصطلحات موضوعية: Кремний, Сканирующая туннельная микроскопия, примесный кремний, Атомно-силовая микроскопия
Relation: https://doi.org/10.5281/zenodo.10602212; https://doi.org/10.5281/zenodo.10602213; oai:zenodo.org:10602213
-
2Academic Journal
المؤلفون: Осинников, Егор Вячеславович, Блинов, Илья Викторович, Истомина, Анастасия Юрьевна, Попов, Владимир Владимирович
المصدر: Mathematics. Mechanics. Physics; Том 14, № 3 (2022); 79-85 ; Математика. Механика. Физика; Том 14, № 3 (2022); 79-85 ; 2409-6547 ; 2075-809Х
مصطلحات موضوعية: Nickel, severe plastic deformation, scanning tunneling microscopy, relative free energy, никель, интенсивная пластическая деформация, сканирующая туннельная микроскопия, относительная свободная энергия
وصف الملف: application/pdf
-
3Conference
المؤلفون: Чикунова, Н. С., Столбовский, А. В., Блинов, И. В., Фалахутдинов, Р. М., Судакова, С. А., Истомина, А. Ю., Chikunova, Natalya S., Stolbovsky, Alexey V., Blinov, Ilya V., Falakhutdinov, Ruslan M., Sudakova, Svetlana A., Istomina, Anastasiya Yu.
مصطلحات موضوعية: СУБМИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, ИНТЕНСИВНАЯ ПЛАСТИЧЕСКАЯ ДЕФОРМАЦИЯ, ГРАНИЦЫ ЗЕРЕН, СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ, ОТНОСИТЕЛЬНАЯ ЭНЕРГИЯ ГРАНИЦ ЗЕРЕН, SUBMICROCRYSTALLINE STRUCTURE, SEVERE PLASTIC DEFORMATION, GRAIN BOUNDARIES, SCANNING TUNNELING MICROSCOPY, RELATIVE GRAIN BOUNDARY ENERGY
وصف الملف: application/pdf
Relation: XXII международная научно-техническая Уральская школа-семинар металловедов-молодых ученых. — Екатеринбург, 2023; Метод картирования относительной энергии границ зерен в ультрамелкозернистых материалах на основе данных сканирующей туннельной микроскопии / Н. С. Чикунова, А. В. Столбовский, И. В. Блинов, Р. М. Фалахутдинов, С. А. Судакова, А. Ю. Истомина. — Текст : электронный // Уральская школа молодых металловедов : сборник статей XXII Международной научно-технической Уральской школы-семинара металловедов — молодых ученых (Екатеринбург, 23-27 октября 2023). — Екатеринбург : Издательский Дом «Ажур», 2023. — С. 103-106.; http://elar.urfu.ru/handle/10995/128864
-
4
المؤلفون: Yesin, Michail Yu., Teys, S. A., Nikiforov, Alexander I.
المصدر: Journal of surface investigation: X-ray, synchrotron and neutron techniques. 2022. Vol. 16, № 1. P. 140-144
مصطلحات موضوعية: сканирующая туннельная микроскопия, ступенчатые изломы, температурная зависимость, Surfaces, Coatings and Films
-
5
المؤلفون: Shkoldin, Vitaliy, Lebedev, Denis, Permyakov, Dmitriy, Golubok, Aleksandr, Arkhipov, Alexander, Samusev, Anton, Mukhin, Ivan
مصطلحات موضوعية: STM-lithography, silver film, сканирующая туннельная микроскопия, photonics, туннельный контакт, наноантенны, tunnel contact, scanning tunneling microscopy, СТМ-Литография, nanoantenna, фотоника, излучение из туннельного контакта, emission from a tunnel contact, ultrahigh vacuum
-
6Academic Journal
المؤلفون: V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. R. Tuktamyshev, A. A. Bloshkin, V. I. Mashanov, S. A. Teys, I. D. Loshkarev, N. A. Baidakova, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, А. А. Блошкин, В. И. Машанов, С. А. Тийс, И. Д. Лошкарев, Н. А. Байдакова
المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 20, № 1 (2017); 38-44 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 20, № 1 (2017); 38-44 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2017-1
مصطلحات موضوعية: зонная диаграмма, nanoislands, epitaxy, diffraction, scanning tunnel microscopy, X−ray diffractometry, photoluminescence, band diagram, наноостровки, эпитаксия, дифракция, сканирующая туннельная микроскопия, рентгеновская дифрактометрия, фотолюминесценция
