-
1Academic Journal
المؤلفون: Дудко, М. В., Кравченко, М. Д.
مصطلحات موضوعية: материалы конференций, приборы с зарядовой связью, МДП-структуры, запоминающие устройства
جغرافية الموضوع: Минск
وصف الملف: application/pdf
Relation: Дудко, М. В. Приборы с зарядовой связью (ПЗС) = Charge coupled devices (CCD) / М. В. Дудко, М. Д. Кравченко // Компьютерные системы и сети : сборник статей 60-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22–26 апреля 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2024. – С. 213–220.; https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57123
-
2Academic Journal
المؤلفون: Voytsekhovskiy, Alexander V., Dzyadukh, Stanislav M., Gorn, Dmitriy Igorevich, Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu., Yakushev, Maxim V.
المصدر: Physica scripta. 2023. Vol. 98, № 6. P. 065907
مصطلحات موضوعية: nBn-структуры, барьерные структуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, вольт-амперная характеристика, МДП-структуры, длинноволновое инфракрасное излучение, инфракрасные детекторы
Relation: koha:001016965; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001016965
-
3Academic Journal
المؤلفون: Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович
المصدر: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 11. С. 162-169
مصطلحات موضوعية: органические полупроводники, адмиттанс, тонкие пленки, МДП-структуры, частотные зависимости
وصف الملف: application/pdf
Relation: vtls:000661235; https://openrepository.ru/article?id=330638
-
4Academic Journal
المؤلفون: Kalygina, Vera M., Kiselyeva, O. S., Kushnarev, Bogdan O., Oleinik, Vladimir L., Petrova, Julianna S., Tsymbalov, Alexander V.
المصدر: Semiconductors. 2022. Vol. 56, № 9. P. 707-711
مصطلحات موضوعية: МДП-структуры, вольт-фарадные характеристики, пленки оксида галлия, фотоэлектрические характеристики, фотодиоды
Relation: koha:001016318; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001016318
-
5Academic Journal
المؤلفون: Калыгина, Вера Михайловна, Киселева, Ольга Сергеевна, Кушнарев, Богдан Олегович, Олейник, Владимир Леонидович, Петрова, Юлианна Сергеевна, Цымбалов, Александр Вячеславович
المصدر: Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56, № 9. С. 928-932
مصطلحات موضوعية: МДП-структуры, вольт-фарадные характеристики, вольт-сименсные характеристики, фототоки, плотность ловушек
Relation: koha:001010802; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001010802
-
6Academic Journal
المؤلفون: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
المصدر: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
مصطلحات موضوعية: МДП-структуры, адмиттанс, HgCdTe, молекулярно-лучевая эпитаксия, барьерная структура, nBn-структуры
وصف الملف: application/pdf
Relation: koha:000998738; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000998738
-
7
المصدر: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
مصطلحات موضوعية: адмиттанс, nBn-структуры, HgCdTe, барьерная структура, молекулярно-лучевая эпитаксия, МДП-структуры
وصف الملف: application/pdf
-
8Academic Journal
المؤلفون: A. V. Lutzau, M. M. Krymko, K. L. Enisherlova, E. M. Temper, I. I. Razguliaev, А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев
المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 3 (2012); 72-78 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 3 (2012); 72-78 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2012-3
مصطلحات موضوعية: глубокие уровни, C−V−characteristics, equivalent circuit, frequency−capacitance dependence, accumulation, depletion, deep traps, band diagram, тестовые МДП−структуры, С−V−характеристики, эквивалентная схема замещения, частотно−емкостные зависимость, аккумуляция, обеднение, зонная диаграмма
وصف الملف: application/pdf
Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/46/42; Кузьмин, Р. Н. Рентгеновская оптика / Р. Н. Кузьмин // Соросовский образовательный журнал. − 1997. − № 2. − С. 1—7.; Enisherlova, K. L. The spatial features AlxGa1−xN/GaN heterostructures / K. L. Enisherlova, R. M. Immamov, L. M. Subbotin // Proc. of SPIE. Micro− and nanoelectronics. − 2008. − V. 7025. − P. 702518−8.; Васильев, А. Г. Исследование структур AlGaN/GaN методом рентгеновской дифрактометрии / А. Г. Васильев, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, Э. М. Темпер, Т. Ф. Русак // Электрон. техника. Полупроводниковые приборы. серия 2. − 2010. − Вып. 2(225). − С. 13—27.; Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. − СПб. : Наука, 2002. − 270 с.; Bublik, V. T. The influence of photoexcitation in situ on a generation of defect structure during ion implantation into Si substrates. / V. T. Bublik, V. N. Mordkovich, K. D. Shcherbachev, D. M. Pazhin // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2005. V. 38, N 10A. − P. A126—A131.; Пинскер, З. Г. Рентгеновская кристаллооптика / З. Г. Пинскер. − М. : Наука, 1982. − 390 с.; https://met.misis.ru/jour/article/view/46
-
9
المؤلفون: Stanislav M. Dzyadukh, S. A. Dvoretsky, A. V. Voitsekhovskii, I. I. Izhnin, Sergey N. Nesmelov, Ihor I. Syvorotka, N. N. Mikhailov
المصدر: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2489-2494
مصطلحات موضوعية: Materials science, Admittance, Materials Science (miscellaneous), Capacitive sensing, структура металл - диэлектрик - полупроводник, Nanochemistry, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, 010402 general chemistry, Epitaxy, одиночные квантовые ямы, 01 natural sciences, Electrical and Electronic Engineering, Physical and Theoretical Chemistry, Quantum well, адмиттанс, business.industry, Cell Biology, 021001 nanoscience & nanotechnology, Atomic and Molecular Physics, and Optics, 0104 chemical sciences, Optoelectronics, Charge carrier, МДП-структуры, 0210 nano-technology, business, Biotechnology, Molecular beam epitaxy, Voltage
