المؤلفون: T. F. Rusak, K. L. Enisherlova, A. V. Lutzau, V. V. Saraykin, V. I. Korneev, Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 20, № 4 (2017); 272-283 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 20, № 4 (2017); 272-283 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2017-4

مصطلحات موضوعية: кристаллографическая плоскость, GaN buffer layer, dislocation, secondary ion mass spectroscopy, spherical section, selective chemical etching, single-crystal diffractometry, mosaic structure, crystallographic plane, буферный слой GaN, дислокация, масс-спектроскопия вторичных ионов, сферический шлиф, селективное химическое травление, однокристальная дифрактометрия, блочность

Relation: Liliental-Weber Z., dos Reis R., Weyher J. L., Staszczak G., Jakieła R. The importance of structural in homogeneity in GaN thin films // J. Crystal Growth. 2016. V. 456. P. 160—167. DOI:10.1016/j.jcrysgro.2016.08.059; Morkoç H. Handbook of nitride semiconductors and devices. Vol. 1. Materials properties, physics and growth. Weinhiem: Wiley-VCH Verlag GmbH& Co. KGaA, 2008. P. 817—1191. DOI:10.1002/9783527628438; Polyakov A. Y., Lee I.-H. Deep traps in GaN-based structures as affecting the performance of GaN devices // Materials Science and Engineering: R: Reports. 2015. V. 94. P. 1—56. DOI:10.1016/j.mser.2015.05.001; Dong-Seok Kim, Chul-Ho Won, Hee-Sung Kang, Young-Jo Kim, Yong Tae Kim, In Man Kang, Jung-Hee Lee. Growth and characterization of semi-insulating carbon-doped/undoped GaN multiple-layer buffer // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30, N 3. P. 035010 (6 p). DOI:10.1088/0268-1242/30/3/035010; Li X., Bergsten J., Nilsson D., Danielsson Ö., Pedersen H., Rorsman N., Janzén E., Forsberg U. Carbon doped GaN buffer layer using propane for high electron mobility transistor applications: Growth and device results // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 107, Iss. 26. P. 26105 (15 p). DOI:10.1063/1.4937575; Feng Z. H., Liu B., Yuan F. P., Yin J. Y., Liang D., Li X. B., Feng Z., Yang K. W., Cai S. J. Influence of Fe-doping on GaN grown on sapphire substrates by MOCVD // J. Cryst. Growth. 2007. V. 309, Iss. 1. P. 8—11. DOI:10.1016/j.jcrysgro.2007.08.032; Manmohan Agrawal, Shreyash Pratap Singh, Nidhi Chaturvedi. Concept of buffer doping and backbarrier in GaN HEMT // International Journal of ChemTech Research. 2014–2015. V. 7, N 2. P. 921—927. URL: http://sphinxsai.com/2015/ch_vol7_no2_ICONN/7/NE26%20(921-927).pdf; Cui Lei, Yin Haibo, Jiang Lijuan, Wang Quan, Feng Chun, Xiao Hongling, Wang Cuimei, Gong Jiamin, Zhang Bo, Li Baiquan, Wang Xiaoliang, Wang Zhanguo. The influence of Fe doping on the surface topography of GaN epitaxial material // Journal of Semiconductors. 