وصف الملف: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/244/211; Soref R. A., Perry C. H. Predirect bandgap of the new semiconductor SiGeSn // J. Appl. Phys. − 1991. − V. 69, N 1. − P. 539—541. DOI:10.1063/1.347704; Moontragoon P., Ikonić Z., Harrison P. Band structure calculation of Si—Ge—Sn alloys: achieving direct bandgap materials // Semicond. Sci. Technol. − 2007. − V. 22, N 7. − P. 742—748. DOI:10.1088/0268−1242/22/7/012; Du W., Ghetmiri S. A., Conley B. R., Mosleh A., Nazzal A., Soref R. A., Sun G., Tolle J., Margetis J., Naseem H. A., Yu S.−Q. Competition of optical transitions between direct and indirect bandgaps in Ge1−xSnx // Appl. Phys. Lett. − 2014. − V. 105, N 5. − P. 051104−1—4. DOI:10.1063/1.4892302; Senaratne C. L., Gallagher J. D., Aoki T., Kouvetakis J., Menéndez J. Advances in light emission from group−IV alloys via lattice engineering and n−type doping based on custom−designed chemistries // Chem. Mater. − 2014. − V. 26, N 20. − P. 6033—6041. DOI:10.1021/cm502988y; Wirths S., Buca D., Mantl S. Si—Ge—Sn alloys: From growth to applications // Progress in crystal growth and characterization of materials. − 2016. − V. 62, N 1. − P. 1—39. DOI:10.1016/j.pcrysgrow.2015.11.001; Wirths S., Geiger R., von den Driesch N., Mussler G., Stoica T., Mantl S., Ikonic Z., Luysberg M., Chiussi S., Hartman J. M., Sigg H., Faist J., Buca D., Grützmacher D. Lasing in direct−bandgap GeSn alloy grown on Si // Nature Photonics. − 2015. − V. 9. − P. 88—92. DOI:10.1038/nphoton.2014.321; Asano T., Terashima T., Yamaha T., Kurosawa M., Takeuchi W., Taoka N., Nakatsuka O., Zaima S. Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1−x−ySixSny on Ge(001) substrates // Solid−State Electronics. − 2015. − V. 110. − P. 49—53. DOI:10.1016/j.sse.2015.01.006; Esteves R. J. A., Hafiz S., Demchenko D. O., Özgur Ü., Arachchige I. U. Ultra−small Ge1−xSnx quantum dots with visible photoluminescence // Chem. Commun. − 2016. − V. 52, N 78. − P. 11665—11668. DOI:10.1039/c6cc04242b; Wirths S., Tiedemann A. T., Ikonic Z., Harrison P., Holländer B., Stoica T., Mussler G., Myronov M., Hartmann J. M., Grützmacher D., Buca D., Mantl S. Band engineering and growth of tensile strained Ge/(Si)GeSn heterostructures for tunnel field effect transistors // Appl. Phys. Lett. − 2013. − V. 102, N 19. − P. 192103−1—4. DOI:10.1063/1.4805034; von den Driesch N., Stange D., Wirths S., Mussler G., Holländer B., Ikonic Z., Hartmann J. M., Stoica T., Mantl S., Grützmacher D., Buca D. Direct bandgap group IV epitaxy on Si for laser applications // Chem. Mater. − 2015. − V. 27, N 13. − P. 4693—4702. DOI:10.1021/acs.chemmater.5b01327; Kato K., Asano T., Taoka N., Sakashita M., Takeuchi W., Nakatsuka O., Zaima S. Robustness of Sn precipitation during thermal oxidation of Ge1−xSnx on Ge(001) // Jpn. J. Appl. Phys. − 2014. − V. 53, N 8S1. − P. 08LD04−1—8. DOI:10.7567/JJAP.53.08LD04; Taoka N., Asano T., Yamaha T., Terashima T., Nakatsuka O., Costina I., Zaumseil P., Capellini G., Zaima S., Schroeder T. Non− uniform depth distributions of Sn concentration induced by Sn migration and desorption during GeSnSi layer formation // Appl. Phys. Lett. − 2015. − V. 106, N 6. − P. 061107−1—5. DOI:10.1063/1.4908121; van de Walle C. G. Band lineups and deformation potentials in the model−solid theory // Phys. Rev. B. − 1989. − V. 39, N 3. − P. 1871—1883. DOI:10.1103/PhysRevB.39.1871; El Kurdi M., Sauvage S., Fishman G., Boucaud P. Band− edge alignment of SiGe/Si quantum wells and SiGe/Si self−assembled islands // Phys. Rev. B. − 2006. − V. 73, N 19. − P. 195327−1—9. DOI:10.1103/PhysRevB.73.195327; Jaros M. Simple analytic model for heterojunction band offsets // Phys. Rev. B. − 1988. − V. 