وصف الملف: application/pdf
-
10
المؤلفون: Sergey A. Dvoretsky, S. M. Dzyadukh, Alexander V. Voitsekhovskii, G. Yu. Sidorov, Nikolay N. Mikhailov, M. V. Yakushev, S. N. Nesmelov
المصدر: Journal of communications technology and electronics. 2019. Vol. 64, № 3. P. 289-293
مصطلحات موضوعية: Materials science, chemistry.chemical_element, градиентные слои, молекулярно-лучевая эпитаксия, 02 engineering and technology, Epitaxy, 01 natural sciences, Capacitance, 0103 physical sciences, Band diagram, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electrical and Electronic Engineering, 010302 applied physics, Radiation, Dopant, business.industry, 020206 networking & telecommunications, Heterojunction, Condensed Matter Physics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Semiconductor, chemistry, Optoelectronics, МДП-структуры, business, Indium, Molecular beam epitaxy
-
11Academic Journal
المؤلفون: Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
المصدر: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34-37
مصطلحات موضوعية: nBn-структура, МДП-структуры, HgCdTe, адмиттанс, метод эквивалентных схем
وصف الملف: application/pdf
Relation: koha:000895252; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000895252
-
12Academic Journal
المؤلفون: Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич, Марин, Денис Викторович
المصدر: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
مصطلحات موضوعية: варизонные пленки, молекулярно-лучевая эпитаксия, ионная имплантация, МДП-структуры, адмиттанс
وصف الملف: application/pdf
Relation: koha:000895314; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000895314
-
13Academic Journal
المؤلفون: Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Varavin, Vasilii S., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu., Yakushev, Maxim V., Marin, Denis V.
المصدر: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 4. P. 2323-2330
مصطلحات موضوعية: теллурид кадмия-ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, ионная имплантация, МДП-структуры, адмиттанс, варизонные слои
وصف الملف: application/pdf
Relation: koha:000893721; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893721
-
14Academic Journal
المؤلفون: Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu., Yakushev, Maxim V.
المصدر: Technical physics letters. 2021. Vol. 47, № 9. P. 629-632
مصطلحات موضوعية: МДП-структуры, nBn-структура, адмиттанс
Relation: koha:000893726; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893726
-
15Academic Journal
المؤلفون: Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Kopylova, Tatyana N., Degtyarenko, Konstantin M.
المصدر: Russian physics journal. 2021. Vol. 64, № 7. P. 1281-1288
مصطلحات موضوعية: органические полупроводники, пентацен, МДП-структуры, адмиттанс, импеданс, гистерезис, объемные ловушки, диоксид кремния, оксид алюминия
Relation: koha:000893722; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893722
-
16Academic Journal
المؤلفون: Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Varavin, Vasilii S., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu., Yakushev, Maxim V., Marin, Denis V.
المصدر: Technical physics letters. 2021. Vol. 47, № 2. P. 189-192
مصطلحات موضوعية: молекулярно-лучевая эпитаксия, ионная имплантация, МДП-структуры, адмиттанс
Relation: koha:000893727; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893727
-
17Academic Journal
المؤلفون: Voytsekhovskiy, Alexander V., Kulchitskii, N. A., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Varavin, Vasilii S., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Yakushev, Maxim V., Sidorov, Georgiy Yu.
المصدر: Journal of communications technology and electronics. 2021. Vol. 66, № 3. P. 337-339
مصطلحات موضوعية: МДП-структуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, дифференциальное сопротивление, вариозные слои
Relation: koha:000893729; https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893729
-
18Academic Journal
المؤلفون: Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Копылова, Татьяна Николаевна, Дегтяренко, Константин Михайлович
المصدر: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 7. С. 96-102
مصطلحات موضوعية: органические полупроводники, пентацен, МДП-структуры, адмиттанс, импеданс, эквивалентные схемы, гистерезис, объемные ловушки, диоксид кремния, оксид алюминия
وصف الملف: application/pdf
Relation: koha:000721135; http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000721135
-
19Academic Journal
المساهمون: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
المصدر: Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1040. P. 34-38
مصطلحات موضوعية: квантовые ямы, молекулярно-лучевая эпитаксия, МДП-структуры, теллурид кадмия ртути
وصف الملف: application/pdf
Relation: vtls:000493287; https://openrepository.ru/article?id=276076
-
20Academic Journal
المساهمون: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
المصدر: Opto-electronics review. 2014. Vol. 22, № 4. P. 236-244
مصطلحات موضوعية: теллурид кадмия ртути, МДП-структуры, адмиттанс, варизонные слои
وصف الملف: application/pdf
Relation: vtls:000493187; https://openrepository.ru/article?id=275971
الاتاحة: https://doi.org/10.2478/s11772−014−0198−7
https://openrepository.ru/article?id=275971