2015. V. 36, N 10. P. 103002. DOI:10.1088/1674-4926/36/10/103002; Lipski F. Semi-insulating GaN by Fe-doping in hydride vapor phase epitaxy using a solid iron source // Annual Report. Ulm University, Institute of Optoelrctronucs, 2010. P. 63—70. URL: https://pdfs.semanticscholar.org/befe/2434893df4f74d14ca62dc740f709a13190d.pdf; Fariza A., Lesnik A., Neugebauer S., Wieneke M., Hennig J., Bläsing J., Witte H., Dadgar A., Strittmatter A. Leakage currents and Fermi-level shifts in GaN layers upon iron and carbon-doping // J. Appl. Phys. 2017. V. 122, Iss. 2. P. 025704-1—025704-6. DOI:10.1063/1.4993180; Polyakov A. Y., Smirnov N. B., Dorofeev A. A., Gladysheva N. B., Kondratyev E. S., Shemerov I. V., Turutin A. V., Ren F., Pearton S. J. Deep traps in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on SiC // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2016. V. 5, Iss. 10. P. Q260—Q265. DOI:10.1149/2.0191610jss; Simpkins B. S., Yu E. T., Waltereit P., Speck J. S. Correlated scanning Kelvin probe and conductive atomic force microscopy studies of dislocations in gallium nitride // J. Appl. Phys. 2003. V. 94, Iss. 3. P. 1448—1453. DOI:10.1063/1.1586952; Енишерлова К. Л., Русак Т. Ф., Корнеев В. И., Зазулина А. Н. Влияние качества подложек SiC на структурное совершенство и некоторые электрические параметры пленок AlGaN/GaN» // Известия вузов. Материалы электрон. техники. 2015. Т. 18, № 3. С. 221—228. DOI:10.17073/1609-3577-2015-3-221-228; Говорков А. В., Поляков А. Я., Югова Т. Г., Смирнов Н. Б., Петрова Е. А., Меженный М. В., Марков А. В., Ли И. Х., Пиртон С. Д. Идентификация дислокаций и их влияние на процессы рекомбинации носителей тока в нитриде галлия // Поверхность, Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 7. C. 18—20.; Енишерлова К. Л., Горячев В. Г., Сарайкин В. В., Капилин С. А. Нестабильность емкости ВФ-характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ-транзисторов на их основе // Известия вузов. Материалы электрон. техники. 2016. Т. 19, № 2. C. 114—122. DOI:10.17073/1609-3577-2016-2-114-122; Енишерлова К. Л., Лютцау А. В., Темпер Э. М. Однокристальная рентгеновская дифрактометрия гетероструктур. М.: ОАО НПП «Пульсар», 2016. С. 144.; Lei Zhang, Yongliang Shao, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao, Xiufang Chen, Shuang Qu, Xiangang Xu. Characterization of dislocation etch pits in HVPE-grown GaN using different wet chemical etching methods // J. Alloys and Compounds. 2010. V. 504, Iss. 1. P. 186—191. DOI:10.1016/j.jallcom.2010.05.085; Zhang H., Miller E. J., Yu E. T. Analysis of leakage current mechanisms in Schottky contacts to GaN and Al0.25Ga0.75N∕GaN grown by molecular-beam epitaxy // J. Appl. Phys. 2006. V. 99, Iss. 2. P. 023703. DOI:10.1063/1.2159547; Choi Y. C., Pophristic M., Peres B., Spencer M. G., Eastman L. F. Fabrication and characterization of high breakdown voltage AlGaN∕GaN heterojunction field effect transistors on sapphire substrates // J. Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 2006. V. 24, Iss. 6. P. 2601—2605. DOI:10.1116/1.2366542; https://met.misis.ru/jour/article/view/410