37, N 12. − P. 7112—7114. DOI:10.1103/PhysRevB.37.7112; Moontragoon P., Soref R., Ikonic Z. The direct and indirect bandgaps of unstrained SixGe1−x−ySny and their photonic device applications // J. Appl. Phys. − 2012. − V. 112, N 7. − P. 073106−1—8. DOI:10.1063/1.4757414; Fischer I. A., Wendav T., Augel L., Jitpakdeebodin S., Oliveira F., Benedetti A., Stefanov S., Chiussi S., Capellini G., Busch K., Schulze J. Growth and characterization of SiGeSn quantum well photodiodes // Optics Express. − 2015. − V. 23, N 19. − P. 25048—25057. DOI:10.1364/OE.23.025048; Attiaoui A., Moutanabbir O. Indirect−to−direct band gap transition in relaxed and strained Ge1−x−ySixSny ternary alloys // J. Appl. Phys. − 2014. − V. 116, N 6. − P. 063712−1—15. DOI:10.1063/1.4889926; Тимофеев В. А., Никифоров А. И., Туктамышев А. Р., Есин М. Ю., Машанов В. И., Гутаковский А. К., Байдакова Н. А. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn // Физика и техника полупроводников. − 2016. − Т. 50, № 12. − С. 1610—1614.; Nikiforov A. I., Mashanov V. I., Timofeev V. A., Pchelyakov O. P., Cheng H.−H. Reflection high energy electron diffraction studies on SixSnyGe1−x−y on Si(100) molecular beam epitaxial growth // Thin Solid Films. − 2014. − V. 557. − P. 188—191. DOI:10.1016/j. tsf.2013.11.128; https://met.misis.ru/jour/article/view/244
-
7Conference
مصطلحات موضوعية: измельчение, структуры, размеры, энергия, внутренние границы, стали, сканирующая туннельная микроскопия
Relation: Материалы и технологии новых поколений в современном материаловедении : сборник трудов Международной конференции, г. Томск, 9-11 июня 2016 г. — Томск, 2016.; Шумакова Д. А. Влияние методов измельчения структуры на распределение по размерам и энергию внутренних границ раздела стали 12ГБА / Д. А. Шумакова, П. В. Кузнецов, Т. В. Рахматулина // Материалы и технологии новых поколений в современном материаловедении : сборник трудов Международной конференции, г. Томск, 9-11 июня 2016 г. — Томск : Изд-во ТПУ, 2016. — [С. 31-36].; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/31040
-
8
المؤلفون: Shkoldin, Vitaliy, Lebedev, Denis, Permyakov, Dmitriy, Petukhov, Anatoliy, Golubok, Aleksandr, Arkhipov, Alexander, Samusev, Anton, Mukhin, Ivan
مصطلحات موضوعية: silver film, tunnel contact, сканирующая туннельная микроскопия, photonics, scanning tunneling microscopy, серебряная плёнка, туннельный контакт, фотоника, излучение из туннельного контакта, emission from a tunnel contact, ultrahigh vacuum
-
9Academic Journal
مصطلحات موضوعية: тонкие пленки, сканирующая туннельная спектроскопия, сканирующая туннельная микроскопия, фотоассистированная микроскопия, пленки MEH-PPV, сканирующая зондовая микроскопия
وصف الملف: application/pdf
Relation: Лаппо, А. Н. Изучение тонких пленок MEX-PPV методами сканирующей туннельной спектроскопии и фотоассистированной сканирующей туннельной микроскопии / А. Н. Лаппо, А. В. Мисевич, А. Е. Почтенный // Информационные технологии : материалы 85-й научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, научных сотрудников и аспирантов (с международным участием), Минск, 1-13 февраля 2021 г. – Минск : БГТУ, 2021. – С. 39-41.; https://elib.belstu.by/handle/123456789/41067; 539.213.2
-
10
مصطلحات موضوعية: сканирующая туннельная спектроскопия, тонкие пленки, сканирующая туннельная микроскопия, сканирующая зондовая микроскопия, фотоассистированная микроскопия, пленки MEH-PPV
وصف الملف: application/pdf
-
11Academic JournalЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ СОСТОЯНИЕ ПОВЕРХНОСТИ УГЛЕРОДИСТЫХ СТАЛЕЙ КАК ХАРАКТЕРИСТИКА ИХ КОРРОЗИОНОЙ СТОЙКОСТИ
المؤلفون: Реформатская, И., Подобаев, А., Шишлов, Д., Чибышева, В., Артамонов, О.
