المؤلفون: Луньов, С.В., Назарчук, П.Ф., Бурбан , О.В.

المصدر: Naukovi notatky; No 75 (2023): Naukovi notatki; 74-77 ; Наукові нотатки; № 75 (2023): Наукові нотатки; 74-77 ; 2415-3966 ; 10.36910/775.24153966.2023.75

مصطلحات موضوعية: tensoresistance, tensosensitivity coefficient, germanium single crystals, (L1-Δ1) – inversion, uniaxial pressure, тензоопір, коефіцієнт тензочутливості, монокристали германію, (L1-Δ1) – інверсія, одновісний тиск

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/naukovi_notatky/article/view/1166/1078; https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/naukovi_notatky/article/view/1166

الاتاحة: https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/naukovi_notatky/article/view/1166
https://doi.org/10.36910/775.24153966.2023.75.13

المؤلفون: Luniov, S. (Sergiy), Zimych, A. (Andriy), Khvyshchun, M. (Mykola), Yevsiuk, M. (Mykola), Maslyuk, V. (Volodymyr)

المصدر: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies

مصطلحات موضوعية: silicon single crystals, infrared Fourier spectroscopy, Hall effect, uniaxial pressure, radiation defects, deep energy levels, UDC 621.315.592, монокристали кремнію, інфрачервона Фур’є-спектроскопія, ефект Холла, одновісний тиск, радіаційні дефекти, глибокі енергетичні рівні, монокристаллы кремния, инфракрасная Фурье-спектроскопия, эффект Холла, одноосное давление, радиационные дефекты, глубокие энергетические уровни, Indonesia

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://www.neliti.com/publications/307930/specific-features-of-defect-formation-in-the-nsi-single-crystals-at-electron-irr

الاتاحة: https://www.neliti.com/publications/307930/specific-features-of-defect-formation-in-the-nsi-single-crystals-at-electron-irr

المؤلفون: Zachek, I.R., Karkuljevska, M.C., Vdovych, A.S., Levitsky, R.R.

المصدر: Physics and Chemistry of Solid State; Vol. 16 No. 2 (2015); 276-283 ; Фізика і хімія твердого тіла; Том 16 № 2 (2015); 276-283 ; 2309-8589 ; 1729-4428

مصطلحات موضوعية: ferroelectrics, transition temperature, dielectric permittivity, piezomodule, hydrostatic pressure, uniaxial stress, сегнетоелектрики, температура переходу, діелектрична проникність, п'єзомодулі, гідростатичний тиск, одновісний тиск

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/1671/2115; https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/1671

الاتاحة: https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/1671
https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.276-283

المؤلفون: Luniov, Sergiy, Zimych, Andriy, Khvyshchun, Mykola, Yevsiuk, Mykola, Maslyuk, Volodymyr

المصدر: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12 (96) (2018): Materials Science; 35-42
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12 (96) (2018): Материаловедение; 35-42
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12 (96) (2018): Матеріалознавство; 35-42

مصطلحات موضوعية: silicon single crystals, infrared Fourier spectroscopy, Hall effect, uniaxial pressure, radiation defects, deep energy levels, монокристали кремнію, інфрачервона Фур’є-спектроскопія, ефект Холла, одновісний тиск, радіаційні дефекти, глибокі енергетичні рівні, монокристаллы кремния, инфракрасная Фурье-спектроскопия, эффект Холла, одноосное давление, радиационные дефекты, глубокие энергетические уровни, UDC 621.315.592

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::0a8f2aca7e8095c2875fc8ee04cb5958
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/150959

المؤلفون: Панасюк, Л.І., Коломоєць, В.В., Єрмаков, В.М.

مصطلحات موضوعية: Кристал, Домішкова провідність, Анізотропія, Одновісний тиск, Тензорезистивний ефект, Кристалографічний напрямок, Кристалл, Примесная проводимость, Анизотропия, Одноосное давление, Тензорезистивный эффект, Кристаллографическое направление, Crystal, Impurity conductivity, Anisotropy, Uniaxial pressure, Tensoresistive effect, Crystallographic direction

وصف الملف: application/pdf

Relation: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65766

الاتاحة: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65766

مصطلحات موضوعية: Домішкова провідність, Кристалографічний напрямок, Кристалл, Crystallographic direction, Тензорезистивный эффект, Impurity conductivity, Кристаллографическое направление, Tensoresistive effect, Одновісний тиск, Анізотропія, Тензорезистивний ефект, Анизотропия, Одноосное давление, Crystal, Anisotropy, Кристал, Uniaxial pressure, Примесная проводимость

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::079b08b8c1f7f85ec9a9cc62678e1b40
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65766

المؤلفون: Флюнт, О.Є.

مصطلحات موضوعية: низькочастотна дисперсія, низкочастотная дисперсия, low-frequency dispersion, діелектрична проникність, диэлектрическая проницаемость, permittivity, одновісний тиск, одноосное давление, uniaxial pressure, кристали, кристаллы, crystals

وصف الملف: application/pdf

Relation: Флюнт, О.Є. Залежність параметрів низькочастотної дисперсії від одновісного тиску у кристалах GaSe [Текст] / О.Є. Флюнт // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 54.; http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40691

الاتاحة: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40691

Additional Titles: ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ НА ТЕНЗОЧУТЛИВІСТЬ СИЛЬНОДЕФОРМОВАНИХ МОНОКРИСТАЛІВ n-G
ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ СИЛЬНОДЕФОРМИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ n-Ge

المؤلفون: Бурбан, О. В.; Луцький національний технічний університет

المصدر: Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 12, № 2 (2015); 64-70; Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Sensor Electronics and Microsystem Technologies; 2415-3508; 1815-7459

مصطلحات الفهرس: single crystals n-Ge, coefficient of tensosensitivity, resistivity, uniaxial deformation, монокристали n-Ge, коефіцієнт тензочутливості, питомий опір, одновісний тиск, монокристаллы n-Ge, коэффициент тензочувствительности, удельное сопротивление, одноосное давление, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion

URL: http://semst.onu.edu.ua/article/view/73601
http://semst.onu.edu.ua/article/view/73601/113603
http://semst.onu.edu.ua/article/view/73601/113603

Additional Titles: Влияние одноосного давления на диэлектрические свойства кристаллов CuInP2S6
Effect of uniaxial pressure on dielectric Properties of CuInP2S6 crystals

المؤلفون: Шуста, О. В.; Ужгородський національний університет, Сливка, О. Г.; Ужгородський національний університет, Кедюлич, В. М.; Ужгородський національний університет, Гуранич, П. П.; Ужгородський національний університет, Шуста, В. С.; Ужгородський національний університет, Герзанич, О. І.; Ужгородський національний університет, Пріц, І. П.; Ужгородський національний університет

المصدر: Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 28 (2010); 44-46; Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; 2415-8038

مصطلحات الفهرس: Сегнетиелектрики; Одновісний тиск; Гідростатичний тиск; Діелектрична проникність; Фазові переходи, Сегнетиэлектрики; Одноосное давление; Гидростатическое давление; Диэлектрическая проницаемость; Фазовые переходы, Ferrielectrics; Uniaxial pressure; Hydrostatic pressure; Phase transitions; Dielectric properties, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion, Рецензована стаття

URL: http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/129093
http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/129093/124327
http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/129093/124327