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/410
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-4-272-283

المؤلفون: K. L. Enisherlova, V. G. Goryachev, V. G. Saraykin, S. A. Kapilin, К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин

المصدر: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 19, № 2 (2016); 115-123 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 19, № 2 (2016); 115-123 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2016-2

مصطلحات موضوعية: генерационно- рекомбинационный вклад, Schottky barriers, HEMT- transistors, C-V method, sequential and parallel substitution schemes, hodograph of the circuit impedance, generation-recombination centers, барьеры Шотки, НЕМТ- транзисторы, вольт-фарадные характеристики, последовательная и параллельная схемы замещения, годограф импеданса цепи

وصف الملف: application/pdf

Relation: https://met.misis.ru/jour/article/view/271/227; Зубков, В. И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрыв зон, уровни квантования, волновые функции / В. И. Зубков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 3. - C. 331—337.; Солтанович, О. А. Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами / О. А. Солтанович, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - C. 226—229.; Солтанович, О. А. Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами / О. А. Солтанович, Е. Б. Якимов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып 12. - С. 1597—1603.; Liu, W. L. Capacitance-voltage spectroscopy of trapping states in GaN/AlGaN heterostructure field-effect transistors / W.L. Liu, Y. L. Chen, A. A. Balandin, K. L. Wang // J. Nanoelectron. Optoelectron. - 2006. - V. 1, N 2. - P. 258—263. DOI:10.1166/jno.2006.212; Антонова, И. В. Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaN / И. В. Антонова, В. И. Поляков, А. И. Руковишников, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 53—59.; Енишерлова, К. Л. Исследование влияния пассивирующих слоев на емкостные характеристики гетероструктур AlGaN/GaN / К. Л. Енишерлова, В. В. Горячев, Т. Ф. Русак С. А. Капилин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2015. - Т. 18, № 2. - С. 137—145. DOI:10.17073/1609-3577-2015-2-137-145; Gallium Nitride (GaN): Physics, Devices and Technology / Ed. by F. Medjdoub. - Boca Raton; London; New York: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2014. - 388 p.; Subramani, N. K. A Physics based analytical model and numerical simulation for current-voltage characteristics of microwave power AlGaN/GaN HEMT / N. K. Subramani, J.-C. Nallatamby, A. K. Sahoo, R. Sommet, R. Quéré, B. Bindu. URL: https://www.researchgate.net/profile/Nandhakumar_Subramani/publication/312377111_A_Physics_Based_Analytical_Model_and_Numerical_Simulation_for_Current-Voltage_Characteristics_of_Microwave_Power_AlGaNGaN_HEMT/links/587c852808ae4445c06733c0.pdf; Брудный, В. Н. Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN / В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков, В. С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин, А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 450—456.; Поклонский, Н. А. Основы импендансной спектроскопии композитов : курс лекций / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук.- Минск : БГУ, 2005. - 103 с.; Гусев, В. А. Основы диэлектрической спектроскопии: учебное пособие / В. А. Гусев. - Казань : КГУ, 2008. - 112 с.; Polyakov, A. Y. Admitance spectra studies of quantum well states in AlGaN/AlN/GaN heterojunctions / A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova, S. J. Pearton, F. Ren, S. Yu. Karpov, K. D. Shchebachev, W. Lim // ECS J. Solid State Sci. Technol. - 2012. - V. 1, N 3.- P. P152—P156. DOI:10.1149/2.019203jss; Комаров, Ф. Ф. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии / Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, В. С. Соловьев, С. Ю. Ширяев. - Мн: Университетское, 1990. - 320 с. (C. 21—47).; Polyakov, A. Y. Deep traps responsible for hysteresis in capacitance-voltage characteristics of AlGaN/GaN heterostructure transistors / A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, A. M. Dabiran, A. M. Wowchak, A. V. Osinsky, B. Cui, P. P. Chow, S. J. Pearton // Appl. Phys. Lett. - 2007. - V. 91, iss. 23. - P. 232116-1-3. DOI:10.1063/1.2823607; Бочкарева, Н. И. Влияние состояний на границах раздела на емкость и эффективность электролюминесценции InGaN/ GaN-световодов / Н. И. Бочкарева, Е. А. Жирнов, А. А. Ефремов, Ю. Т. Ребане, Р. И. Горбунов, А. В. Клочков, Д. А. Давринович, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, вып. 7. - С. 829—833.; Morkoc, H. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices. Vol. 1: Materials Properties, Physics and Growth / H. Morkoc. – Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH&Co. KGaA, 2008. - 1311 p. (P. 817—1010). DOI:10.1002/9783527628438; Stradiotto, R. On the fly characterization of charge trapping phenomena at GaN/dielectric and GaN/AlGaN/dielectric interfaces using impedance measurements / R. Stradiotto, G. Pobegen, C. Ostermaier, T. Grasser // 45th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC). - Graz (Austria): IEEE, 2015. - P. 72—75. DOI:10.1109/ESSDERC.2015.7324716; https://met.misis.ru/jour/article/view/271

الاتاحة: https://met.misis.ru/jour/article/view/271
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-2-115-123