مصطلحات موضوعية: СТАЛЬ, ВКЛЮЧЕНИЕ, ФАЗА, ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ, ТУННЕЛЬНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, ЛОКАЛЬНАЯ КОРРОЗИЯ, АКТИВНЫЕ ЦЕНТРЫ
وصف الملف: text/html
-
12Academic Journal
المؤلفون: Варкентин, Михаил, Корсуков, Вячеслав, Слуцкер, Александр, Бетехтин, Владимир, Корсукова, Мария, Обидов, Барзу
مصطلحات موضوعية: ФОЛЬГИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СТЕКОЛ, НАГРУЖЕНИЕ И РАЗРЫВ, ПОВЕРХНОСТЬ, ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ, ФРАКТАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ
وصف الملف: text/html
-
13Academic Journal
المؤلفون: Корсуков, Вячеслав, Анкудинов, Александр, Пронин, Игорь, Щербаков, Игорь, Буйнов, Александр, Корсукова, Мария, Немов, Сергей, Обидов, Барзу
وصف الملف: text/html
-
14Academic JournalИСПОЛЬЗОВАНИЕ СОВРЕМЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ПЕРСПЕКТИВНОГО НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО НАПРАВЛЕНИЯ
المؤلفون: Прокофьева, Елена, Прокофьева, Ольга, Шаркевич, Нина
مصطلحات موضوعية: НАНОТЕХНОЛОГИИ, НАНООБРАЗОВАНИЕ, СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ, МИКРОТВЕРДОСТЬ, НАНОИНДЕНТИРОВАНИЕ
وصف الملف: text/html
-
15Academic Journal
المؤلفون: Смирнов, В., Ткачук, В., Полякова, В., Бирюков, М.
مصطلحات موضوعية: НАНОТЕХНОЛОГИИ, ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ, СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ, НАНОРАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ
وصف الملف: text/html
-
16Academic Journal
المؤلفون: Ерохин, П., Уткин, Д., Бугоркова, Т., Кузнецов, О., Осина, Н.
مصطلحات موضوعية: МИКРООРГАНИЗМЫ, БИОПЛЕНКА, МЕТОДЫ СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ, ПОЛУКОНТАКТНЫЙ МЕТОД, СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ
وصف الملف: text/html
-
17Academic Journal
المؤلفون: Алейников, А., Захвалинский, В.
مصطلحات موضوعية: ПЕРЬЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ,ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ,ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА,МИКРОКОНТРОЛЛЕР,МОДУЛЬ ПЕЛЬТЬЕ
وصف الملف: text/html
-
18Academic Journal
المؤلفون: Алейников, А. Ю., Захвалинский, B. C.
مصطلحات موضوعية: техника, радиоэлектроника, электроника, перьевая литография, туннельная микроскопия, электрические схемы, микроконтроллеры, модуль Пельтье, биметаллические пластины, опытно-экспериментальные разработки
Relation: Алейников, А.Ю. Устройство перьевой литографии / А. Ю. Алейников, B. C. Захвалинский; НИУ БелГУ // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2011. - №23(118), вып.25.-С. 168-176.; http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/53461
-
19Academic Journal
المؤلفون: АРЖАННИКОВ А.В., ШКЛЯЕВ А.А., ВОЛОДИН В.А.
وصف الملف: text/html
-
20Academic Journal
المؤلفون: Тупкало, Андрей
مصطلحات موضوعية: ТОНКИЕ ОРГАНИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ, ВАКУУМ, ПЕНТАЦЕН, СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ
وصف الملف: text/html
