المؤلفون: I. M. Anfimov, S. P. Kobeleva, A. V. Pylnev, I. V. Schemerov, D. S. Egorov, S. V. Yurchuk, И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, А. В. Пыльнев, И. В. Щемеров, Д. С. Егоров, С. Ю. Юрчук

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 19, № 3 (2016); 210-216 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 19, № 3 (2016); 210-216 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2016-3

مصطلحات موضوعية: бесконтактные СВЧ− измерения, photoconductivity decay, Si single crystal, contactless µ−PCD measurements, неравновесные носители заряда, спад фотопроводимости, монокристаллический Si, непассивированные образцы

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/240/207; Väinölä, H. Sensitive copper detection in p−type CZ silicon using µPCD / H. Väinölä, M. Yli−Koski, A. Haarahiltunen, J. Sinkkonen // J. Electrochem. Soc. − 2003. − V. 150, iss. 12. − P. G790—G794. DOI:10.1149/1.1624845; Schroder, D. K. Semiconductor material and device characterization / D. K. Schroder. − New York : Wiley−Interscience/IEEE, 2006. − 781 p.; Кобелева, С. П. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния (обзор) / С. П. Кобелева // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2007. − Т. 73, № 1. − С. 60—67.; Ogita, Y. I. Bulk lifetime and surface recombination velocity measurement method in semiconductor wafers / Y. I. Ogita // J. Appl. Phys. − 1996. − V. 79, iss. 9. − Art. N 6954. DOI:10.1063/1.361459; Harkonen, J. Recombination lifetime characterization and mapping of silicon wafers and detectors using the microwave photoconductivity decay (µPCD) technique / J. Härkönen, E. Tuovinen, Z. Li, P. Luukka, E. Verbitskaya, V. Eremin // Materials Science in Semiconductor Processing. − 2006. − V. 9, iss. 1–3. − P. 261—265. DOI:10.1016/j.mssp.2006.01.049; SEMI MF 1535−0707. Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by noncontact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance. − San Jose, 2010.; Wilson, M. Improved QSS−µPCD measurement with quality of decay control: Correlation with steady−state carrier lifetime / M. Wilson, P. Edelman, J. Lagowski, S. Olibet, V. Mihailetchi // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2012. − V. 106. − P. 66—70. DOI:10.1016/j.solmat.2012.05.040; Klein, D. The determination of charge−carrier lifetime in silicon / D. Klein, F. Wuensch, M. Kunst // Phys. Status Solidi (b). − 2008. − V. 245, N 9. − P. 1865—1876. DOI:10.1002/pssb.200879544; Heinz, F. D. Separation of the surface and bulk recombination in silicon by means of transient photoluminescence / F. D. Heinz, W. Warta, M. C. Schubert // Appl. Phys. Lett. − 2017. − V. 110, iss. 4. − Art. N 042105. DOI:10.1063/1.4975059; Anfimov, I. M. Measurement of lifetime of nonequilibrium charge carriers in single−crystal silicon / I. M. Anfimov, S. P. Kobeleva, I. V. Shchemerov // Inorg. Mater. − 2015. − V. 51, N 15. − P. 1447— 1451. DOI:10.1134/S0020168515150029; Fontaine, J. C. A simple procedure based on the PCD method for determination of recombination lifetime and surface recombination velocity in silicon / J. C. Fontaine, S. Barthe, J. P. Ponpon, J. P. Schunck, P. Siffert // Measurement Science and Technology. − 1994. − V. 5, N 1. − P. 47—50. DOI:10.1088/0957-0233/5/1/008; Landheer, K. Decoupling high surface recombination velocity and epitaxial growth for silicon passivation layers on crystalline silicon / K. Landheer, M. Kaiser, M. A. Verheijen, F. D. Tichelaar, I. Poulios, R. E. I. Schropp, J. K. Rath // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2017. − V. 50, N 6. − Art. N 065305. DOI:10.1088/1361-6463/aa535f; Adachi, D. Impact of carrier recombination on fill factor for large area heterojunction crystalline silicon solar cell with 25.1% efficiency / D. Adachi, J. L. Hernandez, K. Yamamoto // Appl. Phys. Lett. − 2015. − V. 107, iss. 23. − Art. N 233506. DOI:10.1063/1.4937224; Bonilla, R. S. Extremely low surface recombination in 1 Ω cm n−type monocrystalline silicon / R. S. Bonilla, C. Reichel, M. Hermle, P. R. Wilshaw // Phys. Status Solidi RRL. − 2017. − V. 11, iss. 1. − Art. N 1600307. DOI:10.1002/pssr.201600307; Ogita, Y .I. Reduction of surface recombination velocity by rapid thermal annealing of p−Si passivated by catalytic−chemical vapor deposited alumina films / Y .I. Ogita, M. Tachihara // Thin Solid Films. − 2015. − V. 575. − P. 56—59. DOI:10.1016/j.tsf.2014.10.024; Blakemore, J. S. Semiconductor statistics / J. S. Blakemore. − New York : Dover publishing, 1987. − 381 p.; Giesecke, J. A. Understanding and resolving the discrepancy between differential and actual minority carrier lifetime / J. A. Giesecke, S. W. Glunz, W. Warta // J. Appl. Phys. − 2013. − V. 113, N 7. − Art. N 073706. DOI:10.1063/1.4790716; Brody, J. Review and comparison of equations relating bulk lifetime and surface recombination velocity to effective lifetime measured under flash lamp illumination / J. Brody, A. Rohatgi, A. Ristow // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2003. − V. 77, iss. 3. − P. 293—301. DOI:10.1016/S0927-0248(02)00350-1; Horanyi, T. S. In situ bulk lifetime measurement on silicon with chemically passivated surface / T. S. Horanyi, T. Pavelka, P. Tutto // Appl. Surf. Sci. − 1993. − V. 63, iss. 1–4. − P. 306—311. DOI:10.1016/0169-4332(93)90112-O; Кобелева, С. П. Влияние поверхностной рекомбинации на измерение времени жизни в слитках монокристаллического кремния / С. П. Кобелева, С. Ю. Юрчук, М. А. Ярынчак, В. В. Калинин // Известия вузов. Материалы электронной техники. − 2006. − № 4. − С. 17—20.; Горюнов, Н. Н. Определение объемного времени жизни неосновных носителей заряда на непассивированных поверхностях монокристаллического кремния / Н. Н. Горюнов, С. П. Кобелева, В. В. Калинин, С. Ю. Юрчук, А. Н. Слесарев, А. Н. Чиякин // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2004. − Т. 70, № 6. − С. 23—28.; SEMI MF 391−0310. Test methods for minority−carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady−state surface photovoltage. − San Jose, 2010.; Kobeleva, S. P. A device for free−carrier recombination lifetime measurements / S. P. Kobeleva, I. M. Anfimov, I. V. Schemerov // Instruments and Experimental Techniques. − 2016. − V. 59, iss. 3. − P. 420—424. DOI:10.1134/S0020441216030064; https://met.misis.ru/jour/article/view/240

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/240
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-3-210-216