المؤلفون: K. L. Enisherlova, V. G. Goryachev, T. F. Rusak, S. A. Kapilin, К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 2 (2015); 137-145 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 2 (2015); 137-145 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2015-2

مصطلحات موضوعية: гетероструктуры AlGaN/GaN, вольт-фарадные характеристики, зонная диаграмма, частотные измерения, пассивирующий слой, двухмерный электронный газ, дислокация, резерфордовское обратное рассеяние, capacity−voltage characteristic, frequency measurement, band diagram, 2D electron gas, dislocation, Rutherford backscattering

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/171/160; Green, B. M. The effect of surface passivation on the microwave characteristics of undoped AlGaN/GaN HEMTs / B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, L. F. Eastman // IEEE Electron Device Lett. − 2000. −V. 21, N 6. − P. 268—270. DOI:10.1109/55.843146; Liu, W. L. Capacitance−voltage spectrocopy of trapping states in GaN/AlGaN heterostructure field−effect transistors / W. L. Liu, Y. L. Chen, A. A. Balandin, K. L. Wang // J. Nanоelectronics and Optoelectronics. − 2006. − V. 1. − P. 258—263.; Arulkumaran, S. Studies on the influences of i−GaN, n−GaN, p−GaN and InGaN cap layers in AlGaN/GaN high−electron−mobility transistors/ S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa // Jap. J. Appl. Phys. − 2005. − V. 44. − P. 2953—2960.; Vertiachikh, A. V. Effect of the surface and barrier defects on the AlGaN/GaN HEMT low−frequency noise performance / A. V. Vertiachikh, L. F. Eastman // IEEE Electron Dev. Lett. − 2003. − V. 24, N 9. − P. 535—537. DOI:10.1109/LED.2003.816588; Derluyn, J. Improvement of AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures by in situ deposition of a Si3N4 surface layer/ J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen, J. Das, W. Ruythooren, S. Degroote, M. R. Leys, M. Germain, G. Borghs // J. Appl. Phys. − 2005. − V. 98. − P. 054501−1−5; Kroemer, H. Measurement of isotype heterojunction barriers by C−V profiling/ H. Kroemer, Wu−Yi Chien, J. S. Harris (Jr), D. D. Edwall // Appl. Phys. Lett. − 1980. − V. 36, N 4. − P. 295—297. DOI:10.1063/1.91467; Enisherlova, K. L. AlGaN/GaN heterostructure study using Rutherford backscattering spectrometry / K. L. Enisherlova, V. S. Kulikauskas, V. V. Zatekin, T. F. Rusak, N. B. Gladysheva, I. I. Razguleyaev // J. Surf. Investigation, X−ray, Synchrotron and Neutron Techniq. − 2011. − V. 5, N 4. − P. 626—635.; Брунков, П. Н. Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками. Дисс. … докт. физ.−мат. наук / П. Н. Брунков. − СПб., 2007.; Ambacher, O. Two−dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N− and Ga− gace AlGaN/ GaN heterostructures/ O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murhy, W. J. Schaff, L. F. Eastman // J. Appl. Phys. − 1999. − V. 85, N 6. − P. 3222—3233.; Ibbetson, J. P. Polarization effects, surface states, and the sourface of electrons in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor/ J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra // Appl. Phys. Lett. − 2000. − V. 77, N 2. − P. 250—252; Yu, E. T. Spontaneous and piezoelectric polarization effects in III−V nitride heterostructures / E. T. Yu, X. Z. Dang, P. M. Asbeck, S. S. Lau // J. Vac. Sci. Technol. B. − 1999. − V. 17, N 4. − P.1742—1749.; Dawei, Y. Capacitance and conduction dispersion in AlGaN/GaN heterostructure/ Yan Dawei, Wang Fuxue, Zhu Zhaomin, Cheng Jianmin, Gu Xiaofeng // J. Semiconductors. − 2013. − V. 34, N 1. − P. 014003−1−4.; https://met.misis.ru/jour/article/view/171

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/171
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-137-145

المؤلفون: K. L. Enisherlova, V. G. Goryachev, V. G. Saraykin, S. A. Kapilin, К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 19, № 2 (2016); 115-123 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 19, № 2 (2016); 115-123 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2016-2

