يعرض 1 - 20 نتائج من 268 نتيجة بحث عن '"МДП-структуры"', وقت الاستعلام: 0.47s تنقيح النتائج
  1. 1
    Academic Journal

    جغرافية الموضوع: Минск

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: Дудко, М. В. Приборы с зарядовой связью (ПЗС) = Charge coupled devices (CCD) / М. В. Дудко, М. Д. Кравченко // Компьютерные системы и сети : сборник статей 60-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22–26 апреля 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2024. – С. 213–220.; https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57123

  2. 2
  3. 3
    Academic Journal
  4. 4
    Academic Journal
  5. 5
    Academic Journal
  6. 6
    Academic Journal
  7. 7
  8. 8
    Academic Journal

    المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2012); 72-78 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2012); 72-78 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2012-3

    وصف الملف: application/pdf

    Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/46/42; Кузьмин, Р. Н. Рентгеновская оптика / Р. Н. Кузьмин // Соросовский образовательный журнал. − 1997. − № 2. − С. 1—7.; Enisherlova, K. L. The spatial features AlxGa1−xN/GaN heterostructures / K. L. Enisherlova, R. M. Immamov, L. M. Subbotin // Proc. of SPIE. Micro− and nanoelectronics. − 2008. − V. 7025. − P. 702518−8.; Васильев, А. Г. Исследование структур AlGaN/GaN методом рентгеновской дифрактометрии / А. Г. Васильев, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, Э. М. Темпер, Т. Ф. Русак // Электрон. техника. Полупроводниковые приборы. серия 2. − 2010. − Вып. 2(225). − С. 13—27.; Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. − СПб. : Наука, 2002. − 270 с.; Bublik, V. T. The influence of photoexcitation in situ on a generation of defect structure during ion implantation into Si substrates. / V. T. Bublik, V. N. Mordkovich, K. D. Shcherbachev, D. M. Pazhin // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2005. V. 38, N 10A. − P. A126—A131.; Пинскер, З. Г. Рентгеновская кристаллооптика / З. Г. Пинскер. − М. : Наука, 1982. − 390 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/46

  9. 9
  10. 10
  11. 11
    Academic Journal
  12. 12
    Academic Journal
  13. 13
  14. 14
    Academic Journal
  15. 15
  16. 16
  17. 17
  18. 18
    Academic Journal
  19. 19
    Academic Journal

    المساهمون: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ

    المصدر: Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1040. P. 34-38

    وصف الملف: application/pdf

  20. 20
    Academic Journal

    المساهمون: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ

    المصدر: Opto-electronics review. 2014. Vol. 22, № 4. P. 236-244

    وصف الملف: application/pdf