المؤلفون: Тимофеев, Владимир Иванович, Семеновская, Елена Владимировна, Фалеева, Елена Михайловна

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Vol. 59 No. 2 (2016): Наноэлектроника; 23-32 ; Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 59 № 2 (2016): Наноэлектроника; 23-32 ; Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка; Том 59 № 2 (2016): Наноэлектроника; 23-32 ; 2307-6011 ; 0021-3470

مصطلحات موضوعية: субмикронный гетероструктурный транзистор, нитрид галлия, тепловые поля, эффект саморазогрева, частотные характеристики усиления

وصف الملف: application/pdf

Relation: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347016020035/56402; http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347016020035

الاتاحة: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347016020035
https://doi.org/10.20535/S0021347016020035

المؤلفون: Тимофеев, Владимир Иванович, Семеновская, Елена Владимировна, Фалеева, Елена Михайловна, Timofeyev, Vladimir I., Semenovskaya, Elena V., Falieieva, Olena M.

المصدر: Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2016, Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроника

مصطلحات موضوعية: субмикронный гетероструктурный транзистор, нитрид галлия, тепловые поля, эффект саморазогрева, частотные характеристики усиления, submicron heterostructure transistor, gallium nitride, thermal fields, self-heating effect, gain frequency characteristics, 621.382.323

وصف الملف: application/pdf

Relation: Тимофеев, В. И. Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия / В. И. Тимофеев, Е. В. Семеновская, Е. М. Фалеева // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2016. – Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроника. – C. 23–32. – Библиогр.: 18 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/17943; https://doi.org/10.20535/S0021347016020035

الاتاحة: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/17943
https://doi.org/10.20535/S0021347016020035

المؤلفون: Семеновская, Елена Владимировна

المساهمون: Тимофеев, Владимир Иванович, Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт", электроники

مصطلحات موضوعية: гетероструктурні транзистори, саморозігрів, тепловий опір, теплова модель, гетероструктурные транзисторы, саморазогрев, тепловое сопротивление, тепловая модель, heterojunction transistors, self-heating, thermal resistance, thermal model

وصف الملف: application/pdf

Relation: Семеновская Е. В. Моделирование электротепловых процессов в субмикронных гетероструктурах : дисс. . канд. техн. наук : 05.27.01 – твердотельная электроника / Е. В. Семеновская. - К., 2011. - 172 л. + CD-ROM; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/955

الاتاحة: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/955