مصطلحات موضوعية: генерационно- рекомбинационный вклад, Schottky barriers, HEMT- transistors, C-V method, sequential and parallel substitution schemes, hodograph of the circuit impedance, generation-recombination centers, барьеры Шотки, НЕМТ- транзисторы, вольт-фарадные характеристики, последовательная и параллельная схемы замещения, годограф импеданса цепи

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/271/227; Зубков, В. И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрыв зон, уровни квантования, волновые функции / В. И. Зубков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 3. - C. 331—337.; Солтанович, О. А. Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами / О. А. Солтанович, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - C. 226—229.; Солтанович, О. А. Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами / О. А. Солтанович, Е. Б. Якимов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып 12. - С. 1597—1603.; Liu, W. L. Capacitance-voltage spectroscopy of trapping states in GaN/AlGaN heterostructure field-effect transistors / W.L. Liu, Y. L. Chen, A. A. Balandin, K. L. Wang // J. Nanoelectron. Optoelectron. - 2006. - V. 1, N 2. - P. 258—263. DOI:10.1166/jno.2006.212; Антонова, И. В. Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaN / И. В. Антонова, В. И. Поляков, А. И. Руковишников, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 53—59.; Енишерлова, К. Л. Исследование влияния пассивирующих слоев на емкостные характеристики гетероструктур AlGaN/GaN / К. Л. Енишерлова, В. В. Горячев, Т. Ф. Русак С. А. Капилин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2015. - Т. 18, № 2. - С. 137—145. DOI:10.17073/1609-3577-2015-2-137-145; Gallium Nitride (GaN): Physics, Devices and Technology / Ed. by F. Medjdoub. - Boca Raton; London; New York: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2014. - 388 p.; Subramani, N. K. A Physics based analytical model and numerical simulation for current-voltage characteristics of microwave power AlGaN/GaN HEMT / N. K. Subramani, J.-C. Nallatamby, A. K. Sahoo, R. Sommet, R. Quéré, B. Bindu. URL: https://www.researchgate.net/profile/Nandhakumar_Subramani/publication/312377111_A_Physics_Based_Analytical_Model_and_Numerical_Simulation_for_Current-Voltage_Characteristics_of_Microwave_Power_AlGaNGaN_HEMT/links/587c852808ae4445c06733c0.pdf; Брудный, В. Н. Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN / В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков, В. С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин, А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 450—456.; Поклонский, Н. А. Основы импендансной спектроскопии композитов : курс лекций / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук.- Минск : БГУ, 2005. - 103 с.; Гусев, В. А. Основы диэлектрической спектроскопии: учебное пособие / В. А. Гусев. - Казань : КГУ, 2008. - 112 с.; Polyakov, A. Y. Admitance spectra studies of quantum well states in AlGaN/AlN/GaN heterojunctions / A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova, S. J. Pearton, F. Ren, S. Yu. Karpov, K. D. Shchebachev, W. Lim // ECS J. Solid State Sci. Technol. - 2012. - V. 1, N 3.- P. P152—P156. DOI:10.1149/2.019203jss; Комаров, Ф. Ф. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии / Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, В. С. Соловьев, С. Ю. Ширяев. - Мн: Университетское, 1990. - 320 с. (C. 21—47).; Polyakov, A. Y. Deep traps responsible for hysteresis in capacitance-voltage characteristics of AlGaN/GaN heterostructure transistors / A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, A. M. Dabiran, A. M. Wowchak, A. V. Osinsky, B. Cui, P. P. Chow, S. J. Pearton // Appl. Phys. Lett. - 2007. - V. 91, iss. 23. - P. 232116-1-3. DOI:10.1063/1.2823607; Бочкарева, Н. И. Влияние состояний на границах раздела на емкость и эффективность электролюминесценции InGaN/ GaN-световодов / Н. И. Бочкарева, Е. А. Жирнов, А. А. Ефремов, Ю. Т. Ребане, Р. И. Горбунов, А. В. Клочков, Д. А. Давринович, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, вып. 7. - С. 829—833.; Morkoc, H. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices. Vol. 1: Materials Properties, Physics and Growth / H. Morkoc. – Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH&Co. KGaA, 2008. - 1311 p. (P. 817—1010). DOI:10.1002/9783527628438; Stradiotto, R. On the fly characterization of charge trapping phenomena at GaN/dielectric and GaN/AlGaN/dielectric interfaces using impedance measurements / R. Stradiotto, G. Pobegen, C. Ostermaier, T. Grasser // 45th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC). - Graz (Austria): IEEE, 2015. - P. 72—75. DOI:10.1109/ESSDERC.2015.7324716; https://met.misis.ru/jour/article/view/271

