-
1
مصطلحات موضوعية: Ð¿Ð»Ð°Ð·Ð¼Ð¾Ñ Ð¸Ð¼Ð¸ÑеÑкое ÑÑавление, optical emission spectroscopy, каÑбид кÑемниÑ, plasma-chemical etching, silicon carbide, опÑиÑеÑкаÑ-ÑмиÑÑÐ¸Ð¾Ð½Ð½Ð°Ñ ÑпекÑÑоÑкопиÑ, computer simulation, компÑÑÑеÑное моделиÑование, мембÑана, membrane, глÑбокое ÑÑавление, deep etching
-
2
مصطلحات موضوعية: ÑиликаÑное ÑÑекло, каÑбид кÑемниÑ, СпекÑÑоÑÐºÐ¾Ð¿Ð¸Ñ ÐºÐ¾Ð¼Ð±Ð¸Ð½Ð°Ñионного ÑаÑÑеÑÐ½Ð¸Ñ ÑвеÑа, ÐÑемний, каÑбидÑ, кÑемний, ÑглеÑод, ÑпекÑÑоÑÐºÐ¾Ð¿Ð¸Ñ ÐºÐ¾Ð¼Ð±Ð¸Ð½Ð°Ñионного ÑаÑÑеÑниÑ, ÑлекÑÑонное облÑÑение
-
3
مصطلحات موضوعية: молекÑла, molecule, ÑÑллеÑенÑ, carbon films, fullerenes, silicon, компÑÑÑеÑное моделиÑование, modeling, voronoi-dirichlet method, меÑод воÑоного-диÑÐ¸Ñ Ð»Ðµ, molecular dynamics, молекÑлÑÑÐ½Ð°Ñ Ð´Ð¸Ð½Ð°Ð¼Ð¸ÐºÐ°, каÑбид кÑемниÑ, silicon carbide, кÑемний, ÑглеÑоднÑе плÑнки, LAMMPS
-
4
مصطلحات موضوعية: ÑиликаÑное ÑÑекло, electron irradiation, carbon, ÑглеÑод, ÑлекÑÑонное облÑÑение, модиÑикаÑÐ¸Ñ Ð¼Ð°ÑеÑиала, local crystallization, каÑбид кÑемниÑ, raman spectroscopy, ÑпекÑÑоÑÐºÐ¾Ð¿Ð¸Ñ ÐºÐ¾Ð¼Ð±Ð¸Ð½Ð°Ñионного ÑаÑÑеÑÐ½Ð¸Ñ ÑвеÑа, silicon carbide, локалÑÐ½Ð°Ñ ÐºÑиÑÑаллизаÑиÑ, material modification, silicate glass
-
5
مصطلحات موضوعية: computational modeling, каÑбид кÑемниÑ, квазиÑеÑмодинамиÑеÑÐºÐ°Ñ Ð¼Ð¾Ð´ÐµÐ»Ñ, silicon carbide, quasithermodynamic model, ÑпиÑакÑиÑ, Fluent, epitaxy, hot-wall CVD reactor, doping, ÑиÑленное моделиÑование, легиÑование
-
6
مصطلحات موضوعية: каÑбид кÑемниÑ, W-band, ÑлекÑÑоннÑй паÑамагниÑнÑй ÑезонанÑ, wide band semiconductor, silicon carbide, X-band, electronic paramagnetic resonance, ÑиÑокозоннÑй полÑпÑоводник, X-диапазон, W-диапазон