يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن '"рассеяние тепла"', وقت الاستعلام: 0.31s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal
    Device characterization of gallium nitride high electron mobility transistor with a boron nitride heat-spreading element ; Эксплуатационные характеристики транзистора с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с теплоотводящими элементами на основе нитрида бора

    المؤلفون: V. S. Volcheck, V. R. Stempitsky, В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий

    المصدر: Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Physical-Technical Series; Том 68, № 2 (2023); 156-166 ; Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук; Том 68, № 2 (2023); 156-166 ; 2524-244X ; 1561-8358 ; 10.29235/1561-8358-2023-68-2

    مصطلحات موضوعية: управление тепловым режимом, device simulation, GaN, heat dissipation, heat-spreading element, heterostructure field-effect transistor, high electron mobility transistor, power electronics, self-heating, thermal management, нитрид бора, нитрид галлия, приборное моделирование, рассеяние тепла, саморазогрев, силовая электроника, теплоотводящий элемент, транзистор с высокой подвижностью электронов

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/800/633; https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/800

    الاتاحة: https://vestift.belnauka.by/jour/article/view/800
    https://doi.org/10.29235/1561-8358-2023-68-2-156-166

    View record in BASE

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء