المؤلفون: I. V. Schemerov, A. Yu. Polyakov, A. V. Almaev, V. I. Nikolaev, S. P. Kobeleva, A. A. Vasilyev, V. D. Kirilov, A. I. Kochkova, V. V. Kopiev, Yu. O. Kulanchikov, И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, А. В. Алмаев, В. И. Николаев, С. П. Кобелева, А. А. Васильев, В. Д. Кирилов, А. И. Кочкова, В. В. Копьев, Ю. О. Куланчиков

المساهمون: The research was supported by RSF (project No. 22-72-00010), Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 22-72-00010).

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 26, № 2 (2023); 137-147 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 26, № 2 (2023); 137-147 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2023-2

مصطلحات موضوعية: растянутые экспоненты, solar-blind photodetectors, ultraviolet photodetectors, slow photoeffect, stretched exponents, солнечно-слепые фотодетекторы, ультрафиолетовые фотопреобразователи, замедленный фотоэффект

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/514/423; https://met.misis.ru/jour/article/downloadSuppFile/514/176; Pearton S.J., Yang J., Cary P.H., Ren F., Kim J., Tadjer M.J., Mastro M.A. A review of Ga2O3materials, processing, and devices. Applied Physics Reviews. 2018; 5: 011301. https://doi.org/10.1063/1.5006941; Pearton S.J., Ren F., Tadjer M., Kim J. Perspective: Ga2O3for ultra-high power rectifiers and MOSFETS. Journal of Applied Physics. 2018; 124: 220901. https://doi.org/10.1063/1.5062841; Zhang J., Shi J., Qi D.-C., Chen L, Zhang K.H.L. Recent progress on the electronic structure, defect, and doping properties of Ga2O3. APL Materials. 2020; 8(2): 020906. https://doi.org/10.1063/1.5142999; Xu Yu, An Z., Zhang L., Feng Q., Zhang J., Zhang C., Hao Y. Solar blind deep ultraviolet β-Ga2O3 photodetectors grown on sapphire by the Mist-CVD method. Optical Materials Express. 2018; 8(9): 2941–2947. https://doi.org/10.1364/OME.8.002941; Wei Y., Li X., Yang J., Liu C., Zhao J., Liu Y., Dong S. Interaction between hydrogen and gallium vacancies in β-Ga2O3. Scientific Reports. 2018; 8: 10142. https://doi.org/10.1038/s41598-018-28461-3; Ingebrigtsen M.E., Kuznetsov A.Yu., Svensson B.G., Alfieri G., Mihaila A., Badstübner U., Perron A., Vines L., Varley J.B. Impact of proton irradiation on conductivity and deep level defects in β-Ga2O3. APL Materials. 2019; 7(2): 022510. https://doi.org/10.1063/1.5054826; Yoon Y., Kim S., Lee I.G., Cho B.J., Hwang W.S. Electrical and photocurrent properties of a polycrystalline Sn-doped β-Ga2O3 thin film. Materials Science in Semiconductor Processing. 2021; 121: 105430. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105430; Mcglone J.F., Xia Z., Zhang Y., Joishi C., Lodha S., Rajan S., Ringel S.A., Arehart A.R. Trapping effects in Si-doped-Ga2O3 MESFETs on an Fe-doped-Ga2O3 substrate. IEEE Electron Device Letters. 2018; 39(7): 1042—1045. https://doi.org/10.1109/LED.2018.2843344; Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Chernykh S.V., Oh S., Pearton S.J., Ren F., Kochkova A.I., Kim J. Defect states determining dynamic trapping-detrapping in β-Ga2O3 field-effect transistors. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2019; 8(7): Q3013. https://doi.org/10.1149/2.0031907jss; Xu J., Zheng W., Huang F. Gallium oxide solar-blind ultraviolet photodetectors: A review. Journal of Materials Chemistry C. 2019; 7(29): 8753—8770. https://doi.org/10.1039/C9TC02055A; Yakimov E.B., Polyakov A.Y., Shchemerov I.V., Smirnov N.B., Vasilev A.A., Vergeles P.S., Yakimov E.E., Chernykh A.V., Shikoh A.S., Ren F., Pearton S.J. Photosensitivity of Ga2O3 Schottky diodes: Effects of deep acceptor traps present before and after neutron irradiation. APL Materials. 2020; 8(11): 111105. https://doi.org/10.1063/5.0030105; Yakimov E.B., Polyakov A.Y., Shchemerov I.V., Smirnov N.B., Vasilev A.A., Kochkova A.I., Vergeles P.S., Yakimov E.E., Chernykh A.V., Xian Minghan, Ren F., Pearton S.J. On the nature of photosensitivity gain in Ga2O3 Schottky diode detectors: Effects of hole trapping by deep acceptors. Journal of Alloys and Compounds. 2021; 879: 160394. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.160394; Oh S., Jung Y., Mastro M.A., Hite J.K., Eddy C.R., Kim J. Development of solar-blind photodetectors based on Si-implanted β-Ga2O3. Optics Express. 2015; 23(22): 28300—28305. https://doi.org/10.1364/OE.23.028300; Meng D.D., Ji X.Q., Wang D.F., Chen Z.W. Enhancement of responsivity in solar-blind UV detector with back-gate MOS structure fabricated on β-Ga2O3 films. Frontiers in Materials. 2021; 8: 672128. https://doi.org/10.3389/fmats.2021.672128; Tak B.R., Yang M.-M., Alexe M., Singh R. Deep-level traps responsible for persistent photocurrent in pulsed-laser-deposited β-Ga2O3 thin films. Crystals. 2021; 11(9): 1046. https://doi.org/10.3390/cryst11091046; Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Pearton S.J., Ren F., Chernykh A.V., Lagov P.B., Kulevoy T.V. Hole traps and persistent photocapacitance in proton irradiated β-Ga2O3 films doped with Si. APL Materials. 2018; 6(9): 096102. https://doi.org/10.1063/1.5042646; Yakovlev N.N., Almaev A.V., Butenko P.N., Mikhaylov A.N., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Timashov R.B., Chikiryaka A.V., Nikolaev V.I. Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity. Material Physics and Mechanics. 2022; 48(3): 301—307. https://doi.org/10.18149/MPM.4832022_1; Dobaczewski L., Peaker A.R., Bonde N.K. Laplace-transform deep-level spectroscopy: The technique and its applications to the study of point defects in semiconductors. Journal of Applied Physics. 2004; 96(9): 4689—4728. https://doi.org/10.1063/1.1794897; Zheng X., Feng S., Zhang Y., Yang J. Identifying the spatial position and properties of traps in GaN HEMTs using current transient spectroscopy. Microelectronics Reliability. 2016; 63: 46—51. https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.05.001; Aoki Y., Wiemann C., Feyer V., Kim H.-S., Schneider C.M., Ill-Y.H., Martin M. Bulk mixed ion electron conduction in amorphous gallium oxide causes memristive behaviour. Nature Communications. 2014; 5: 3473. https://doi.org/10.1038/ncomms4473; Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Lee I.-H., Jang T., Dorofeev A.A., Gladysheva N.B., Kondratyev E.S., Turusova Y.A., Zinovyev R.A., Turutin A.V., Ren F., Pearton S. J. Current relaxation analysis in AlGaN/GaN high electron mobility transistors. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2017; 35(1): 011207. https://doi.org/10.1116/1.4973973; Mitrofanov O., Manfra M. Mechanisms of gate lag in GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors. Superlattices and Microstructures. 2003; 34(1-2): 33—53. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2003.12.002; Polyakov A., Nikolaev V., Stepanov S., Almaev A., Pechnikov A., Yakimov E., Kushnarev B.O., Shchemerov I., Scheglov M., Chernykh A., Vasilev A., Kochkova A., Pearton S.J. Electrical properties of α-Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire with α-Cr2O3 buffers. Journal of Applied Physics. 2022; 131(21): 215701. https://doi.org/10.1063/5.0090832; Polyakov A.Y., Nikolaev V.I., Tarelkin S.A., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Nikolaev A.E., Shchemerov I.V., Yakimov E.B., Luparev N.V., Kuznetsov M.S., Vasilev A.A., Kochkova A.I., Voronova M.I., Scheglov M.P., Kim J., Pearton S.J. Electrical properties and deep trap spectra in Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on p-type diamond substrates. Journal of Applied Physics. 2021; 129(18): 185701. https://doi.org/10.1063/5.0044531; Polyakov A.Y., Nikolaev V.I., Stepanov S.I., Pechnikov A.I., Yakimov E.B., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Vasilev A.A., Kochkova A.I., Chernykh A.V., Pearton S.J. Editors’ choice — electrical properties and deep traps in α-Ga2O3:Sn films grown on sapphire by halide vapor phase epitaxy. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2020; 9(4): 045003. https://doi.org/10.1149/2162-8777/ab89bb; Kim J., Pearton S.J., Fares C., Yang J., Ren F., Kim S., Polyakov A.Y. Radiation damage effects in Ga2O3 materials and devices. Journal of Materials Chemistry C. 2018; 7(1): 10—24. https://doi.org/10.1039/c8tc04193h; Polyakov A.Y., Nikolaev V.I., Meshkov I.N., Siemek K., Lagov P.B., Yakimov E.B., Pechnikov A.I., Orlov O.S., Sidorin A.A., Stepanov S.I., Shchemerov I.V., Vasilev A.A., Chernykh A.V., Losev A.A., Miliachenko A.D., Khrisanov I.A., Pavlov Yu.S., Kobets U.A., Pearton S.J. Point defect creation by proton and carbon irradiation of α-Ga2O3. Journal of Applied Physics. 2022; 132(3): 035701. https://www.doi.org/10.1063/5.0100359; https://met.misis.ru/jour/article/view/514

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/514
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2023-2-137-147

المؤلفون: I. M. Anfimov, S. P. Kobeleva, A. V. Pylnev, I. V. Schemerov, D. S. Egorov, S. V. Yurchuk, И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, А. В. Пыльнев, И. В. Щемеров, Д. С. Егоров, С. Ю. Юрчук

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 19, № 3 (2016); 210-216 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 19, № 3 (2016); 210-216 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2016-3

مصطلحات موضوعية: бесконтактные СВЧ− измерения, photoconductivity decay, Si single crystal, contactless µ−PCD measurements, неравновесные носители заряда, спад фотопроводимости, монокристаллический Si, непассивированные образцы

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/240/207; Väinölä, H. Sensitive copper detection in p−type CZ silicon using µPCD / H. Väinölä, M. Yli−Koski, A. Haarahiltunen, J. Sinkkonen // J. Electrochem. Soc. − 2003. − V. 150, iss. 12. − P. G790—G794. DOI:10.1149/1.1624845; Schroder, D. K. Semiconductor material and device characterization / D. K. Schroder. − New York : Wiley−Interscience/IEEE, 2006. − 781 p.; Кобелева, С. П. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния (обзор) / С. П. Кобелева // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2007. − Т. 73, № 1. − С. 60—67.; Ogita, Y. I. Bulk lifetime and surface recombination velocity measurement method in semiconductor wafers / Y. I. Ogita // J. Appl. Phys. − 1996. − V. 79, iss. 9. − Art. N 6954. DOI:10.1063/1.361459; Harkonen, J. Recombination lifetime characterization and mapping of silicon wafers and detectors using the microwave photoconductivity decay (µPCD) technique / J. Härkönen, E. Tuovinen, Z. Li, P. Luukka, E. Verbitskaya, V. Eremin // Materials Science in Semiconductor Processing. − 2006. − V. 9, iss. 1–3. − P. 261—265. DOI:10.1016/j.mssp.2006.01.049; SEMI MF 1535−0707. Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by noncontact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance. − San Jose, 2010.; Wilson, M. Improved QSS−µPCD measurement with quality of decay control: Correlation with steady−state carrier lifetime / M. Wilson, P. Edelman, J. Lagowski, S. Olibet, V. Mihailetchi // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2012. − V. 106. − P. 66—70. DOI:10.1016/j.solmat.2012.05.040; Klein, D. The determination of charge−carrier lifetime in silicon / D. Klein, F. Wuensch, M. Kunst // Phys. Status Solidi (b). − 2008. − V. 245, N 9. − P. 1865—1876. DOI:10.1002/pssb.200879544; Heinz, F. D. Separation of the surface and bulk recombination in silicon by means of transient photoluminescence / F. D. Heinz, W. Warta, M. C. Schubert // Appl. Phys. Lett. − 2017. − V. 110, iss. 4. − Art. N 042105. DOI:10.1063/1.4975059; Anfimov, I. M. Measurement of lifetime of nonequilibrium charge carriers in single−crystal silicon / I. M. Anfimov, S. P. Kobeleva, I. V. Shchemerov // Inorg. Mater. − 2015. − V. 51, N 15. − P. 1447— 1451. DOI:10.1134/S0020168515150029; Fontaine, J. C. A simple procedure based on the PCD method for determination of recombination lifetime and surface recombination velocity in silicon / J. C. Fontaine, S. Barthe, J. P. Ponpon, J. P. Schunck, P. Siffert // Measurement Science and Technology. − 1994. − V. 5, N 1. − P. 47—50. DOI:10.1088/0957-0233/5/1/008; Landheer, K. Decoupling high surface recombination velocity and epitaxial growth for silicon passivation layers on crystalline silicon / K. Landheer, M. Kaiser, M. A. Verheijen, F. D. Tichelaar, I. Poulios, R. E. I. Schropp, J. K. Rath // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2017. − V. 50, N 6. − Art. N 065305. DOI:10.1088/1361-6463/aa535f; Adachi, D. Impact of carrier recombination on fill factor for large area heterojunction crystalline silicon solar cell with 25.1% efficiency / D. Adachi, J. L. Hernandez, K. Yamamoto // Appl. Phys. Lett. − 2015. − V. 107, iss. 23. − Art. N 233506. DOI:10.1063/1.4937224; Bonilla, R. S. Extremely low surface recombination in 1 Ω cm n−type monocrystalline silicon / R. S. Bonilla, C. Reichel, M. Hermle, P. R. Wilshaw // Phys. Status Solidi RRL. − 2017. − V. 11, iss. 1. − Art. N 1600307. DOI:10.1002/pssr.201600307; Ogita, Y .I. Reduction of surface recombination velocity by rapid thermal annealing of p−Si passivated by catalytic−chemical vapor deposited alumina films / Y .I. Ogita, M. Tachihara // Thin Solid Films. − 2015. − V. 575. − P. 56—59. DOI:10.1016/j.tsf.2014.10.024; Blakemore, J. S. Semiconductor statistics / J. S. Blakemore. − New York : Dover publishing, 1987. − 381 p.; Giesecke, J. A. Understanding and resolving the discrepancy between differential and actual minority carrier lifetime / J. A. Giesecke, S. W. Glunz, W. Warta // J. Appl. Phys. − 2013. − V. 113, N 7. − Art. N 073706. DOI:10.1063/1.4790716; Brody, J. Review and comparison of equations relating bulk lifetime and surface recombination velocity to effective lifetime measured under flash lamp illumination / J. Brody, A. Rohatgi, A. Ristow // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2003. − V. 77, iss. 3. − P. 293—301. DOI:10.1016/S0927-0248(02)00350-1; Horanyi, T. S. In situ bulk lifetime measurement on silicon with chemically passivated surface / T. S. Horanyi, T. Pavelka, P. Tutto // Appl. Surf. Sci. − 1993. − V. 63, iss. 1–4. − P. 306—311. DOI:10.1016/0169-4332(93)90112-O; Кобелева, С. П. Влияние поверхностной рекомбинации на измерение времени жизни в слитках монокристаллического кремния / С. П. Кобелева, С. Ю. Юрчук, М. А. Ярынчак, В. В. Калинин // Известия вузов. Материалы электронной техники. − 2006. − № 4. − С. 17—20.; Горюнов, Н. Н. Определение объемного времени жизни неосновных носителей заряда на непассивированных поверхностях монокристаллического кремния / Н. Н. Горюнов, С. П. Кобелева, В. В. Калинин, С. Ю. Юрчук, А. Н. Слесарев, А. Н. Чиякин // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2004. − Т. 70, № 6. − С. 23—28.; SEMI MF 391−0310. Test methods for minority−carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady−state surface photovoltage. − San Jose, 2010.; Kobeleva, S. P. A device for free−carrier recombination lifetime measurements / S. P. Kobeleva, I. M. Anfimov, I. V. Schemerov // Instruments and Experimental Techniques. − 2016. − V. 59, iss. 3. − P. 420—424. DOI:10.1134/S0020441216030064; https://met.misis.ru/jour/article/view/240

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/240
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-3-210-216

المؤلفون: S. P. Kobeleva, I. M. Anfimov, I. V. Schemerov, L. P. Kholodny, I. V. Borzikh, V. V. Ptashinsty, С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, И. В. Щемеров, Л. П. Холодный, И. В. Борзых, В. В. Пташинский

المصدر: Measurement Standards. Reference Materials; № 1 (2015); 16-22 ; Эталоны. Стандартные образцы; № 1 (2015); 16-22 ; 2687-0886

مصطلحات موضوعية: photoconductivity decay, бесконтактный СВЧ-метод, бесконтактный ВЧ-метод, время жизни неравновесных носителей заряда, спад фотопроводимости, single crystal silicon, contactless д-PCD method, contactless high frequence method, carrier recombination lifetime

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://www.rmjournal.ru/jour/article/view/45/45; Батавин В.В., Концевой Ю.А, Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985.; Runyan W. R, Shaffner T. J. Semiconductor Measurements & Instrumentation. New York: McGraw-Hill, 1997.; Кобелева С.П. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2007. № 1. С. 60-67.; Кобелева С.П. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния. Ч. 2 // Комментарии к стандартам. 2013. № 8. С. 15-26.; Установка для измерения времени жизни неосновных носителей заряда монокристаллического кремния / С. П. Кобелева [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2004. Т. 70. № 5. С. 27-30.; Кобелева С.П., Лагов П.Б., Щемеров И.В. О возможности разработки ГСО времени жизни неравновесных носителей заряда монокристаллического кремния // Стандартные образцы. 2013. № 3. С. 10-15.; SEMI MF28. Test Methods for the Minority-Carrier Lifetime in Bulk Germanium and Silicon by Measurement of Photoconductivity Decay. San Jose. 2010.; SEMI MF1535. Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance. San Jose. 2010.; Определение объемного времени жизни неосновных носителей заряда на непассивированных поверхностях монокристаллического кремния / С.П. Кобелева [и др.] // Заводская лаборатория. 2004. Т. 20. № 6. С. 23-28.; Влияние поверхностной рекомбинации на измерение времени жизни в слитках монокристаллического кремния / С.П. Кобелева [и др.] // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 2006. № 4. С. 17-20.; Анфимов И.М., Кобелева С.П., Щемеров И.В. Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в монокристаллическом кремнии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2014. № 1. Т. 80. С. 41-45.; Расчет профилей распределения фотогенерированных носителей заряда в полупроводнике и фотопроводимости: свидетельство о гос. регистрации программы ЭВМ № 2013612971; опубл. 19.03.2013.; SEMI MF723. Practice for conversion between resistivity and dopant or carrier density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon. San Jose. 2010.; https://www.rmjournal.ru/jour/article/view/45

الاتاحة: https://www.rmjournal.ru/jour/article/view/45

المؤلفون: I. M. Anfimov, S. P. Kobeleva, M. D. Malinkovich, И. В. Щемеров, O. V. Toropova, Yu. N Parkhomenko, И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, М. Д. Малинкович, О. В. Торопова, Ю. Н. Пархоменко

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 2 (2012); 58-60 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 2 (2012); 58-60 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2012-2

مصطلحات موضوعية: энергия активации, nanocomposite, conductivity, activation energy, удельная электропроводность, нанокомпозиты

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/113/106; Abeles, B. Structural and electrical properties of granular metal films / B. Abeles, Ping Sheng, M. D. Coutts, Y. Arie // Adv. Phys. − 1975. − V. 24. − P. 407—461.; Гантмахер, В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах / В. Ф. Гантмахер. − М. : Физматлит, 2005.; Пархоменко, Ю. Н. Технология получения, структура и свойства металлсодержащих нанокомпозитов с кремний−углеродной матрицей / Ю. Н. Пархоменко, М. Д. Малинкович, Е. А. Скрылева, М. Л. Шупегин // Изв. вузов. Материалы элек-трон. техники. − 2005. − № 3. − С. 12—16.; Малинкович, М. Д. Структура поверхности нанокомпозитов на основе кремний−углеродной матрицы, выявленная методами сканирующей зондовой микроскопии / М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Д. С. Поляков, М. Л. Шупегин // Там же. − 2010. − № 3. − С. 41—45.; Канаева, Е. С. Исследование поверхности кремний−углеродных пленок с нанометровыми включениями на основе хрома и тантала методами сканирующей зондовой микроскопии / Е. С. Канаева, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, М. Л. Шупегин // Там же. − 2011. − № 3. − С. 45—47.; Божко, А. Д. Электронный транспорт в пленках аморфных металл−углеродных нанокомпозитов / А. Д. Божко, Е. А. Катаева, Т. Такаги // Вестн. Московск. ун−та. Сер. 3: Физика. Астрономия. − 2007. − № 4. − С. 26—30.; Мотт, Д. Электронные процессы в некристаллических веществах / Д. Мотт, Н. Мотт, Э. М. Дэвис − М. : Мир, 1974. − 472 с.; Бублик, В. Т. Структура композитов с кремний−углеродной матрицей, содержащих нанофазу на основе металла / В. Т. Бублик, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Н. Ю. Табачкова, М. Л. Шупегин // XXII Росс. конф. по электрон. микроскопии (РКЭМ−2008). − Черноголовка, 2008. − С. 94.; https://met.misis.ru/jour/article/view/113

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/113
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-58-60