-
1Academic Journal
المؤلفون: Кідалов, В. В., Кукушкін, С. А., Осіпов, А. В., Редьков, А. В., Гращенко, А. С., Сошніков, І. П., Бойко, М. Е., Шарков, М. Д., Дяденчук, Альона Федорівна, Дяденчук, Алена Федоровна, Diadenchuk, Alona
مصطلحات موضوعية: метод заміщення атомів, поруватий буферний шар, SiC, поруватий Si, Si, епітаксійні плівки, 3C-SiC, метод замещения атомов, пористый буферный слой, пористый Si, эпитаксиальные пленки, method of substitution of atoms, porous buffer layer, porous Si, eitaxial film
وصف الملف: application/pdf
Relation: Журнал нано- та електронної фізики;Т. 10, № 3 (С. 03026 (6cc)); http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10845
-
2Academic Journal
المؤلفون: Кідалов, В.В., Кукушкін, С.А., Осіпов, А.В., Редьков, А.В., Гращенко, А.С., Сошніков, І.П., Бойко, М.Е., Шарков, М.Д., Дяденчук, А.Ф.
مصطلحات موضوعية: метод заміщення атомів, поруватий буферний шар, SiC, поруватий Si, Si, епітаксійні плівки, 3C-SiC, метод замещения атомов, пористый буферный слой, пористый Si, эпитаксиальные пленки, method of substitution of atoms, porous buffer layer, porous Si, epitaxial film
وصف الملف: application/pdf
-
3
مصطلحات موضوعية: SiC, пористый Si, Si, porous Si, Si, поруватий буферний шар, epitaxial film, эпитаксиальные пленки, метод заміщення атомів, поруватий Si, Si, porous buffer layer, епітаксійні плівки, метод замещения атомов, пористый буферный слой, method of substitution of atoms, 3C-SiC
وصف الملف: application/pdf