-
1Academic Journal
مصطلحات موضوعية: метод золь-гель, центрифугування, поруватий Si, плівка ZnO:Al, центрифугирование, пористый Si, пленка ZnO:Al, sol-gel method, centrifugation, porous Si, film ZnO:Al
وصف الملف: application/pdf
Relation: Хімія, фізика та технологія поверхні;Т. 11, № 3 (С. 405-410); http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/12149
-
2Academic Journal
المؤلفون: Dyadenchuk, A. F., Kidalov, V. V.
المصدر: Chemistry, Physics and Technology of Surface; Том 11, № 3 (2020): Хімія, фізика та технологія поверхні; 405-410 ; Химия, физика и технология поверхности; Том 11, № 3 (2020): Хімія, фізика та технологія поверхні; 405-410 ; Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 11, № 3 (2020): Хімія, фізика та технологія поверхні; 405-410 ; 2518-1238 ; 2079-1704 ; 10.15407/hftp11.03
مصطلحات موضوعية: sol-gel method, centrifugation, porous Si, film ZnO:Al, метод золь-гель, центрифугирование, пористый Si, пленка ZnO:Al, центрифугування, поруватий Si, плівка ZnO:Al
وصف الملف: application/pdf
-
3Academic Journal
المؤلفون: Кідалов, В. В., Кукушкін, С. А., Осіпов, А. В., Редьков, А. В., Гращенко, А. С., Сошніков, І. П., Бойко, М. Е., Шарков, М. Д., Дяденчук, Альона Федорівна, Дяденчук, Алена Федоровна, Diadenchuk, Alona
مصطلحات موضوعية: метод заміщення атомів, поруватий буферний шар, SiC, поруватий Si, Si, епітаксійні плівки, 3C-SiC, метод замещения атомов, пористый буферный слой, пористый Si, эпитаксиальные пленки, method of substitution of atoms, porous buffer layer, porous Si, eitaxial film
وصف الملف: application/pdf
Relation: Журнал нано- та електронної фізики;Т. 10, № 3 (С. 03026 (6cc)); http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10845
-
4Academic Journal
المؤلفون: ДЖАФАРОВ М.А., НАСИРОВ Э.Ф.
مصطلحات موضوعية: НАНОЧАСТИЦЫ,ПОРИСТЫЙ SI,ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
وصف الملف: text/html
-
5Academic Journal
المؤلفون: Кідалов, В.В., Кукушкін, С.А., Осіпов, А.В., Редьков, А.В., Гращенко, А.С., Сошніков, І.П., Бойко, М.Е., Шарков, М.Д., Дяденчук, А.Ф.
مصطلحات موضوعية: метод заміщення атомів, поруватий буферний шар, SiC, поруватий Si, Si, епітаксійні плівки, 3C-SiC, метод замещения атомов, пористый буферный слой, пористый Si, эпитаксиальные пленки, method of substitution of atoms, porous buffer layer, porous Si, epitaxial film
وصف الملف: application/pdf
-
6
مصطلحات موضوعية: SiC, пористый Si, Si, porous Si, Si, поруватий буферний шар, epitaxial film, эпитаксиальные пленки, метод заміщення атомів, поруватий Si, Si, porous buffer layer, епітаксійні плівки, метод замещения атомов, пористый буферный слой, method of substitution of atoms, 3C-SiC
وصف الملف: application/pdf
-
7
المصدر: Наносистемы: физика, химия, математика.
مصطلحات موضوعية: НАНОЧАСТИЦЫ,ПОРИСТЫЙ SI,ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
وصف الملف: text/html