-
1Academic Journal
المؤلفون: A. V. Lutzau, M. M. Krymko, K. L. Enisherlova, E. M. Temper, I. I. Razguliaev, А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев
المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2012); 72-78 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2012); 72-78 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2012-3
مصطلحات موضوعية: глубокие уровни, C−V−characteristics, equivalent circuit, frequency−capacitance dependence, accumulation, depletion, deep traps, band diagram, тестовые МДП−структуры, С−V−характеристики, эквивалентная схема замещения, частотно−емкостные зависимость, аккумуляция, обеднение, зонная диаграмма
وصف الملف: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/46/42; Кузьмин, Р. Н. Рентгеновская оптика / Р. Н. Кузьмин // Соросовский образовательный журнал. − 1997. − № 2. − С. 1—7.; Enisherlova, K. L. The spatial features AlxGa1−xN/GaN heterostructures / K. L. Enisherlova, R. M. Immamov, L. M. Subbotin // Proc. of SPIE. Micro− and nanoelectronics. − 2008. − V. 7025. − P. 702518−8.; Васильев, А. Г. Исследование структур AlGaN/GaN методом рентгеновской дифрактометрии / А. Г. Васильев, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, Э. М. Темпер, Т. Ф. Русак // Электрон. техника. Полупроводниковые приборы. серия 2. − 2010. − Вып. 2(225). − С. 13—27.; Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. − СПб. : Наука, 2002. − 270 с.; Bublik, V. T. The influence of photoexcitation in situ on a generation of defect structure during ion implantation into Si substrates. / V. T. Bublik, V. N. Mordkovich, K. D. Shcherbachev, D. M. Pazhin // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2005. V. 38, N 10A. − P. A126—A131.; Пинскер, З. Г. Рентгеновская кристаллооптика / З. Г. Пинскер. − М. : Наука, 1982. − 390 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/46