المؤلفون: Kras’ko, M. M., Kolosiuk, A. G., Voitovych, V. V., Povarchuk, V. Yu., Roguts’kyi, I. S.

المصدر: Ukrainian Journal of Physics; Vol. 63 No. 12 (2018); 1095 ; Український фізичний журнал; Том 63 № 12 (2018); 1095 ; 2071-0194 ; 2071-0186 ; 10.15407/ujpe63.12

مصطلحات موضوعية: гамма-опромiнення, дефект дивакансiя-кисень, час життя носiїв заряду, кремнiй, gamma irradiation, divacancy-oxygen defect, charge carrier lifetime, silicon

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018178/682; https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018178/683; https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018178

الاتاحة: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018178
https://doi.org/10.15407/ujpe63.12.1095