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/271
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-2-115-123

المؤلفون: K. L. Enisherlova, V. G. Goriachev, E. M. Temper, S. A. Kapilin, К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер, С. А. Капилин

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 1 (2013); 53-60 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 1 (2013); 53-60 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2013-1

مصطلحات موضوعية: донорные глубокие уровни, recrystallization layer, deep compensate levels, перекристаллизованный слой, эквивалентная схема, емкостные характеристики, частотно−емкостная зависимость, пространственный заряд

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/49/44; Nakamura, T. Silicon on sapphire (SOS) device technology / T. Nakamura, H. Matsuhashi, Y. Nagatomo // Oki Techn. Rev. – 2004. – Iss. 200. – V. 71, N 4. – Р. 66—69.; Мустафаев, Aб. Г. Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур / Aб. Г. Мустафаев, Г. А. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано-и микросистемная техника. – 2011. – № 8. – С. 41—43.; Александров, П. А. Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизированных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире / П. А. Александров, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, Ю. Ю. Кузнецов // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, вып. 5. – С. 627—629.; Jaron, G. Application of laser annealing techniques to increase channel mobility in silicon on sapphire transistors / G. Jaron, L. D. Hess // Appl. Phys. Lett. – 1980. – V. 36, N 3. – Р. 220.; Алябьев, И. В. Состояние и проблемы КНС−технологии / И. В. Алябьев, Н. И. Блецкан, В. С. Папков // Электронная промышленность. – 1983. – Вып. 1(118). – С. 47—51.; Сhristoloveanu, S. Electrical characterization techniques for silicon on iInsulator materials and devices / G. Сhristoloveanu // NATO ASI Ser. – 1995. – V. 4. – P. 109—132.; Енишерлова, К. Л. Влияние облучения на электрические параметры границы раздела кремний-сапфир в КНС-структурах / К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Е. Л. Шоболов // Электрон. техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. – 2011. – Вып. 2(227). – C. 70—80.; Тихов, С. В. Электрофизические свойства тонких слоев кремния на сапфире, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / С. В. Тихов, В. Г. Шенгуров, Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, Е. А. Питиримова, В. Н. Трушин, Е. В. Коротков, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков // Вестн. Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского, Физика твердого тела. – 2010. – № 2(1). – С. 60—65.; Neaman, D. Silicon sapphire interface charge trapping-effects of sppphire type and epi growth conditijns / D. Neaman, W. Shedd, B. Buchanan // IEEE Trans. Nucl. Sci. – 1976. – V. NS – 23, N 6. – Р. 1590—1593.; Linda, F. H. JFET/SOS Devices−Pawrt II: Gamma-Radiation Induced effects / F. H. Linda, G. Thomas, Z. Zietlow, C. Barnts // IEEE Transactions on Electron Devicts, – 1988. – V. 35, N 3. – P. 359—364.; Шулаков, А. С. Свойства межфазовой границы Al2O3/Si / А. С. Шулаков, А. П. Брайко, С. В. Букин, В. Е. Дрозд // ФТТ. – 2004. – Т. 46, вып. 10. – С. 1868—1875.; Schwank, J. Tоtal dose effects in MOS devices / J. Schwank // Short Course notebook: Radiation Effects - From Particles to Payloads. IEEE NSREC. – 2002. – Ch. 3. – P. 1—123.; Сaгоян, А. В. Особенности формирования и релаксации заряда в КНС-структурах при воздействии ионизирующего излучения / А. В. Сaгоян, Г. Г. Давыдов // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 3. – С. 209—223.; https://met.misis.ru/jour/article/view/49

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/49
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-53-60